D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用，主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而也有其局限性，當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。

傳統(tǒng)的D類功放芯片是功率管采用于硅基晶體管（特別是MOSFET）。它們在實現(xiàn)D類放大器所需的快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻方面存在困難。隨著對更高頻率和電壓的需求增加，這些基于硅的設(shè)計會引入更多失真、更長的死區(qū)時間以及更高的功率損耗——所有這些因素都會降低放大器的整體音質(zhì)和效率。

硅基MOSFET的關(guān)鍵局限性之一是其體二極管的恢復(fù)速度較慢，這導(dǎo)致開關(guān)波形中出現(xiàn)過量的振鈴和過沖。這些效應(yīng)不僅會降低音質(zhì)，還會增加熱輸出。硅基MOSFET中的固有電容——例如輸出電容（C_oss）——進一步加劇了這一問題，迫使設(shè)計人員為了防止過量的電磁干擾而降低開關(guān)速度。

氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體，與硅相比具有多項固有的技術(shù)優(yōu)勢，它重新定義了功率電子的可能性。與硅相比，GaN具有多種固有優(yōu)勢，這些優(yōu)勢直接解決了傳統(tǒng)D類放大器的不足，解鎖了新的性能水平。簡單的說，氮化鎵開關(guān)器件相較于硅基晶體管應(yīng)用于D類音頻功放中所帶來的優(yōu)勢主要有三點：整體效率更高；失真指標有所提升；開關(guān)波形更加清晰。

深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ R_dson GaN氮化鎵，48V供電時，驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。

概述

ACM8816是一款集成GaN HEMT的器件，高效、高性能具有I2S數(shù)字輸入的單聲道D類音頻放大器。外圍應(yīng)用電路只需要很少的無源元件，能在4.5V至50V寬輸入電源工作。ACM8816集成7mΩRdson-GaN-HEMT，驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，而不需要散熱器。

ACM8816采用了一種新穎的PWM調(diào)制架構(gòu)，在啟動階段調(diào)整PWM占空比，以避免啟動異常。擴頻技術(shù)提供較低的EMI輻射。

ACM8816內(nèi)置的先進音效調(diào)諧功能提供了一種高度集成的解決方案。它允許以高度獨立的操作打開/關(guān)閉每個模塊，前后BQ可編程特定頻段信號動態(tài)增強。此外，ACME專利的3+1頻段DRC具有峰值和RMS檢測功能，可實現(xiàn)靈活平坦的多頻段控制。

ACM8816集成ClassH控制功能，為提高電池供電系統(tǒng)的效率和降低功耗提供了一種新方案。

ACM8816采用QFN-48(9.0mm× 9.0mm)封裝。

ACM8816應(yīng)用信息

1、ACM8816腳位定義圖

2、ACM8816管腳說明

3、ACM8816 DEMO應(yīng)用示意圖

4、ACM8816 DEMO板PCB頂層設(shè)計圖

5、ACM8816 DEMO板PCB第二層設(shè)計圖

6、ACM8816 DEMO板PCB第三層設(shè)計圖

7、ACM8816 DEMO板PCB底層設(shè)計圖

8、ACM8816 DEMO板貼片圖

9、ACM8816  DEMO板物料清單

10、ACM8816 DEMO板實物圖