垂直氮化鎵 文章 最新資訊
安森美垂直氮化鎵（vGaN） 技術(shù)10大高頻問答
- 在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場變革。安森美（onsemi）憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。01 什么是垂直GaN？它與其他GaN 技術(shù)有何不同？目前市面上的GaN 器件通常采用橫向結(jié)構(gòu)，即GaN 層生長在硅或藍寶石襯底上。而垂直 GaN 器件的 GaN 層則生長在 GaN 襯底上。這種垂直設(shè)計允許電流
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垂直氮化鎵半導(dǎo)體：AI 與電氣化領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新
- 隨著人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車及其他高能耗應(yīng)用的全球能源需求激增，安森美半導(dǎo)體（onsemi）正式推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體。該產(chǎn)品為這類應(yīng)用樹立了功率密度、效率與穩(wěn)定性的全新標(biāo)桿。這款具有開創(chuàng)性的下一代 “氮化鎵基氮化鎵”（GaN-on-GaN）功率半導(dǎo)體，通過化合物半導(dǎo)體實現(xiàn)電流垂直傳導(dǎo)，能夠支持更高的工作電壓和更快的開關(guān)頻率，從而實現(xiàn)節(jié)能效果。這一特性可讓人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源以及航空航天、國防與安防領(lǐng)域的系統(tǒng)變得更小巧、更輕便。亮點專有的氮化鎵基氮化鎵技術(shù)可在更高
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 垂直氮化鎵
安森美發(fā)布垂直氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體：為人工智能（AI）與電氣化領(lǐng)域帶來突破性技術(shù)
- 核心摘要隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半導(dǎo)體能夠使電流垂直流過化合物半導(dǎo)體，能實現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關(guān)頻率，助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。要點●? ?專有的GaN-on-GaN技術(shù)實現(xiàn)更高壓垂直電流導(dǎo)通，支持更快的開關(guān)速度和更緊湊的設(shè)計?！?/li>
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垂直氮化鎵介紹
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