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2026 傳感器大會(huì)：數(shù)字 RF 技術(shù)有望打破智能眼鏡普及瓶頸

2026 年 5 月 7 日，Sensors Converge 2026 傳感器大會(huì)期間，行業(yè)觀點(diǎn)指出，數(shù)字射頻架構(gòu)或?qū)⒊蔀橥苿?dòng)消費(fèi)級(jí)智能眼鏡規(guī)?；涞氐年P(guān)鍵突破口。自 2012 年谷歌眼鏡問世以來(lái)，智能眼鏡一直被視作極具潛力的可穿戴產(chǎn)品，但長(zhǎng)期受性能、續(xù)航、佩戴舒適度及可靠性等問題制約，始終難以大規(guī)模普及。InnoPhase IoT 認(rèn)為，通信連接硬件的落后，是阻礙智能眼鏡走向大眾市場(chǎng)的核心因素之一。想要真正普及，智能眼鏡的通信芯片必須滿足小型化、超低功耗、低成本三大條件，做到無(wú)感融入普通鏡框設(shè)計(jì)。本屆
關(guān)鍵字： Sensors Converge 2026 數(shù)字 RF CMOS 射頻 Talaria 6 智能眼鏡超低功耗 Wi-Fi 6 邊緣 AI 多協(xié)議互聯(lián) Matter 協(xié)議可穿戴設(shè)備

Bourns新RF射頻電感器采用先進(jìn)多層技術(shù)與單體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高可靠度表現(xiàn)

Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，今日推出四款多層片狀電感系列產(chǎn)品： CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和 CE1608Q 系列。此系列電感器采用先進(jìn)多層技術(shù)打造單體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，為電源電子設(shè)計(jì)工程師提供高可靠度、穩(wěn)定性佳且具優(yōu)異訊號(hào)完整性的解決方案。產(chǎn)品尺寸涵蓋 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多種精巧規(guī)格，為設(shè)計(jì)人員在小型化應(yīng)用中提供更多元的選擇。為滿足高頻電路對(duì)效能提升的需求，新款片狀電感具備最高達(dá) 20,0
關(guān)鍵字： Bourns RF 射頻電感器高可靠

Bourns 最新 RF 射頻電感器采用先進(jìn)多層技術(shù)與單體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高可靠度表現(xiàn)

2026年3月4日 – Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，今日推出四款多層片狀電感系列產(chǎn)品：CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和CE1608Q系列。此系列電感器采用先進(jìn)多層技術(shù)打造單體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，為電源電子設(shè)計(jì)工程師提供高可靠度、穩(wěn)定性佳且具優(yōu)異訊號(hào)完整性的解決方案。產(chǎn)品尺寸涵蓋 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多種精巧規(guī)格，為設(shè)計(jì)人員在小型化應(yīng)用中提供更多元的選擇。為滿足高頻電路對(duì)效能提升的需求，新款片狀電感具備最高達(dá) 20,0
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STM32V8如何利用FD-SOI和相變存儲(chǔ)器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）的 STM32V8 系列專為高性能、高可靠性嵌入式應(yīng)用設(shè)計(jì)，可提供穩(wěn)定存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)連接及基礎(chǔ)人工智能（AI）支持。該系列基于 800 兆赫茲 Arm Cortex-85 內(nèi)核，支持 Helium/MVE 指令集，EEMBC CoreMark 跑分高達(dá) 5072 分。全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）晶體管與嵌入式相變存儲(chǔ)器（ePCM）是 STM32V8 系列采用的兩大核心技術(shù)（圖 1）。1. 完全耗盡的硅絕緣體（FD-SOI）晶體管（左）和嵌入式相變存儲(chǔ)器（e
關(guān)鍵字： FD-SOI 相變存儲(chǔ)器意法半導(dǎo)體

FD-SOI：用于安全汽車電子的網(wǎng)絡(luò)彈性基板

關(guān)鍵FD-SOI 技術(shù)可針對(duì)激光故障注入（LFI）提供強(qiáng)大的防御，這是一種可能危及加密和安全關(guān)鍵型硬件的精確方法。LFI 是在受控條件下探測(cè)硅漏洞的黃金標(biāo)準(zhǔn)，隨著金屬層的厚度越來(lái)越大，背面訪問的使用越來(lái)越多，這使得基板工程對(duì)于安全至關(guān)重要。FD-SOI 消除了體 CMOS 中發(fā)現(xiàn)的主要 LFI 故障機(jī)制，顯著降低了激光故障的脆弱性，并需要更多的激光射擊來(lái)誘發(fā)故障。FD-SOI 的物理彈性簡(jiǎn)化了對(duì) ISO/SAE 21434 等汽車網(wǎng)絡(luò)安全標(biāo)準(zhǔn)的合規(guī)性，并有助于實(shí)現(xiàn)更高的保證級(jí)別，而無(wú)需采取廣泛的額外對(duì)
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超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器在噪聲敏感型射頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

