Microchip 正式推出 BZPACK mSiC 碳化硅功率模塊，該系列產(chǎn)品專為滿足高濕、高電壓、高溫反向偏置（HV?H3TRB） 標準而設計,可應對 HV?H3TRB 嚴苛環(huán)境.

功率變換拓撲

產(chǎn)品支持多種拓撲結構，包括半橋、全橋、三相橋以及 PIM/CIB 拓撲配置。

Microchip 強調(diào)，為滿足 HV?H3TRB 可靠性要求，該模塊可穩(wěn)定工作超過 3000 小時，遠超 1000 小時的行業(yè)標準。

應用場景

模塊面向工業(yè)與可再生能源領域部署，典型應用包括：可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源、重型交通、航空航天及國防裝備。

BZPACK mSiC 核心特性

• 采用相比漏電起痕指數(shù)（CTI）600V封裝外殼

• 全溫范圍內(nèi)導通電阻      Rds(on) 性能穩(wěn)定

• 可選用氧化鋁（Al?O?） 或氮化鋁（AlN） 基板，實現(xiàn)最優(yōu)散熱性能

官方評述

Microchip 大功率解決方案事業(yè)部副總裁 Clayton Pillion 表示：

“BZPACK mSiC 功率模塊的推出，進一步彰顯了 Microchip 致力于為最嚴苛的功率變換環(huán)境提供高可靠性、高性能解決方案的承諾。”

目前，BZPACK mSiC 功率模塊已實現(xiàn)量產(chǎn)供貨。