ltspice 文章 最新資訊
LTspice操作方法：定義電壓源和電流源的分段線性函數(shù)
- 分段線性(PWL)函數(shù)是一系列直線段,可用于在LTspice?中創(chuàng)建電壓或電流波形。PWL段通過時間/數(shù)值對進行定義,是瞬態(tài)仿真中用于描述電壓或電流波形的眾多方式之一。為電壓源或電流源添加分段線性(PWL)函數(shù)要將PWL函數(shù)添加到新布置的電壓源或電流源,請右鍵單擊原理圖中的電壓源或電流源符號。接下來,點擊Advanced(高級)查看所有設(shè)置,并選擇Functions(函數(shù))部分中的PWL(t1 v1 t2 v2…)。圖1. 定義PWL函數(shù)中的時間和數(shù)值點定義PWL波形選擇 PWL(t1 v1 t2 v2…
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LTspice中的隨機數(shù)是真隨機數(shù)嗎？
- 本文討論如何在LTspice仿真中利用flat()、gauss()和mc()函數(shù)來實現(xiàn)偽隨機數(shù)和真隨機數(shù)的生成，并介紹如何使用設(shè)置面板的Hacks部分中的 Use the clock to reseed the MC generator（使用時鐘重新設(shè)置MC生成器的隨機種子）選項。文章探討了偽隨機數(shù)和真隨機數(shù)之間的利弊權(quán)衡，同時比較了蒙特卡羅統(tǒng)計仿真與更有針對性的最壞情況仿真之間的差異。在LTspice?原理圖中，有多種方法可模擬隨機性。LTspice中的flat()、gauss()和mc()函數(shù)支持在L
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如何將第三方模型導(dǎo)入LTspice
- LTspice 能讓工程師快速繪制并仿真電路原理圖。在設(shè)計初期，使用理想電路元件往往是梳理設(shè)計思路的最佳起點，但電路設(shè)計人員后續(xù)需要為基礎(chǔ)的簡易原理圖添加更貼合實際的元件模型，以完善設(shè)計。LTspice 內(nèi)置了豐富的第三方廠商器件模型，要使用這類模型，只需右鍵點擊對應(yīng)元件，在屬性窗口中點擊 “選取” 或 “選擇” 按鈕，從列出的模型中選中即可（見圖 1）。圖1. 使用 LTspice 組件庫中的 NMOS 模型。對于 LTspice 元件庫中未收錄的器件，可將外部來源的模型導(dǎo)入軟件中使用，具體操作步驟會根
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在LTspice仿真中使用GaN FET模型
- 近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進行了優(yōu)化。借助
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使用LTspice仿真來解釋電壓依賴性影響
- 要實現(xiàn)陶瓷電容器的微型化，就必須在越來越小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的電容值。為此，具有高介電常數(shù)(ε)和越來越薄的介電絕緣層的材料正在被實現(xiàn)，這使得現(xiàn)在有可能在工業(yè)級規(guī)模上生產(chǎn)高質(zhì)量的陶瓷層。遺憾的是，介電常數(shù)εr = ?()是電場強度的函數(shù)，因此電容表現(xiàn)出電壓依賴性。根據(jù)陶瓷類型和層厚度，這種影響可以非常顯著。在最大允許電壓下，電容下降到標(biāo)稱值的10％以下并不罕見。在將恒定電壓作用于MLCC的應(yīng)用中（例如解耦電容），很容易考慮此影響。只要電壓保持恒定，就可以從制造商提供的數(shù)據(jù)手冊或在線工具中獲取剩余電
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
- 引言在電源設(shè)計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關(guān)鍵。一個設(shè)計不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負(fù)載變化和輸入電壓波動的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。本文將介紹如何使用LTspice?這一強大的仿真工具，快速、簡便地完成控制回路的波特圖分析，從而優(yōu)化控制回路設(shè)計?？刂苹芈贩抡娴闹匾钥刂苹芈返姆€(wěn)定性直接影響電源的性能。通過波特圖分析，我們可以：1. 評估相位裕度：確?？刂苹芈吩?/li>
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如何在LTspice中添加電壓控制開關(guān)
- 本文詳細(xì)介紹了在LTspice?原理圖中添加電壓控制開關(guān)的步驟。文中列舉了幾個示例，著重說明了電壓控制開關(guān)在瞬態(tài)仿真中的使用。
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將SPICE模型從LTspice轉(zhuǎn)移到QSPICE
