利用基于氮化鎵的解決方案為下一代 800 伏直流 AI 數(shù)據(jù)中心提供動(dòng)力
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Power Integrations 最近概述了 1,250 V 和 1,700V PowiGaN 技術(shù)在為下一代 AI 數(shù)據(jù)中心供電方面的實(shí)用性，強(qiáng)調(diào)了其 PowiGaN 氮化鎵 （GaN） 技術(shù)在為下一代 AI 數(shù)據(jù)中心供電方面的效用。它在圣何塞舉行的 2025 年 OCP 全球峰會(huì)上發(fā)布的白皮書中進(jìn)行了介紹，NVIDIA 還在合作中提供了 800V DC 架構(gòu)的最新信息，以加速向 800V 直流電源和兆瓦級機(jī)架的過渡。
本文揭示了1,250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢，強(qiáng)調(diào)了其經(jīng)過現(xiàn)場驗(yàn)證的可靠性以及滿足800V DC架構(gòu)功率密度和效率要求的能力。它還表明，與堆疊式 650V GaN FET 和競爭的 1,200V 碳化硅 （SiC） 器件相比，單個(gè) 1,250V PowiGaN 開關(guān)可提供更高的功率密度和效率。
Power Integrations 的 InnoMux 2-EP IC 就是一個(gè)例子，這是一種用于 800V 直流數(shù)據(jù)中心輔助電源的解決方案。該器件的集成 1,700V PowiGaN 開關(guān)接受 1,000V 直流輸入電壓，而其 SR ZVS（同步整流器，零電壓開關(guān)）作在液冷、無風(fēng)扇系統(tǒng)中可提供超過 90.3% 的效率。
GaN 技術(shù)的一個(gè)主要優(yōu)勢是它可以在高頻下運(yùn)行，開關(guān)損耗幾乎可以忽略不計(jì)，使其在效率方面優(yōu)于 1,200V SiC。該解決方案提供易于集成和控制，同時(shí)減少外部組件數(shù)量。
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