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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件設(shè)計(jì)技巧八大問

IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
關(guān)鍵字：隔離驅(qū)動(dòng) 功率器件

大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可...
關(guān)鍵字：大功率高壓變頻器功率器件

　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
關(guān)鍵字： GaN 功率器件

摘要：通過(guò)探討新一代汽車電子滿足消費(fèi)者對(duì)汽車在安全、舒適與節(jié)能三個(gè)方面的要求方面的具體技術(shù)發(fā)展，構(gòu)畫出全新的汽車功能的未來(lái)。
關(guān)鍵字：汽車電子汽車工業(yè) 新能源汽車功率器件 ECU 201308

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
關(guān)鍵字：富士通功率器件 GaN MB51T008A

　　微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車功率逆變器的體積　　瑞薩電子公司開發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件　　日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今天宣布開發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)器的R2A25110KSP智能型功率器件，適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開發(fā)的微型隔離器隔離專項(xiàng)技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。　　用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中的電機(jī)
關(guān)鍵字：瑞薩功率器件

電磁干擾一般通過(guò)空間輻射和通過(guò)導(dǎo)線傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率...
關(guān)鍵字：電磁兼容電磁干擾逆變功率器件

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

　　揚(yáng)州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展，從電線電纜獨(dú)大，到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強(qiáng)，電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來(lái)將通過(guò)規(guī)劃引導(dǎo)、項(xiàng)目推動(dòng)、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進(jìn)電子制造業(yè)加快發(fā)展。　　布局3大產(chǎn)業(yè) 　　揚(yáng)州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進(jìn)新格局，結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。　　目前，揚(yáng)州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級(jí)高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力，多晶硅太陽(yáng)能電池年產(chǎn)
關(guān)鍵字：電子制造功率器件

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：隔離驅(qū)動(dòng) PowerMOSFET 功率器件

1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
關(guān)鍵字： IGBT 功率器件方法