碳化硅文章最新資訊

博世推出第三代碳化硅芯片，提升電動汽車能效、延長續(xù)航里程

博世已正式推出面向電動汽車的第三代碳化硅（SiC）芯片，并向全球汽車制造商提供樣片。這些芯片有助于提升電動汽車效率并增加續(xù)航里程。博世集團董事會成員、博世智能出行集團主席Markus Heyn表示，碳化硅半導體可精準控制能量流向，并實現(xiàn)效能最大化，新一代碳化硅芯片將助力客戶推出動力更強、能效更高的電動汽車。與傳統(tǒng)硅芯片相比，碳化硅半導體開關速度更快、運行效率更高，可減少能量損耗，并在電子設備中實現(xiàn)更高的功率密度。博世表示，其新一代半導體兼具技術優(yōu)勢與經(jīng)濟效益，較上一代產(chǎn)品性能提升20%，同時體積實現(xiàn)大幅縮
關鍵字：博世碳化硅電動汽車能效

不對稱結(jié)構(gòu)造就更優(yōu)異的碳化硅超結(jié)器件

通過打破傳統(tǒng)性能極限，非對稱碳化硅（SiC）超結(jié)器件顯著提升了電能轉(zhuǎn)換效率。本文作者：羅姆株式會社飯?zhí)锎筝o、白木宏明、奧山訓、森誠悟、中野雄喜在電動汽車普及與數(shù)據(jù)中心用電需求激增的推動下，全球電力消耗正快速攀升。為在增加電力供應的同時降低碳排放，各國正大力發(fā)展可再生能源系統(tǒng)。而這一進程必須與提升電能轉(zhuǎn)換效率同步推進，即便是百分之一的效率提升，也能讓發(fā)電得到更高效的利用。碳化硅器件正是現(xiàn)代化電力能源基礎設施的核心，其憑借寬禁帶、高臨界電場、優(yōu)異導熱率等本征材料優(yōu)勢，可在高溫、高壓工況下高效運行。碳化硅超結(jié)
關鍵字：不對稱結(jié)構(gòu) 碳化硅超結(jié)器件

效率飛躍：博世發(fā)布第三代碳化硅芯片

博世集團董事會成員、博世智能出行集團主席馬庫斯·海恩博士: “我們正助力客戶將動力更強、效率更高的電動汽車推向市場?！辈┦佬乱淮蓟栊酒C合性能提升20%，進一步提高了整個電驅(qū)系統(tǒng)的效率。自2021年投產(chǎn)以來，博世已在全球交付超過6000萬顆碳化硅芯片。博世正通過全面的本地研發(fā)、測試與生產(chǎn)布局，敏捷響應中國新能源汽車市場的快速發(fā)展。碳化硅（SiC）半導體是提升電動汽車效率和增加續(xù)航里程的關鍵。博世正快速推進該領域的研發(fā)：公司已正式推出第三代碳化硅芯片，并逐步開始向全球汽車制造商提供樣片。這意味著越來越多
關鍵字：博世碳化硅電動汽車

碳化硅賦能浪潮教程：利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET

碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何重構(gòu)電源設計邏輯出發(fā),剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設計、工業(yè)與服務器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應用靈活性。本文將介紹利用 SiC CJFET替代超結(jié) MOSFET以及開關電源應用。1、利用 SiC CJFET替代
關鍵字：安森美碳化硅 SiC CJFET，MOSFET

Microchip BZPACK 碳化硅功率模塊可應對 HV?H3TRB 嚴苛環(huán)境

Microchip 正式推出 BZPACK mSiC 碳化硅功率模塊，該系列產(chǎn)品專為滿足高濕、高電壓、高溫反向偏置（HV?H3TRB）標準而設計,可應對 HV?H3TRB 嚴苛環(huán)境.功率變換拓撲產(chǎn)品支持多種拓撲結(jié)構(gòu)，包括半橋、全橋、三相橋以及 PIM/CIB 拓撲配置。Microchip 強調(diào)，為滿足 HV?H3TRB 可靠性要求，該模塊可穩(wěn)定工作超過 3000 小時，遠超 1000 小時的行業(yè)標準。應用場景模塊面向工業(yè)與可再生能源領域部署，典型應用包括：可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源、重型交通、航空航天及國
關鍵字： Microchip BZPACK 碳化硅功率模塊 HV?H3TRB

碳化硅賦能浪潮教程：替代Si 和SiC MOSFET的方案

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設計邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。我們已經(jīng)介紹了碳化硅如何革新電源設計、工業(yè)與服務器電源。三種替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。本文為第三篇，將介紹SiC Cascode JFET的動態(tài)特性、SiC Combo JFET的應用靈活性。SiC CJFET: 性價比優(yōu)勢對于當前市場上任意給定的半導體封裝，CJFET 始終能
關鍵字：安森美碳化硅

