性能文章最新資訊

優(yōu)化通孔過孔尺寸以提升PCB性能

通孔過孔（Through?hole vias）是印制電路板中的關(guān)鍵互聯(lián)結(jié)構(gòu)，用于實(shí)現(xiàn)層間電氣連通，并在傳統(tǒng)裝配工藝中支撐元器件引腳。優(yōu)化通孔過孔的鉆孔尺寸與焊盤尺寸，會(huì)直接影響 PCB 整體性能，尤其在信號(hào)完整性與阻抗控制至關(guān)重要的高速設(shè)計(jì)中。工程師經(jīng)常需要在電氣效率與機(jī)械可靠性之間做權(quán)衡：不合理的過孔尺寸會(huì)導(dǎo)致信號(hào)損耗增大、串?dāng)_增加或制造缺陷。本文深入講解過孔尺寸背后的工程原理，提供結(jié)構(gòu)化選型指南，并列出提升 PCB 性能的最佳實(shí)踐。理解這些因素后，設(shè)計(jì)人員就能做出穩(wěn)定可靠的電路板，在滿足嚴(yán)苛性能要求的
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二維晶體管的性能是否被夸大？

杜克大學(xué)工程師證實(shí)，測(cè)試二維器件的常規(guī)器件架構(gòu)，會(huì)將其性能預(yù)期高估多達(dá) 6 倍近二十年來，二維半導(dǎo)體一直被視作硅基晶體管的補(bǔ)充甚至潛在替代方案，這類材料有望打造出尺寸更小、運(yùn)行更快、能效更高的處理器。為簡(jiǎn)化二維半導(dǎo)體的生產(chǎn)與測(cè)試流程，該領(lǐng)域的大部分研究都采用某一特定器件架構(gòu)來測(cè)試其性能潛力，而這一架構(gòu)會(huì)引發(fā)一種名為“接觸柵控”的現(xiàn)象。如今，美國杜克大學(xué)電子工程師團(tuán)隊(duì)的一項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)表明，這種測(cè)試方法會(huì)大幅夸大二維晶體管的紙面性能，且相關(guān)測(cè)試結(jié)果無法轉(zhuǎn)化為實(shí)際的商用技術(shù)。這項(xiàng)題為《基于對(duì)稱雙柵結(jié)構(gòu)的接觸柵控對(duì)
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驗(yàn)證二維晶體管的實(shí)際性能：二維半導(dǎo)體性能炒作背后的尷尬真相

一種實(shí)驗(yàn)室常用的測(cè)試裝置或使二維晶體管的性能測(cè)試結(jié)果虛高多達(dá) 5 倍，這也引發(fā)了人們對(duì)未來芯片性能基準(zhǔn)測(cè)試方式的質(zhì)疑。近二十年來，科學(xué)家們一直試圖突破硅材料的局限 —— 如今每一顆現(xiàn)代計(jì)算機(jī)芯片，核心動(dòng)力都來自硅。他們將希望寄托于超薄的二維半導(dǎo)體材料：這類僅由一兩個(gè)原子構(gòu)成厚度的材料，有望打造出體積更小、運(yùn)算更快、能耗更低的晶體管。如今，杜克大學(xué)工程師的一項(xiàng)新研究表明，我們或許一直都在透過 “失真的鏡片” 看待這類材料。該研究的作者發(fā)現(xiàn)，實(shí)驗(yàn)室中一種被廣泛使用的測(cè)試方法，會(huì)大幅夸大二維晶體管的實(shí)際性能。在
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鼎陽科技推出SPB3000X系列源載模擬器

簡(jiǎn)介鼎陽科技推出SPB3000X系列源載模擬器，包含雙通道直流電源SPB3100X（30V/20A/200W，*2共400W）、雙通道電子負(fù)載SPB3200X（60V/40A/300W，*2共600W）、電池模擬器SPB3300X三個(gè)機(jī)型。具有高精準(zhǔn)度、低紋波噪聲、快速瞬態(tài)響應(yīng)的性能優(yōu)勢(shì)，搭配可視化操作、多接口兼容的設(shè)計(jì)，全面覆蓋電源供電測(cè)試、電子負(fù)載測(cè)試、電池仿真分析等多種需求。?產(chǎn)品介紹SPB3000X系列源載模擬器包含3類機(jī)型，分別為雙通道電源SPB3100X，雙通道負(fù)載SPB3200X，
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微控制器結(jié)構(gòu)與性能因素的實(shí)用指南

