據(jù)相關(guān)報道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。

近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應用范圍從傳統(tǒng)的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領(lǐng)域仍占據(jù)主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務(wù)器中的表現(xiàn)也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術(shù)，展現(xiàn)出廣闊的應用前景。

歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這不僅降低了開發(fā)難度，還提升了開發(fā)效率，有助于壓縮系統(tǒng)成本。在AI服務(wù)器中，GaN憑借其極高的開關(guān)速度，能夠有效應對AI模型運算中的電壓波動，成為供電方案中的關(guān)鍵材料。

當前，AI服務(wù)器的設(shè)計趨勢是將運算與供電模塊分離，同時追求更小的功率半導體體積和更高的功率密度。寬能隙半導體的使用量因此大幅增加，而GaN憑借其技術(shù)優(yōu)勢，預計將在未來AI服務(wù)器供電領(lǐng)域占據(jù)重要地位。

包括英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、羅姆（Rohm）和德州儀器（TI）等在內(nèi)的功率半導體整合元件制造商（IDM），以及Power Integrations等IC設(shè)計企業(yè)，均已為GaN技術(shù)與量產(chǎn)做好準備。業(yè)內(nèi)人士表示，GaN的技術(shù)突破已成為搶占AI服務(wù)器市場的重要因素。