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存儲漲價后遺癥來了

此前，國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心發(fā)文稱，2025 年 9 月至今，受需求「爆發(fā)式」增長、產(chǎn)能「斷崖式」緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴大，存儲芯片價格持續(xù)上漲，近 1 個月多以來，漲幅呈現(xiàn)擴大態(tài)勢，建議關(guān)注存儲芯片對下游價格的影響。那么下游哪些產(chǎn)業(yè)會受到影響呢？全品類存儲價格全線沖高，漲價潮持續(xù)加碼硬件存儲價格的暴漲已持續(xù)半年，上行趨勢仍在持續(xù)強化。本輪漲價覆蓋了 DRAM、NAND Flash 兩大主流存儲品類，以及 Nor Flash、車規(guī)級存儲等細(xì)分賽道，呈現(xiàn)出「全品類普漲、漲幅
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NOR FLASH火了

閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據(jù)閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術(shù)特性，在工業(yè)、汽車等專業(yè)領(lǐng)域占據(jù)一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術(shù)路徑之一，NOR Flash 歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展，在物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI 服務(wù)器等新興場景的驅(qū)動下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業(yè)的布局尤為關(guān)鍵。以中微半導(dǎo)為代表的本土企業(yè)，正憑借 MC
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中微半導(dǎo)發(fā)布首款Flash芯片，進(jìn)軍存儲領(lǐng)域

1月19日，中微半導(dǎo)發(fā)布了一則自愿性公告，宣布即將推出其首款非易失性存儲器芯片，正式進(jìn)入Flash領(lǐng)域。這一產(chǎn)品型號為CMS25Q40A，是一款容量為4M bit的低功耗SPI NOR Flash芯片。該芯片的存儲陣列被劃分為2048個可編程頁，每頁容量為256字節(jié)，單次編程操作最多可寫入256字節(jié)數(shù)據(jù)。它支持多種擦除方式，包括1KB扇區(qū)擦除、4KB扇區(qū)擦除、32KB塊擦除、64KB塊擦除及整片擦除。其核心特點包括低成本、低功耗、SPI高速讀寫以及掉電不丟失等。性能參數(shù)方面，CMS25Q40A采用1.65
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NOR Flash、MEMS與傳感器、功率器件三大領(lǐng)域洞察

進(jìn)入2026年，NOR Flash的基本面與DRAM和NAND形成顯著差異：其定價保持穩(wěn)定，基本不受存儲周期性波動影響。同時，市場需求正日益轉(zhuǎn)向適用于汽車、工業(yè)及真無線耳機（TWS）等領(lǐng)域的更高密度SPI NOR產(chǎn)品。更大的固件容量、無線升級（OTA）需求以及邊緣AI的集成，共同推動了高密度NOR Flash設(shè)備的采用，尤其是從128Mb向256Mb及以上容量的升級。盡管出貨量趨于平穩(wěn)，但產(chǎn)品密度的提升、漫長的認(rèn)證周期以及向55-40納米工藝穩(wěn)定遷移，將持續(xù)驅(qū)動其價值增長。得益于供需結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，NOR F
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兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快
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BiCS FLASH進(jìn)階時，加速存儲新進(jìn)化

AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動，致使存儲行業(yè)變得愈發(fā)重要。無論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進(jìn)而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動設(shè)備在數(shù)據(jù)存儲與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲技術(shù)發(fā)展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)為行業(yè)提供了大量支持，也是高性能存儲中，不可缺少的關(guān)鍵角色。鎧俠作為閃存技術(shù)的發(fā)明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
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用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創(chuàng)造新可能

AI的計算、數(shù)據(jù)傳輸與存儲已經(jīng)成為當(dāng)下數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器端最為關(guān)注的問題之一。在有限的空間和成本內(nèi)如何實現(xiàn)更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數(shù)據(jù)支持，加速數(shù)據(jù)交換，節(jié)省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術(shù)如何扮演起關(guān)鍵角色。閃存技術(shù)最初被廣泛應(yīng)用在消費級產(chǎn)品中，旨在縮小存儲方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術(shù)的不斷升級，這項技術(shù)已經(jīng)從成為消費級產(chǎn)品存儲主力，并緊接著在網(wǎng)絡(luò)、云計算的企業(yè)級存儲中提供高速的數(shù)據(jù)存取支持。如今數(shù)據(jù)存儲正在邁向AI時代，通過大量創(chuàng)新型的存儲方案創(chuàng)造更多可能性。例
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%

TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達(dá)到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達(dá)到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達(dá)到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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內(nèi)存漲價輪到NOR Flash！第四季全面漲勢更兇狠

終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業(yè)界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調(diào)漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業(yè)界預(yù)期，隨著近期市場漲價風(fēng)聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區(qū)域市場全面反映報價調(diào)漲，單季漲幅將達(dá)雙位數(shù)百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現(xiàn)貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現(xiàn)貨價格已上漲約3成多，反映業(yè)界在擔(dān)憂
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「STM32 Flash 操作全解析」擦除、寫入、讀取一網(wǎng)打盡！附完整源碼

在嵌入式開發(fā)中，MCU 內(nèi)部的 Flash 常用于存儲配置信息、日志數(shù)據(jù)或用于 OTA 升級。STM32F4 系列 MCU 提供了對 Flash 的靈活操作能力，包括按扇區(qū)擦除、字節(jié)或半字寫入等。本文將圍繞一段實際使用的 Flash 操作代碼進(jìn)行講解，主要涉及 Flash 的擦除、寫入與讀取功能。一、Flash 結(jié)構(gòu)及操作基本原理STM32F4 MCU 的 Flash 存儲器按照扇區(qū)（Sector）劃分，每個扇區(qū)大小不一，例如在 STM32F407 中，前四個扇區(qū)大小為 16KB，第五個為 64KB，之后
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NAND Flash合約價 Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價格走勢，預(yù)估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強第三季回補動能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
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兆易創(chuàng)新推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，突破性讀取速度，助力應(yīng)用快速啟動

近日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動應(yīng)用場景的理想之選。GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash采用24n
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AI推理應(yīng)用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。相較于傳統(tǒng)的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負(fù)載。法人分析，臺廠如群聯(lián)、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據(jù)調(diào)研機構(gòu)預(yù)測，2025年QLC NAND產(chǎn)能將達(dá)250.48億Gb，占NAND總產(chǎn)能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務(wù)器主要負(fù)責(zé)分析以及處理大量數(shù)據(jù)，而這類應(yīng)用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
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兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應(yīng)用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現(xiàn)無縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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flash介紹

閃存（Flash ROM）：是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]