微控制器單元（MCU）是單芯片計(jì)算機(jī)，專為執(zhí)行嵌入式計(jì)算任務(wù)而優(yōu)化，如控制咖啡機(jī)或醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人或電動(dòng)汽車電池充電器。它們不需要像個(gè)人電腦和服務(wù)器那樣復(fù)雜的作系統(tǒng)（OS）。中央處理單元（CPU）是執(zhí)行MCU程序的關(guān)鍵元件。MCU中的其他組件包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），用于設(shè)備通電時(shí)的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ);只讀存儲(chǔ)器（ROM），如Flash或EEPROM，即使在設(shè)備關(guān)閉時(shí)也能存儲(chǔ)程序和其他數(shù)據(jù);此外還有各種輸入/輸出（I/O）和串口，用于協(xié)調(diào)程序執(zhí)行和通信的定時(shí)器，以及與外部控制信號(hào)（中斷）的接口。振蕩器（
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為什么選擇 PCIe 5.0 來滿足邊緣的功耗、性能和帶寬？

關(guān)鍵PCIe 5.0 仍然是當(dāng)今大多數(shù)應(yīng)用的實(shí)用選擇，允許從 PCIe 4.0 遷移，并且僅在絕對(duì)必要時(shí)遷移到 PCIe 6.0。邊緣人工智能正在推動(dòng)技術(shù)的重大變革，預(yù)計(jì)到 2027-2028 年，50% 的數(shù)據(jù)中心容量將由人工智能驅(qū)動(dòng)，這使得 PCIe 5.0 的高帶寬和低延遲至關(guān)重要。PCIe 5.0 為各種應(yīng)用提供了靈活性，平衡了功耗、性能、面積和延遲權(quán)衡，這對(duì)于汽車和高性能計(jì)算等行業(yè)至關(guān)重要。低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)對(duì)于邊緣設(shè)備和節(jié)能系統(tǒng)都至關(guān)重要，PCIe 5.0 支持各種電源狀態(tài)，以減少能耗，同時(shí)保持性
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聯(lián)發(fā)科技開發(fā)采用臺(tái)積電 2nm 工藝的芯片，實(shí)現(xiàn)性能和能效的里程碑

無晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)發(fā)科宣布與臺(tái)積電合作取得突破性成就。該公司已成功開發(fā)出采用臺(tái)積電尖端 2nm 工藝技術(shù)的旗艦片上系統(tǒng) （SoC），計(jì)劃于 2026 年底量產(chǎn)。這一里程碑加強(qiáng)了聯(lián)發(fā)科和臺(tái)積電之間的長期合作，臺(tái)積電始終如一地為旗艦移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算、汽車、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用提供高性能、高能效的芯片組。臺(tái)積電的2nm制程技術(shù)引入了納米片晶體管結(jié)構(gòu)，這是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大飛躍。這種創(chuàng)新架構(gòu)可以顯著提高性能和能效，為先進(jìn)芯片組樹立新標(biāo)準(zhǔn)。聯(lián)發(fā)科首款基于 2nm 的芯片組預(yù)計(jì)將于 2026 年底首次亮相，將
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Intel 18A制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光：性能與密度全面提升

據(jù)報(bào)道，在2025年英特爾代工大會(huì)及VLSI研討會(huì)上，英特爾進(jìn)一步公布了其最新一代Intel 18A制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。Intel 18A采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，相比FinFET技術(shù)實(shí)現(xiàn)了重大突破。這一技術(shù)不僅提升了柵極靜電性能，還顯著降低了寄生電容，提高了設(shè)計(jì)靈活性。同時(shí)，Intel 18A率先引入了PowerVia背面供電技術(shù)，該技術(shù)將單元密度和利用率提升了5%-10%，并顯著降低了供電電阻，使ISO功率性能提升4%。與Intel 3工藝節(jié)點(diǎn)相比，Intel 18A的每瓦性能
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提高傳感器性能的簡(jiǎn)單方法有哪些？

