第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義：SiC和GaN如何突破硅基芯片的戰(zhàn)場局限

• 很多人想不明白為何美國以軍事用途為由列舉出海量的半導(dǎo)體禁運名單中，其中絕大部分并不是最先進的處理器，而是很多看似工藝并不先進的模擬類芯片。半導(dǎo)體作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其技術(shù)迭代直接推動國防裝備的性能躍升。從第一代硅（Si）半導(dǎo)體到第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體，再到以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，每一次材料體系的革新，都為國防軍事裝備帶來革命性變化。與前兩代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具備高飽和電子遷移速率、高擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、抗輻射等核心優(yōu)勢，完美適配高溫、高壓、高頻、大
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