美國政府正式宣布將中國臺(tái)灣對美出口稅率降至15%，相比之前的約20%稅率進(jìn)一步降低，但是包括臺(tái)積電在內(nèi)的臺(tái)灣半導(dǎo)體與科技企業(yè)需要至少對美國直接投資2500億美元，中國臺(tái)灣省還要提供2500億美元信用保證支持，以支持臺(tái)企對美國的投資。

中國臺(tái)灣省經(jīng)貿(mào)工作小組代表鄭麗君表示，由于中國臺(tái)灣是美國第六大貿(mào)易逆差地區(qū)，逆差中有高達(dá)90%來自半導(dǎo)體、信息通信產(chǎn)品、電子零組件等，涉及美方232條款調(diào)查，因此中國臺(tái)灣在談判中聚焦對等關(guān)稅并同232關(guān)稅與美國貿(mào)易代表署及商務(wù)部進(jìn)行多輪磋商。

這其中就包括，在中國臺(tái)灣業(yè)者自主投資規(guī)劃下，同意以兩類性質(zhì)不同的資本承諾投資美國：第一類為中國臺(tái)灣企業(yè)自主投資2500億美元，包含投資半導(dǎo)體、AI應(yīng)用等電子制造服務(wù)（EMS）、能源及其他產(chǎn)業(yè)等；第二類為中國臺(tái)灣政府以信用保證方式支持金融機(jī)構(gòu)提供最高2500億美元之企業(yè)授信額度，投資領(lǐng)域包含半導(dǎo)體及ICT供應(yīng)鏈等。

美國商務(wù)部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）進(jìn)一步指出，在特朗普總統(tǒng)任內(nèi)，目標(biāo)是將中國臺(tái)灣整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈產(chǎn)能的40%轉(zhuǎn)移至美國。而早在2025年9月，盧特尼克就提到，他將持續(xù)對中國臺(tái)灣游說芯片制造“五五分”的構(gòu)想，也就是美國和中國臺(tái)灣各生產(chǎn)一半。

臺(tái)積電繼續(xù)加碼投資

臺(tái)積電公布2026年資本支出計(jì)劃最高將達(dá)560億美元，較2025年實(shí)際支出409億美元大幅增長37%，創(chuàng)下該公司歷史新高。顯然，巨額資本支出的一大部分可能將投向美國。在此之前，盧特尼克曾透露，臺(tái)積電在美國的投資將超過2000億美元，而之前已經(jīng)宣布的投資則是1650億美元，計(jì)劃在亞利桑那州擴(kuò)展為獨(dú)立的超大晶圓廠聚落 —— 建置6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠及1間研發(fā)中心。

臺(tái)積電在亞利桑那州已購入第二塊900英畝土地，這也正是與中國臺(tái)灣關(guān)稅協(xié)議的一部分。臺(tái)積電第一塊土地約1100英畝，僅靠此地不足以支撐全部規(guī)劃，原計(jì)劃中的一些設(shè)施將改建在這第二塊土地上，其余部分“用于未來的靈活性”。

目前，臺(tái)積電已加速美國亞利桑那州晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，并順利執(zhí)行了相關(guān)計(jì)劃，首座晶圓廠已于2024年第四季成功進(jìn)入高量產(chǎn)階段；第二座晶圓廠建造已完成，設(shè)備搬遷與安裝計(jì)劃于2026年進(jìn)行。為應(yīng)對客戶強(qiáng)勁需求，加速提前生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將于2027年下半年進(jìn)入高量產(chǎn)階段；至于第三座晶圓廠已開工建造，臺(tái)積電也正申請第四座晶圓廠及首座先進(jìn)封裝廠的建造許可。

至于中國臺(tái)灣為何愿意對美國做出如此巨大的投資承諾，盧特尼克表示，中國臺(tái)灣希望維持與美國非常正面的關(guān)系。他也重申半導(dǎo)體產(chǎn)能關(guān)乎美國的安全，美國需要在本土生產(chǎn)半導(dǎo)體，不能依賴一個(gè)距離美國9000英里的地區(qū)來提供對美國國家安全至關(guān)重要的產(chǎn)品。

