特別報(bào)道
臺(tái)積電暫緩引入High-NA EUV，先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)不只是設(shè)備選擇
臺(tái)積電并沒(méi)有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術(shù)放進(jìn)2029年前的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。作為對(duì)比，英特爾則更早導(dǎo)入High-NA設(shè)備。兩家公司真正的差異，不只是設(shè)備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風(fēng)險(xiǎn)的取舍。
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04-28 OpenAI與微軟修訂AI合作條款
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