新型超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器具有超低噪聲、高效率、小尺寸和大電流的特點(diǎn)，非常適合各種對(duì)噪聲敏感的射頻應(yīng)用場(chǎng)景，包括5G/無(wú)線通信、防務(wù)領(lǐng)域、儀器儀表等。Silent Switcher 3進(jìn)階型開關(guān)穩(wěn)壓器系列擁有超低的輸出噪聲，在低頻范圍（0.1 Hz至100 kHz）內(nèi)，其噪聲甚至比大多數(shù)低壓差(LDO)穩(wěn)壓器還要低。本文研究了與傳統(tǒng)的降壓式穩(wěn)壓器加LDO穩(wěn)壓器解決方案相比，在噪聲敏感型RF系統(tǒng)中應(yīng)用超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器所面臨的挑戰(zhàn)和帶來(lái)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器射頻 RF ADI

使用模擬預(yù)失真進(jìn)行射頻功率放大器線性化

我們探討了用于線性化射頻放大器的模擬預(yù)失真的基本概念，并回顧了一些常見的實(shí)現(xiàn)方式?，F(xiàn)代通信系統(tǒng)使用具有時(shí)變包絡(luò)和相位角的信號(hào)。為了處理這些信號(hào)，發(fā)射機(jī)需要線性功率放大器（PA）。然而，它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知，這樣的放大器不可避免地是非線性的。幸運(yùn)的是，有許多方法可以線性化功率放大器的響應(yīng)。我們?cè)谏弦黄恼轮辛私獾降囊环N方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號(hào)中減去。這被稱為前饋線性化。預(yù)失真是另一種常用的線性化技術(shù)。它不是在輸出端校正信號(hào)，而是在功率放大器之前放置一個(gè)非線性電路，使組
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射頻（RF）基本理論

1. 什么是射頻？射頻簡(jiǎn)稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡(jiǎn)稱。電磁波其實(shí)就是比較熟悉的概念了，依據(jù)麥克斯韋的電磁場(chǎng)理論：振蕩的電場(chǎng)產(chǎn)生振蕩的磁場(chǎng)，振蕩的磁場(chǎng)產(chǎn)生振蕩的電場(chǎng)，電磁場(chǎng)在空間內(nèi)不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現(xiàn)體現(xiàn)這個(gè)過程，E代表電場(chǎng)，B代表磁場(chǎng)。在軸上同一位置的電場(chǎng)、磁場(chǎng)的相位和幅度均會(huì)隨著時(shí)間發(fā)生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統(tǒng)稱，被廣泛應(yīng)用于雷達(dá)和無(wú)線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號(hào)，可以從頻率、波長(zhǎng)、幅度、相位四個(gè)角
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X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點(diǎn)平臺(tái)，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標(biāo)準(zhǔn)的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計(jì)劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲(chǔ)空間的EEPRO
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晶像光電 SOI JX-K302P 四百萬(wàn)畫素物聯(lián)網(wǎng)感測(cè)器方案

晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。該技術(shù)能夠明顯提升近紅外靈敏度，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的圖像質(zhì)量。通過BSI NIR+技術(shù)，安防監(jiān)控?cái)z像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質(zhì)量的圖像。搭配不同平臺(tái)SOC，可適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1. SOI JX-K30
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利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲

關(guān)于射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動(dòng)效果時(shí)，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象。科學(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計(jì)中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設(shè)計(jì)中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強(qiáng)調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個(gè)例子來(lái)澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析我們通常用
關(guān)鍵字：噪聲系數(shù)度量，射頻電路，噪聲，RF

單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)

本文要點(diǎn)：? 小信號(hào) RF 放大器的用途。? 用于小信號(hào) RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級(jí)小信號(hào) RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號(hào)且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱為
關(guān)鍵字： RF 放大器

RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長(zhǎng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(zhǎng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購(gòu)，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬(wàn)畫素物聯(lián)網(wǎng)感測(cè)器方案

晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術(shù)。可搭配不同平臺(tái)SOC，適用于安防監(jiān)控、車載高清、USB攝影機(jī)、打獵相機(jī)、紅外夜視儀、運(yùn)動(dòng)攝影機(jī)和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機(jī)等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應(yīng)用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強(qiáng) 像素技術(shù)，可為在低光或無(wú)光環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
關(guān)鍵字：晶像光電 SOI JX-F355P 物聯(lián)網(wǎng)感測(cè)器