在關(guān)稅優(yōu)惠背景下，臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭強(qiáng)調(diào)，“即便臺(tái)積電產(chǎn)能加速移轉(zhuǎn)，最尖端技術(shù)從中國臺(tái)灣移往海外量產(chǎn)仍需至少一年以上時(shí)間”。在先進(jìn)工藝產(chǎn)能分配上（以先進(jìn)工藝5nm以下估算），預(yù)計(jì)至2030年，臺(tái)灣先進(jìn)工藝產(chǎn)能占比仍達(dá)約85%，美國約15%，顯示臺(tái)灣仍是主導(dǎo)地位，美國則為AI應(yīng)用的重要國家。

推動(dòng)存儲(chǔ)芯片制造商在美投資

在與中國臺(tái)灣達(dá)成關(guān)稅協(xié)議之后，盧特尼克在總投資1000億美元的美光紐約州巨型晶圓廠奠基儀式上表示，與中國臺(tái)灣的貿(mào)易協(xié)議中的半導(dǎo)體關(guān)稅也可能影響韓國芯片制造商，警告稱包括存儲(chǔ)芯片制造商如果不在美國投資，可能面臨100%半導(dǎo)體關(guān)稅，“任何想制造存儲(chǔ)芯片的廠商（想要進(jìn)入美國市場）都有兩個(gè)選擇：要么支付100%的關(guān)稅，要么在美國建廠制造”。

雖然盧特尼克沒有點(diǎn)名任何具體公司，但外界認(rèn)為這主要是針對韓國和中國臺(tái)灣，因?yàn)樗鼈兪侨蜃钪饕陌雽?dǎo)體地，特別是韓國的三星電子和SK海力士這兩個(gè)全球最大的存儲(chǔ)芯片廠商。

韓國是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)國，三星和SK海力士占據(jù)了全球超過60%的存儲(chǔ)芯片市場，雖然美國存儲(chǔ)芯片大美光也有一定的市場份額，但是美光的主要產(chǎn)能也集中于美國本土之外?？梢哉f，美國對于存儲(chǔ)芯片的絕大部分的需求都依賴于進(jìn)口。更何況，目前的存儲(chǔ)芯片市場，在人工智能的旺盛需求之下，正處于嚴(yán)重缺貨和價(jià)格持續(xù)暴漲當(dāng)中。

去年8月，美國特朗普政府曾宣布將考慮對所有進(jìn)入美國的半導(dǎo)體征收100%的關(guān)稅，但后來決定推遲全面實(shí)施關(guān)稅，并與相關(guān)國家和地區(qū)進(jìn)行關(guān)稅談判，希望通過關(guān)稅換投資的策略，推動(dòng)半導(dǎo)體廠商赴美國投資建廠，從而幫助美國減少對進(jìn)口半導(dǎo)體的依賴。

對于已經(jīng)或計(jì)劃在美國投資的半導(dǎo)體廠商，美國政府也披露了半導(dǎo)體關(guān)稅豁免的條件：中國臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在建廠期間，就可以免關(guān)稅進(jìn)口相當(dāng)于建廠產(chǎn)能2.5倍的半導(dǎo)體，“這是專門為他們（臺(tái)灣）量身設(shè)計(jì)的”。舉例來說，如果中國臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在美國建設(shè)100萬片晶圓的產(chǎn)能，在施工期間就可以免關(guān)稅進(jìn)口250萬片晶圓。即便超出配額的，關(guān)稅稅率也相對較低；一旦生產(chǎn)設(shè)施建成，這一上限將降至當(dāng)前產(chǎn)能的1.5倍。

去年，韓國和美國已經(jīng)達(dá)成了一項(xiàng)貿(mào)易協(xié)議，當(dāng)時(shí)韓國政府得到了一個(gè)原則性的承諾，即不會(huì)受到比其競爭對手中國臺(tái)灣更不利的待遇。因此，上述美國針對中國臺(tái)灣企業(yè)的半導(dǎo)體豁免條款并不完全適用于韓國廠商，針對韓國廠商的豁免的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)比中國臺(tái)灣更為寬松。從目前來看，即便是按照美國對中國臺(tái)灣的豁免標(biāo)準(zhǔn)，三星和SK海力士在美國的工廠建設(shè)期間應(yīng)該能夠獲得超過其在美國建設(shè)產(chǎn)能的2.5倍的半導(dǎo)體關(guān)稅豁免。