3d-ic 文章最新資訊

提高效率：IC推動AI發(fā)展，AI改變了IC制造

推動當今價值超過 5000 億美元的半導體行業(yè)將年收入增長到 1 萬億美元，這正在挑戰(zhàn)更廣泛供應鏈的各個方面擁抱人工智能。人工智能正在改變晶圓廠的架構(gòu)和運行方式、設(shè)備的制造方式以及服務器群的構(gòu)建方式。與此同時，所有這一切都得益于人工智能芯片和算法的進步，這是一種更智能技術(shù)的良性循環(huán)，使其他技術(shù)能夠提高兩者的能力。這是今年在鳳凰城舉行的 SEMICON West 會議上討論的主要話題，推動了近年來缺乏的熱議。從大局來看，人工智能正在各地創(chuàng)造巨大的機會?！皵[在我們面前有 2 萬億美元的機會，一個是 AI 工廠
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IC China 2025攜手全產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)軍企業(yè)邀您相約北京

2025年11月23日—25日，第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）將在中國?北京國家會議中心舉辦。此次博覽會以“凝芯聚力·鏈動未來”為主題，圍繞高峰論壇、展覽展示、產(chǎn)業(yè)對接、專場活動四大核心板塊，為全球半導體行業(yè)搭建專業(yè)交流合作平臺，助力半導體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。高峰論壇：聚焦產(chǎn)業(yè)前沿，匯聚全球智慧共話發(fā)展在高峰論壇板塊，多場高規(guī)格論壇已確認舉辦，覆蓋半導體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵領(lǐng)域與前沿方向。1開幕式暨第七屆全球IC企業(yè)家大會將作為展會開篇重頭戲，匯聚全球行業(yè)領(lǐng)軍人物，共話半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢與全
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3D-IC將如何改變芯片設(shè)計

專家在座：半導體工程與西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson 坐下來討論 3D-IC 設(shè)計挑戰(zhàn)以及堆疊芯片對 EDA 工具和方法的影響;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。本討論的第 1 部分在這里，第 2&
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長江存儲全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發(fā)布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業(yè)估值最高的新晉獨角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機構(gòu)同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
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第一次深入真正的3D-IC設(shè)計

專家在座：半導體工程坐下來討論了對 3D-IC 的初步嘗試以及早期采用者將遇到的問題，西門子 EDA 產(chǎn)品管理高級總監(jiān) John Ferguson;Mick Posner，Cadence 計算解決方案事業(yè)部 IP 解決方案小芯片高級產(chǎn)品組總監(jiān);莫維盧斯的莫·費薩爾;是德科技新機會業(yè)務經(jīng)理 Chris Mueth 和新思科技 3D-IC 編譯器平臺產(chǎn)品管理高級總監(jiān) Amlendu Shekhar Choubey。從左到右：是德科技的 Mueth;Synopsys 的
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“RISC-V商用落地加速營伙伴計劃”在北京亦莊發(fā)布聚力推動RISC-V產(chǎn)品方案從原型走向商用落地

9月25日，作為2025北京微電子國際研討會暨IC WORLD大會的重要專題論壇，RDI生態(tài)·北京創(chuàng)新論壇·2025在北京亦莊舉行。本次論壇以“挑戰(zhàn)·對策·破局·加速”為主題，匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游代表，圍繞RISC-V在垂直場景下的商業(yè)化路徑及策略展開深度研討，共同推動RISC-V從原型產(chǎn)品向規(guī)模商用落地邁進。論壇現(xiàn)場會上，工業(yè)和信息化部電子信息司二級巡視員周海燕，北京市經(jīng)濟和信息化局總工程師李輝，北京經(jīng)開區(qū)管委會副主任、北京市集成電路重大項目辦公室主任歷彥濤，RISC-V工委會戰(zhàn)略指導委員會主任倪光南，RI
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國產(chǎn)廠商切入下一代存儲技術(shù)：3D DRAM

隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球?qū)λ懔Φ男枨笳灾笖?shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內(nèi)存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內(nèi)存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內(nèi)存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設(shè)計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關(guān)鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經(jīng)受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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汽車應用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙

汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路（3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化（EDA）工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣

全球存儲解決方案領(lǐng)導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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西門子EDA推新解決方案，助力簡化復雜3D IC的設(shè)計與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計自動化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導體設(shè)計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計與制造的復雜挑戰(zhàn)。西門
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2.5D/3D 芯片技術(shù)推動半導體封裝發(fā)展

來自日本東京科學研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
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Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器（1T1C）和三個晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術(shù)
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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]