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三星擬通過結(jié)構(gòu)重構(gòu)解決 HBM4E 功耗瓶頸，缺陷率降低 97%
- 在高帶寬內(nèi)存（HBM）行業(yè)，速率、堆疊層數(shù)等性能指標(biāo)向來是關(guān)注焦點，而能效正成為同等關(guān)鍵的考量因素。據(jù)韓國《韓經(jīng)日報》消息，隨著行業(yè)向 HBM4E 世代升級，三星正計劃對 HBM4 的供電網(wǎng)絡(luò)進行結(jié)構(gòu)性重新設(shè)計。報道指出，三星預(yù)計將從今年 HBM4E 量產(chǎn)開始，推出全新的供電架構(gòu)。該方案通過對芯片內(nèi)部供電網(wǎng)絡(luò)進行分割與重新布局，實現(xiàn)了供電結(jié)構(gòu)的全面重構(gòu)。供電設(shè)計正成為下一代 HBM 技術(shù)的核心瓶頸。報道援引三星相關(guān)資料稱，從 HBM4 升級至 HBM4E，供電凸點的數(shù)量將從 13682 個增加至 1445
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臺積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
- 關(guān)鍵字： 臺積電 N2 2nm 缺陷率 3nm 5nm 7nm
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