思來半導體完成12英寸碳化硅激光剝離量產(chǎn)設備規(guī)?；桓?/a>

近期，思來半導體（Silai Semicon）已完成第三批兼容12 英寸碳化硅（SiC）襯底的激光剝離（LLO）量產(chǎn)設備交付。公司核心研發(fā)團隊源自華中科技大學激光科學專業(yè)，具備強勁創(chuàng)新能力與多年激光行業(yè)深厚技術積累。針對莫氏硬度達 9.5、接近鉆石的碳化硅單晶，團隊自主研發(fā)專屬激光剝離技術，先后推出 6 英寸、8 英寸、12 英寸碳化硅襯底量產(chǎn)設備。相較于行業(yè)現(xiàn)有方案，思來設備具備顯著技術差異化優(yōu)勢：業(yè)內(nèi)首創(chuàng)片上系統(tǒng)（SoC）集成光源架構(gòu)，比傳統(tǒng)多光源方案集成度更高、穩(wěn)定性更強。配備自由曲面光束整形技術

關鍵字：思來半導體 12英寸碳化硅激光剝離

碳化硅賦能浪潮教程：SiC JFET驅(qū)動工業(yè)與服務器電源革新

碳化硅（SiC）憑借其優(yōu)異的材料特性，在服務器、工業(yè)電源等關鍵領域掀起技術變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件，從碳化硅如何重構(gòu)電源設計邏輯出發(fā)，剖析其在工業(yè)與服務器電源場景的應用價值。本文為第一部分，將重點介紹碳化硅如何革新電源設計、工業(yè)與服務器電源。碳化硅如何革新電源設計工業(yè)電源設備，本質(zhì)上就像一座本地化的電力精煉廠。試想這樣一個場景：如果原油通過管道直接輸送給每位終端用戶，所有精煉工序都在用戶端完成——那么消費者使用的燃油車輛、農(nóng)用機械或發(fā)電機（尤其是備用電源）能否實現(xiàn)高
關鍵字：安森美碳化硅服務器電源

Microchip推出全新BZPACK mSiC?功率模塊，專為惡劣環(huán)境下高要求應用而設計

Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出BZPACK mSiC?功率模塊，專為滿足嚴苛的高濕、高電壓、高溫反偏（HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK模塊可提供卓越可靠性、簡化生產(chǎn)流程，并為最嚴苛的功率轉(zhuǎn)換應用提供豐富的系統(tǒng)集成方案。該模塊支持多種拓撲結(jié)構(gòu)，包括半橋、全橋、三相及 PIM/CIB 配置，為設計人員提供優(yōu)化性能、成本與系統(tǒng)架構(gòu)的靈活空間。BZPACK mSiC功率模塊通過測試并滿足超過1000小時標準的HV-H3TRB標準，為工業(yè)及可再生能源應用部署提供
關鍵字： Microchip 碳化硅

英飛凌碳化硅功率半導體成功應用于豐田“bZ4X”新車型

英飛凌科技股份公司近日宣布，全球最大汽車制造商豐田已在其新款車型bZ4X中采用了英飛凌的CoolSiC? MOSFET（碳化硅功率MOSFET）產(chǎn)品。這款碳化硅MOSFET集成在車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中，利用碳化硅材料低損耗、耐高溫、耐高壓的特性和優(yōu)勢，能夠有效延長電動汽車的續(xù)航里程并縮短充電時間。豐田新款bZ4X車型在車載充電器與DC/DC轉(zhuǎn)換器中采用了英飛凌CoolSiC?技術（圖片由豐田提供）英飛凌科技執(zhí)行副總裁、汽車業(yè)務首席營銷官Peter Schaefer表示：“全球最大的汽車制
關鍵字：英飛凌碳化硅功率半導體

化合物半導體襯底市場年復合增長率達 14%

2031 年，化合物半導體襯底與開放式外延片市場規(guī)模合計預計將接近 52 億美元，年復合增長率約為 14%。汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發(fā)展，射頻領域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導，磷化銦（InP）助力光子學技術加速發(fā)展，發(fā)光二極管（LED）與微發(fā)光二極管（MicroLED）則依托氮化鎵、砷化鎵、藍寶石及硅基平臺發(fā)展。化合物半導體供應鏈正圍繞頭部企業(yè)整合：碳化硅晶圓領域有沃爾夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件領域為英飛凌科技（Infineon Tec
關鍵字：化合物半導體襯底年復合增長率碳化硅 SiC

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現(xiàn)電動汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
關鍵字：英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創(chuàng)新應對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
關鍵字：英飛凌碳化硅 MOSFET

散熱難題終結(jié)者！細數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢

電動汽車 (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領域電氣化進程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個長期存在的難題：功率密度的提升與系統(tǒng)尺寸的縮減往往會造成嚴重的散熱瓶頸。這是當下電源系統(tǒng)設計人員面臨的核心挑戰(zhàn)，高效的散熱管理已成為一大設計難關。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術的應用落地，但散熱設計卻時常成為掣肘 SiC 性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
關鍵字：安森美散熱碳化硅 T2PAK封裝

安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時代高效能源變革

安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領先的Si和SiC技術，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級的精準電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達，共推下一代AI數(shù)據(jù)中心加速向800V直流供電方案轉(zhuǎn)型，這種技術能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴展、可實際落地的設計滿足現(xiàn)代AI基礎設施嚴苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場經(jīng)理Brandon Beck
關鍵字：安森美碳化硅 AI

共291條 1/20 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

碳化硅介紹

碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。制造由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。發(fā)現(xiàn) 愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。性質(zhì) 碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]