雖然通常不可能提高傳感器的實(shí)際性能，但通過適當(dāng)?shù)倪x擇、系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成，在系統(tǒng)級(jí)別提高傳感器性能是非常可能的。可用于傳感器性能優(yōu)化的工具包括選擇、放置、作和信號(hào)調(diào)節(jié)/處理。首先選擇具有適當(dāng)范圍、分辨率、靈敏度、精度、響應(yīng)時(shí)間和其他性能規(guī)格的傳感器。在設(shè)計(jì)過程中，盡量減少/管理噪聲和干擾源。到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)后，定期校準(zhǔn)可能很重要。傳感器性能支柱與優(yōu)化傳感器系統(tǒng)作相關(guān)的挑戰(zhàn)可能很復(fù)雜，但可以分為四個(gè)主要考慮因素：選擇、放置、作和數(shù)據(jù)處理（圖 1）。優(yōu)化每個(gè)性能支柱可以通過回答一系列五個(gè)問題來設(shè)想：目標(biāo)是什么？為什么測(cè)量
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混合動(dòng)力汽車也是超級(jí)跑車：強(qiáng)調(diào)性能，而不是里程

除了有四個(gè)輪子之外，很難看出 30,000 美元的豐田凱美瑞與 300 萬美元的法拉利 F80 有什么共同之處。但這些市場(chǎng)擋是一場(chǎng)不為人知的技術(shù)革命的例子。從經(jīng)濟(jì)型交通工具到超級(jí)跑車，每類內(nèi)燃機(jī)汽車現(xiàn)在都在利用混合動(dòng)力技術(shù)。在“隨著電動(dòng)汽車銷售停滯不前，插電式混合動(dòng)力車重新啟動(dòng)”中，我描述了這一新混合動(dòng)力熱潮的先鋒：增程式電動(dòng)汽車，如 2025 Ram 1500 Ramcharger，其續(xù)航里程超過 1,000 公里。世界領(lǐng)先的高性能品牌也在采用混合動(dòng)力電動(dòng)汽車技術(shù)，這不僅是為了減少排放或提高效率，還因?yàn)?/li>
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英偉達(dá)H20現(xiàn)身基準(zhǔn)測(cè)試：內(nèi)核數(shù)量相比H100減少41%，性能降低28%

去年英偉達(dá)為了適應(yīng)美國政府對(duì)尖端人工智能（AI）芯片新的出口管制，推出中國特供版的H20計(jì)算卡，基于Hopper架構(gòu)打造，取代了以往銷售的A800和H800。雖然性能有不小的下降，但是可以滿足部分客戶的使用需求，而英偉達(dá)也獲得了更多的收益。至于H20和全球范圍內(nèi)熱賣的H100之間規(guī)格有多大差異，具體性能差多少，英偉達(dá)并沒有透露。據(jù)Wccftech報(bào)道，H20現(xiàn)身Geekbench 6數(shù)據(jù)庫，顯示其配備了78組SM。搭載GH100芯片完整的配置為144組SM，不過實(shí)際的H100產(chǎn)品中沒有全部打開，其
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世界最慢的PC誕生單核跑分不到13900K的百分之一

電腦裝機(jī)，大部分人的訴求是預(yù)算一定的情況下，性能越快越好，然而現(xiàn)在有人反其道行之，裝出來一套世界最慢的PC電腦，R15單核跑分只有17分，這個(gè)性能連酷睿i9-13900K的百分之一都沒有。這臺(tái)最慢PC是PCWorld 執(zhí)行編輯 Gordon Mah Ung搞出來的，雖然是追求最差性能，但他使用的配件并非很古老的，而是一些很奇特甚至口碑不好的，比如電源是Gigabyte P750GM，以容易爆炸著稱。主板是少見的BTX規(guī)格，來自戴爾臺(tái)式機(jī)，處理器是賽揚(yáng)D，由于散熱器太過巨大，以致于顯卡都沒法安裝，F(xiàn)ury
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代工價(jià)格高達(dá)14萬元臺(tái)積電3nm真實(shí)性能大縮水：僅比5nm好了5%

臺(tái)積電當(dāng)前量產(chǎn)最先進(jìn)的工藝是5nm及改進(jìn)版的4nm，3nm工藝因?yàn)榉N種原因一直推遲，9月份就說量產(chǎn)了，又說年底量產(chǎn)，不過這個(gè)月就算量產(chǎn)，真正放量也要到明年了。根據(jù)臺(tái)積電之前的消息，3nm節(jié)點(diǎn)上至少有5代衍生版工藝，分別是N3、N3P、N3S、N3X及N3E，其中N3工藝是最早量產(chǎn)的，但是這版工藝遭到客戶棄用，很大可能就放棄了，明年直接上N3E工藝。對(duì)比N5工藝，N3功耗可降低約25-30％，性能可提升10-15％，晶體管密度提升約70％。N3E在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍，對(duì)比N5同等性
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