繼早前推出的100 V、35 A功率級(jí)IC（EPC23102）之后，EPC公司新推兩款新型100V功率級(jí)IC，其額定電流分別為15A(EPC23104)和25A(EPC23103)。

這三款集成電路能夠承受100 V的最大電壓和集成了GaN半橋功率級(jí)，內(nèi)含采用半橋配置的對(duì)稱FET、半橋驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、自舉充電和輸入邏輯接口。

這三款器件采用熱增強(qiáng)型QFN封裝，尺寸僅為3.5 mm x 5 mm，頂部裸露以實(shí)現(xiàn)雙面冷卻和可潤(rùn)濕側(cè)面。其封裝兼容的特性使客戶的設(shè)計(jì)得以升級(jí)，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能或更低的成本而無需修改電路板，因此易于滿足不斷變化的負(fù)載要求。

在DC/DC應(yīng)用中，這些器件可以在高開關(guān)頻率（最大3 MHz）下高效運(yùn)行，并為計(jì)算、工業(yè)和USB PD 3.1應(yīng)用的28V~60V DC/DC轉(zhuǎn)換提供更高的性能和更小的解決方案。

在用于電動(dòng)汽車、機(jī)器人、電動(dòng)工具和無人機(jī)的 32 V~48 V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中，新推的功率級(jí)IC在較小的死區(qū)時(shí)間(21ns)和100 kHz頻率下工作，從而提高系統(tǒng)效率，因?yàn)殡姍C(jī)鐵損和振動(dòng)較少，而且減少或去除電解電容器。

EPC公司首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow說：“ePower IC系列使設(shè)計(jì)人員能夠易于發(fā)揮氮化鎵技術(shù)優(yōu)勢(shì)，從而實(shí)現(xiàn)顯著性能改進(jìn)。集成式功率器件更易于設(shè)計(jì)、布局、組裝、節(jié)省PCB占板面積和提高效率。設(shè)計(jì)人員可以利用這些器件設(shè)計(jì)出更輕且精度更高的BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、效率更高的48V輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器、保真度更高的D類音頻系統(tǒng)，以及其他工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用?！?/p>

開發(fā)板

EPC90151和EPC90152半橋開發(fā)板分別采用EPC23103和EPC23104 ePower IC，以簡(jiǎn)化對(duì)EPC23103和EPC23104的評(píng)估過程。該板的尺寸為2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm),專為最高開關(guān)性能而設(shè)計(jì)，而且包含所有關(guān)鍵元件以易于對(duì)器件進(jìn)行評(píng)估。

有興趣用GaN解決方案替換其硅MOSFET的設(shè)計(jì)人員可使用EPC GaN Power Bench的交叉參考工具，根據(jù)您所需的特定工作條件，我們會(huì)推薦合適的替代方案。