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10KV氮化鎵器件全新技術(shù)方案
- 一種基于等離子體的簡(jiǎn)易邊緣終端技術(shù)，成功制備出橫向結(jié)構(gòu) 10 千伏級(jí)氮化鎵二極管。在電力電子領(lǐng)域的一眾半導(dǎo)體技術(shù)中，氮化鎵（GaN）已取得顯著成功。這種材料在需要承受數(shù)百伏電壓、同時(shí)實(shí)現(xiàn)極低功耗的場(chǎng)景中，性能無(wú)可匹敵。憑借這些優(yōu)勢(shì)，氮化鎵功率器件已在各類移動(dòng)設(shè)備快充領(lǐng)域，確立了 “殺手級(jí)” 應(yīng)用地位。然而，在 1.7 千伏及以上高壓場(chǎng)景 —— 這是電網(wǎng)、風(fēng)力渦輪機(jī)、電力傳動(dòng)、高壓電源等應(yīng)用的關(guān)鍵區(qū)間 —— 氮化鎵尚未實(shí)現(xiàn)商業(yè)化落地。目前商用高壓器件包括：硅基絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、晶閘管（最高 6.
- 關(guān)鍵字： 10KV 氮化鎵
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