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這種“二維”晶體管工藝能否改變邏輯和功率器件的生產(chǎn)?

  • CDimension最近發(fā)布了一項(xiàng)技術(shù),使傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓廠能夠使用超薄半導(dǎo)體材料制造垂直集成的極小、快速且高效的“二維”晶體管陣列。它有潛力改變數(shù)字和功率器件的可能性。據(jù)公司介紹,它已經(jīng)幫助多家芯片制造商探索如何將技術(shù)應(yīng)用于制造數(shù)字和模擬集成電路,這些集成電路能提供顯著更高的邏輯密度、運(yùn)行速度和能效。CDimension還為開發(fā)者提供了資源,使他們最終能夠利用相同的工藝生產(chǎn)垂直集成芯片,將計(jì)算、內(nèi)存和電源功能統(tǒng)一到單一高效設(shè)備中。BEOL工藝使原子薄膜能夠生長(zhǎng)公司商業(yè)化產(chǎn)品的核心是一種專有的低溫后端(BE
  • 關(guān)鍵字: CDimension  二維  晶體管  半導(dǎo)體  

低溫二維晶體管可能比預(yù)期更早出現(xiàn)

  • 英特爾、三星和臺(tái)積電等芯片制造巨頭看到了硅晶體管的關(guān)鍵部件被只有幾個(gè)原子厚的半導(dǎo)體取代的未來(lái)。盡管他們報(bào)告了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的進(jìn)展,但人們普遍認(rèn)為這個(gè)未來(lái)還需要十多年的時(shí)間?,F(xiàn)在,麻省理工學(xué)院的一家初創(chuàng)公司認(rèn)為它已經(jīng)破解了制造商業(yè)規(guī)模 2D 半導(dǎo)體的密碼,并預(yù)計(jì)芯片制造商將在這一半的時(shí)間內(nèi)將它們集成到先進(jìn)芯片中。CDimension開發(fā)了一種生長(zhǎng)二硫化鉬(MoS2),一種二維半導(dǎo)體,在足夠低的溫度下安裝在硅上,不會(huì)損壞底層硅電路。這可以允許在現(xiàn)有硅電路上方集成 2D 晶體管層,并最終實(shí)現(xiàn) 
  • 關(guān)鍵字: 低溫二維晶體管  CDimension  
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