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RT10XX 降低喚醒時(shí)沖擊電流
- 近來有客戶反饋，當(dāng)使用RT1060從suspend mode喚醒時(shí)，會(huì)在VDD_HIGH_IN觀測到一個(gè)較大電流。與此同時(shí)，電壓也會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的跌落，下降到RT1060的臨界數(shù)值3.0V附近。在一些極端情況下可能會(huì)引起MCU異常無法正常工作。如下圖所示，VDD_HIGH_IN主要為芯片內(nèi)部的analog部分供電，主要包括各類PLL，晶振，fuse，以及LDO。經(jīng)過查閱應(yīng)用筆記，Suspend模式下，芯片內(nèi)部的LDO_2P5和LDO_1P1會(huì)被關(guān)閉以降低功耗，當(dāng)喚醒時(shí)，這兩個(gè)LDO將會(huì)被啟動(dòng)為芯片內(nèi)部的電
- 關(guān)鍵字： RT1060 MCU 沖擊電流
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