在芯片失效分析領(lǐng)域，EOS（電過應(yīng)力）是一種常見的失效模式。傳統(tǒng)的EOS失效通常表現(xiàn)為電壓或電流輸入引腳的明顯燒毀痕跡，然而近期我們遇到很多特殊的案例（開蓋觀察可能的EOS引入引腳在電性測試并未檢測出來）。這種非典型的失效模式為我們理解EOS的傳播機制和失效路徑提供了新的視角。

典型案例：

某DC-DC芯片失效，Vin輸入未見明顯短路，但芯片輸出電壓異常。

IV測試：VIN-VCC、VIN-SW、VCC-RTN異常，其中VCC-RTN短路，VIN-VCC開路；VCC-RTN阻抗下降但未見明顯短路。

注：紅色為失效芯片，藍色為正常芯片對比。

聲掃(SAT)：失效芯片VIN管腳處有疑似燒毀點！

開蓋檢測(Decap)：嚯！開蓋一看，果然！VIN打線附近有明顯的Burn Mark。

        但是為什么VIN-RTN未短路，VCC-RTN短路呢？——通過進一步放大觀察可知，VIN相關(guān)的部分metal走線燒斷（詳見紅箭頭處），因此推斷VIN擊穿短路后產(chǎn)生了大電流，導(dǎo)致金屬metal燒毀，同時大電流沿著內(nèi)部金屬連線傳播至相對脆弱的區(qū)域（詳見綠箭頭示意），最后在VCC-RTN路徑形成熱點燒毀，導(dǎo)致短路。

         芯片燒毀路徑分析：VIN和VCC之間有一個VCC regulator，詳見規(guī)格書描述，這個regulator直連VIN，因此推斷VIN引入EOS后過流致使VIN到這個regulator的metal燒斷路（詳見下圖紅X位置），同時過流導(dǎo)致VCC regulator燒毀，最終始VCC-RTN呈現(xiàn)短路的現(xiàn)象，短路路徑為VCC-VCC regulator-RTN。