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Vishay為其第七代1200 V FRED Pt超快恢復整流器平臺推出新品

—— 器件降低開關損耗并提高效率,Qrr低至105nC,VF低至1.45V,結電容低,恢復時間短
作者: 時間:2025-09-30 來源:EEPW 收藏

日前,威世科技 Intertechnology, Inc.宣布,推出四款采用eSMP?系列SlimSMA HV(DO-221AC)封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3,以及通過AEC-Q101認證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3,進一步擴充其第七代1200 V FRED Pt?平臺陣容。1 A和2 A針對工業(yè)和汽車應用進行了優(yōu)化,在同類器件中,不僅反向恢復電荷(Qrr)和正向壓降之間實現(xiàn)了權衡,而且結電容更低,恢復時間更短。

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日前發(fā)布的 Semiconductors包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3,以及通過AEC-Q101認證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。為了降低開關損耗并提高效率,器件融合了低至 45 ns 的快速恢復時間,低至 105 nC 的Qrr(典型值),低至 1.45 V 的正向壓降和低至2.5 pF的結電容等特點。性能可靠的整流器采用2.6 mm x 5.2 mm小型封裝,非重復峰值浪涌電流高達 21 A,厚度低至0.95 mm,而類似封裝尺寸的SMA封裝器件為2.3 mm。器件最小爬電距離僅3.2 mm,模塑料相對漏電起痕指數(shù)(CTI)≥ 600(材料組別 I),在滿足IEC 60664-1高壓應用要求的基礎上,有助于減少元件數(shù)量,降低物料清單(BOM)成本。

VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3和VS-E7JX0212HM3可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅動器功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關IGBT和高壓Si / SiC MOSFET提供去飽和保護。器件的典型應用包括工業(yè)驅動器和工具、電動汽車(EV)車載充電器和電機、發(fā)電和儲能系統(tǒng),以及?uk轉換器和工業(yè)LED SEPIC電路。

整流器采用平面結構,通過鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,同時經(jīng)過優(yōu)化的存儲電荷和低恢復電流可最大限度減少開關損耗并降低功耗。器件符合RoHS標準,無鹵素,潮濕敏感度達到 J-STD-020 標準 1 級,可在 +175 °C 高溫下工作。

器件規(guī)格表:

產(chǎn)品編號

VS-E7JX0112-M3

VS-E7JX0112HM3

VS-E7JX0212-M3

VS-E7FX0212HM3

IF(AV)

1 A

1 A

2 A

2 A

VR

1200 V

IF下的VF

1.45 V

1.45 V

1.60 V

1.60 V

trr

50 ns

50 ns

45 ns

45 ns

Qrr

105 nC

105 nC

165 nC

165 nC

CT

2.5 pF

2.5 pF

3.0 pF

3.0 pF

IFSM

14 A

14 A

21 A

21 A

封裝

SlimSMA HV (DO-221AC)

AEC-Q101

新型第七代整流器現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為8周。


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