- 在本文中，我們將介紹將SPICE模型導(dǎo)入QSPICE的過程，并演示使用QSPICE波形查看器的基礎(chǔ)知識，包括測量標(biāo)記。在本系列的第一篇文章中，我們創(chuàng)建并簡要分析了LTspice中的LED閃爍電路。在第二篇文章中，我們使用網(wǎng)表復(fù)制粘貼和手動原理圖輸入的組合將電路轉(zhuǎn)移到QSPICE。然而，LTspice電路中的LED（圖1）在QSPICE庫中不可用。圖1我們在LTspice中創(chuàng)建的LED閃爍電路作為一種變通方法，我將LED更換為串聯(lián)的普通硅二極管和電壓電源（VFWD）。生成的示意圖如圖2所示QSPICE版本的
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LTspice用戶QSPICE簡介，第1部分
- 本文是從LTspice到QSPICE的四部分系列文章中的第一篇，介紹了一個LED閃光燈電路，我們將用這兩個程序進行模擬。SPICE模擬對于測試、表征和改進最終將在實驗室中構(gòu)建或作為組裝PCB生產(chǎn)的電路非常寶貴。在我看來，它們也是一種很好的方式，通常是最好的方式，可以更徹底地理解不同電路及其組件的功能。簡而言之，SPICE模擬器是現(xiàn)代工程師和工程專業(yè)學(xué)生的重要工具。尤其是LTspice已經(jīng)成為電氣工程界的傳奇。它功能強大，應(yīng)用廣泛，并擁有眾多IC宏模型。最重要的是，它完全免費。我作為設(shè)計工程師和技術(shù)作家使用
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在LTspice中創(chuàng)建并行負(fù)載移位寄存器
- 我們探索了用于混合信號電路仿真的數(shù)字移位寄存器的設(shè)計和功能。與所有SPICE衍生物一樣，LTspice主要用于模擬仿真。然而，通過整合其數(shù)字元件目錄中的邏輯功能，我們還可以使用它來驗證混合信號電路。我們在前兩篇文章中研究了LTspice數(shù)字組件的結(jié)構(gòu)和仿真行為。在本文中，我們將使用它們來構(gòu)建一個并行負(fù)載移位寄存器。寄存器是數(shù)字和混合信號IC的關(guān)鍵子電路。在寄存器中，多個單比特存儲單元（通常是觸發(fā)器）連接在一起形成多位存儲設(shè)備。例如，我們需要以下內(nèi)容來創(chuàng)建一個單字節(jié)寄存器：八雙人字拖。允許我們同時從所有八個
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修改LTspice中數(shù)字組件的操作
- 定制LTspice邏輯門和觸發(fā)器的設(shè)備參數(shù)可以幫助您更準(zhǔn)確地模擬這些組件。本文將介紹規(guī)范制定過程，并提供一些有用的提示。本系列的第一篇文章討論了LTspice邏輯門組件的底層電氣結(jié)構(gòu)，特別關(guān)注了未使用與邏輯低輸入的棘手問題。在本文中，我們將看到調(diào)整這些組件的某些設(shè)備參數(shù)如何使我們能夠定制它們的電氣行為。我們的重點將放在以下關(guān)鍵參數(shù)上：邏輯電壓。過渡時期。輸出阻抗。圖1顯示了一個基本的雙輸入AND電路的低到高輸出轉(zhuǎn)換，其中所有這些參數(shù)都處于默認(rèn)狀態(tài)。LTspice中具有默認(rèn)器件參數(shù)的雙輸入AND門的低到高輸
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LTspice中邏輯門的使用介紹
- 本文解釋了如何成功地將邏輯門集成到LTspice模擬中。SPICE模擬器主要用于模擬電路。盡管如此，在許多情況下，例如設(shè)計混合信號電路，數(shù)字組件可以增強SPICE模擬。因此，LTspice組件庫有一個名為Digital的目錄。如圖1所示，它包含幾個數(shù)字組件。LTspice組件庫中的數(shù)字組件目錄。 圖1。LTspice數(shù)字元件目錄。然而，當(dāng)你開始使用這些組件時，你可能會發(fā)現(xiàn)它們并不像看起來那么用戶友好。本文將參考相關(guān)的LTspice文檔，探討將數(shù)字組件整合到LTspice原理圖中的一些不太明顯的方
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用先進的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
用LTspice和負(fù)電壓發(fā)生器探索負(fù)電壓
- 在本文中，我們將使用SPICE仿真來探索負(fù)電壓的理論和行為。在之前的一篇文章中，我提供了負(fù)電壓的主要理論解釋。我想繼續(xù)這個話題，展示負(fù)電壓的作用，并結(jié)合解釋，這將有助于加強我們對負(fù)電壓的理解。要做到這一點，我們將在這里使用LTspice進行“動手”工作，但如果您可以使用測試設(shè)備和一些常見的電子元件，您可以很容易地將第一個模擬重新創(chuàng)建為用示波器測量的物理電路。電容器：負(fù)電壓發(fā)生器首先，讓我們從我能想到的最簡單的負(fù)電壓產(chǎn)生電路之一開始，它由脈沖電壓源、電容器和電阻器組成。該電路如下圖1所示。具有脈沖電壓源、電
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