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emmc 文章 最新資訊

低容量eMMC供應(yīng)大斷裂 2Q價(jià)格傳將「兩倍跳」

  • 國際大廠群起淡出低容量的舊制程產(chǎn)線,SLC/MLC NAND奇貨可居,躍升當(dāng)紅炸子雞,近期已上演「價(jià)格倍數(shù)飆漲」的驚奇之旅。 其中,MLC NAND供應(yīng)面臨稀缺緊俏,下游供應(yīng)鏈透露,除了首季價(jià)格翻倍上漲,第2季價(jià)格估計(jì)將再2倍翻漲,目前只要有產(chǎn)能釋出,就立刻被客戶搶走,市場缺口難以補(bǔ)足,若累計(jì)從2025年起至今,價(jià)格幾乎呈現(xiàn)10倍起跳。三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、鎧俠(Kioxia)、SK海力士(SK Hynix)等NAND大廠加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的AI應(yīng)用
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未來傾向于UFS用于高性能嵌入式閃存

  • 如今閃存已經(jīng)無處不在,以至于在它成為性能瓶頸之前,人們很容易忽略它的存在。小到物聯(lián)網(wǎng)微控制器里的固件,大到數(shù)據(jù)中心里為 AI 加速器提供的數(shù)據(jù),全都靠它存儲。幾十年來,NAND 閃存不斷提升密度、降低成本,催生出從消費(fèi)級設(shè)備到云端存儲的一整條產(chǎn)品生態(tài),包括 SSD、U 盤、存儲卡、智能手機(jī)與云存儲等。這項(xiàng)技術(shù)最早可追溯到 1987 年,當(dāng)時東芝(如今其存儲業(yè)務(wù)獨(dú)立為鎧俠 KIOXIA)推出 NAND 閃存,作為高密度替代 NOR 閃存的方案。從那以后,NAND 閃存逐步發(fā)展成一套完整的技術(shù)棧,涵蓋存儲單元
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工業(yè)級eMMC瞄準(zhǔn)嵌入式設(shè)計(jì)的長期供應(yīng)需求

  • 智能存儲公司(Intelligent Memory)正擴(kuò)充其主控型與非閃存產(chǎn)品組合,推出面向長壽命系統(tǒng)的小容量嵌入式存儲產(chǎn)品。當(dāng)前多家存儲廠商相繼縮減或停產(chǎn)嵌入式多媒體卡(eMMC)產(chǎn)品線,給工業(yè)客戶帶來潛在的供應(yīng)缺口,該公司此舉正是順應(yīng)市場需求。對于從事嵌入式和控制平臺開發(fā)的工程師而言,能否獲得穩(wěn)定的小容量存儲產(chǎn)品是實(shí)際開發(fā)中的關(guān)鍵問題。因此,這款面向長產(chǎn)品生命周期、需實(shí)現(xiàn)物料清單可預(yù)測性的產(chǎn)品,預(yù)計(jì)會引發(fā)相關(guān)設(shè)計(jì)人員的強(qiáng)烈關(guān)注。賦能穩(wěn)定設(shè)計(jì)的小容量工業(yè)級 eMMC該公司推出的工業(yè)級 eMMC 產(chǎn)品系列
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江波龍車規(guī)級/工業(yè)寬溫級/工規(guī)級 eMMC

  • 受原廠減產(chǎn),以及需求逐步復(fù)蘇的影響拉動,目前半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期,存儲晶圓以及存儲器的價(jià)格均較年初有明顯上升,半導(dǎo)體存儲行業(yè)目前處于上行復(fù)蘇周期。江波龍作為存儲行業(yè)的領(lǐng)先廠商,公司在eMMC向UFS過渡關(guān)鍵時點(diǎn)仍然擁有領(lǐng)先的市場地位及技術(shù)優(yōu)勢,公司持續(xù)對UFS標(biāo)準(zhǔn)的新一代嵌入式存儲器投入研發(fā),公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟(jì)建設(shè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯,形成如今相對專業(yè)和獨(dú)立的地位。與浮動較多的消費(fèi)級市場相比,更為穩(wěn)定的工控市場已經(jīng)成為了存儲企業(yè)的必爭之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤

  • 綠芯將于4月9日至11日在德國紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會 ((embedded world 2024),4A號館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價(jià)比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列(BGA)固態(tài)硬盤,該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應(yīng)用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價(jià)格敏感但是要求高可靠的應(yīng)用而準(zhǔn)備,工作在寬溫(-25oC至+85oC)環(huán)境下,支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價(jià)比VX系列固態(tài)硬盤,以擴(kuò)展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

  • EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達(dá)40萬擦寫次數(shù); 高性價(jià)比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國,北京和美國,硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導(dǎo)體新推出的高性價(jià)比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝,搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit),可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么?一次性搞清楚!

  • 簡單解釋ROMROM:只讀存儲器,內(nèi)容寫入后就不能更改了,制造成本比較低,常用于電腦中的開機(jī)啟動如啟動光盤bios,在系統(tǒng)裝好的電腦上時,計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存,然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM:可編程程序只讀存儲器,但是只可以編寫一次。EPROM:可抹除可編程只讀存儲器,可重復(fù)使用。EEPROM:電子式可抹除可編程只讀存儲器,類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM:隨機(jī)存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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Arasan宣布其臺積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案

  • 領(lǐng)先的移動和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布,用于臺積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺積公司(TSMC)行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴(kuò)展其IP產(chǎn)品,用于臺積公司22nm工藝SoC設(shè)計(jì)的eMMC PHY IP立即可用。臺積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機(jī)控制器IP和軟件無縫集成,從
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西數(shù)推出iNAND IX EM132嵌入式工業(yè)級eMMC SSD

  • 2019年,西部數(shù)據(jù)(WD)推出了首款面向工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的嵌入式 eMMC 存儲設(shè)備,它就是 iNAND IX EM132 驅(qū)動器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造,讀速高達(dá) 310 MB/s,輔以專為嵌入式、商業(yè)、工業(yè)等用途而設(shè)計(jì)的各項(xiàng)功能,提升了整體的可靠性和耐用性。
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關(guān)于NAND閃存大科普

  •   在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣??! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機(jī)數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?! ‰S著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS?

  • 在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不
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買個32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個G?看完你就懂了

  •   現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?  我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實(shí)際
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ARM平臺數(shù)據(jù)為何會莫名其妙丟失

  •   Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器,為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而越來越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?! ?nbsp;    圖1 Nand-Flash與eMMC芯片  1.1存儲器件使用壽命  使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象,是一個讓無數(shù)工程師毛骨悚然的
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eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成,UFS時代來臨,如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統(tǒng)頻率的提升,并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸,抖動、串?dāng)_、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時間窗口,從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
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吹牛必備常識之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購買P10手機(jī)后,經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測試結(jié)果顯示,有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒,而根據(jù)網(wǎng)上公布的評測參數(shù)來看,以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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emmc介紹

eMMC為MMC協(xié)會所訂立的內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,主要是針對手機(jī)產(chǎn)品為主,而手機(jī)的內(nèi)嵌式標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格除了eMMC之外,還包括SD協(xié)會設(shè)立的eSD規(guī)格,但目前看來仍是eMMC的使用客戶群較普及,目前是eMMC4.3世代,下一代是eMMC4.4規(guī)格。 過去NAND Flash技術(shù)只要從50奈米轉(zhuǎn)換至30奈米制程,或是SLC轉(zhuǎn)換成MLC芯片,手機(jī)大廠都相當(dāng)頭痛,必須重新設(shè)計(jì)以及處里兼容性問題,然NAND [ 查看詳細(xì) ]

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