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低壓氮化鎵晶體管 文章 最新資訊

功率升級(jí),尺寸瘦身:英飛凌CoolGaN? 低壓氮化鎵晶體管與PSOC? Control C3微控制器重塑低壓電機(jī)控制

  • 在電機(jī)控制設(shè)計(jì)中,工程師們始終面臨一個(gè)經(jīng)典難題:如何在有限的空間內(nèi),實(shí)現(xiàn)更高的效率、更低的溫升和更優(yōu)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?傳統(tǒng)硅基MOSFET方案受限于開關(guān)速度與損耗,往往不得不在性能與體積之間妥協(xié)。如今,英飛凌CoolGaN?低壓氮化鎵晶體管與全新PSOC? Control C3微控制器的組合,為低壓電機(jī)控制帶來了系統(tǒng)級(jí)的突破——更小、更冷、更靜、更快。從器件到系統(tǒng):CoolGaN?的價(jià)值飛輪與硅基MOSFET相比,CoolGaN?低壓GaN晶體管在器件層面具備顯著優(yōu)勢(shì):更低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))與輸出電荷
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低壓氮化鎵晶體管介紹

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