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互連線(xiàn) 文章 最新資訊

晶體管添功能,互連線(xiàn)惹麻煩

  • 核心要點(diǎn)晶體管性能持續(xù)提升,但互連線(xiàn)因尺寸縮小、芯片變大,問(wèn)題愈發(fā)嚴(yán)重。緩解手段有限,布局規(guī)劃(Floorplan) 影響最大,當(dāng)前分析工具精度不足。背面供電、3D 集成可短期緩解,新材料方案尚遙不可及。每一代半導(dǎo)體工藝,人們總聚焦晶體管更快、功耗更低,卻極少提及互連線(xiàn)(導(dǎo)線(xiàn))。如今,互連線(xiàn)延遲、功耗占比劇增,已成為先進(jìn)工藝的核心瓶頸。一、物理瓶頸:尺寸越小,互連線(xiàn)越糟西門(mén)子 EDA 應(yīng)用工程顧問(wèn) Pavan Kumar Ram:“互連線(xiàn)已成為制約延遲、壓降、供電與布線(xiàn)擁堵的主因。晶體管隨工藝縮小而變強(qiáng),
  • 關(guān)鍵字: 晶體管  互連線(xiàn)  

直流和脈沖電鍍Cu互連線(xiàn)的性能比較

  • 針對(duì)先進(jìn)納米Cu互連技術(shù)的要求,比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線(xiàn)的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在相同電流密度條件下,脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低,表面粗糙度較小,表面晶粒尺寸和晶粒密度較大,而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中,脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。
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集成電路Cu互連線(xiàn)的XRD研究

  • 對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層,使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o(wú)添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層,均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu),這樣的鍍層在集成電路Cu互連線(xiàn)中有較好的抗電遷移性能。
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互連線(xiàn)介紹

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