二極管文章最新資訊

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導(dǎo)通。源極
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四川晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目（一期）預(yù)計10月底交付

據(jù)內(nèi)江高新官微消息，近日，四川晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目（一期）迎來最新進(jìn)展。相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，項目目前已完成施工進(jìn)度的35%，正在進(jìn)行6棟單體建筑的主體結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計8月底進(jìn)入裝飾裝修階段，力爭今年10月底實體完工交付。據(jù)悉，四川晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地是內(nèi)江高新區(qū)引進(jìn)的首個涵蓋芯片設(shè)計、制造、封裝及框架的IDM全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)項目，由山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司投資建設(shè)，分兩期實施。其中一期項目投資6.5億元，占地面積60余畝，將建設(shè)包括功率二極管生產(chǎn)線、功率整流橋生產(chǎn)線在內(nèi)的多
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模擬芯視界 | 級聯(lián)理想二極管：解決 48V EV 的電源難題

在上期中，我們探討了一種用于高速射頻 ADC 前端進(jìn)行窄帶信號匹配的全新方法與步驟。本期，為大家?guī)淼氖恰都壜?lián)理想二極管：解決 48V EV 的電源難題》，介紹了一種用于 48V 電動汽車冗余電源的級聯(lián)理想二極管與瞬態(tài)鉗位網(wǎng)絡(luò)的全新方案，以解決在高壓故障和嚴(yán)苛瞬態(tài)環(huán)境下，實現(xiàn)可靠 ORing 功能需要依賴昂貴且難采購的高壓器件的挑戰(zhàn)。引言除了傳統(tǒng)的 12V 網(wǎng)絡(luò)外，48V 電池子系統(tǒng)的應(yīng)用日益廣泛，這導(dǎo)致 HEV/EV 電源系統(tǒng)的設(shè)計發(fā)生顯著變化。48V 系統(tǒng)可以提供更大的功率，無需大量的布線，
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什么是瞬態(tài)電壓抑制二極管？

瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）二極管保護(hù)設(shè)計用于特定電壓范圍內(nèi)工作的電子信號線和接口。超過這些限制會使敏感半導(dǎo)體面臨干擾或永久性損傷。一種常見的保護(hù)方法是這種專用二極管，通?？s寫為TVS。標(biāo)準(zhǔn)的靜電靜電保護(hù)設(shè)備設(shè)計用于高壓、低能量脈沖，持續(xù)時間僅為幾納秒。而TVS二極管則用于在持續(xù)幾毫秒的高能浪涌中分流并鎖電壓。TVS二極管與通用的靜電保護(hù)有何不同？TVS二極管作為并聯(lián)裝置，與其保護(hù)的電路并聯(lián)。在正常工作時，它呈現(xiàn)高阻抗，不會干擾系統(tǒng)。然而，在瞬態(tài)事件中，如外部浪涌或內(nèi)部開關(guān)事件，二極管會進(jìn)入雪崩擊穿。區(qū)分通用
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Boost變換器的二極管

對于Boost電路，跟Buck電路一樣都有同步與非同步。如圖6.19所示，非同步Boost是有一個開關(guān)管和一個二極管，而同步Boost是兩個開關(guān)管。圖6.19 DCM模式下Boost電路的電感的實測波形對于Boost電路，小電流場景下，有一些控制器還是非同步的Boost電路。所以會使用二極管作為電路的組成部分。分析二極管在Boost電路中的作用，首先分析在開關(guān)管導(dǎo)通和關(guān)閉時電流的路徑。如圖6.20所示，開關(guān)管關(guān)閉，電感儲存的能量給輸出電容和負(fù)載提供能量，電流路徑為圖6.20右圖虛線箭頭方向，此時二極管D1
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Bourns 全新推出可提供 ESD 保護(hù)彈性的 TVS 二極管系列，采用節(jié)省空間的 DO-214AB 封裝

2025年12月3日 - Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，推出 5.0SMDJ 系列瞬態(tài)電壓抑制 (TVS) 二極管。新系列采用節(jié)省空間的緊湊型 DO-214AB 封裝，專為行動通訊、運算及影像設(shè)備應(yīng)用提供有效的靜電放電 (ESD) 保護(hù)而設(shè)計。Bourns? 5.0SMDJ 系列包含 13 款單向型號及 8 款雙向型號。Bourns? 5.0SMDJ 系列 TVS 二極管該系列具備高效能能量吸收與箝位能力，使設(shè)計人員可在 12 V 至 30 V 的廣泛工作峰值反向電
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中國MTC實現(xiàn)了DFB光子芯片小批量出貨

11月25日，總部位于中國的MTC宣布小批量出貨其分布式反饋激光二極管（DFB）芯片，以滿足光通信市場的需求。在今年早些時候的20周年大會上，MTC強調(diào)了對半導(dǎo)體激光市場的強烈信心——包括用于光通信的光子芯片——并將化合物半導(dǎo)體光子芯片、器件和模塊列為未來二十年的關(guān)鍵戰(zhàn)略支柱。目前，MTC已構(gòu)建了從光子芯片、光學(xué)器件到光模塊的垂直集成鏈覆蓋。MTC基于其自有的LED光子芯片制造技術(shù)，通過其子公司IMTC推動其光通信芯片業(yè)務(wù)的發(fā)展。MTC計劃于2026年推出EML芯片和CW光源。MTC還透露，已向微型LED
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設(shè)計具有理想二極管的堅固電源

穩(wěn)健的電子系統(tǒng)通常配備多個不同電源，且需通過開關(guān)實現(xiàn)電源間的隔離，避免相互干擾造成損壞。多數(shù)情況下，會在電源路徑中設(shè)置多個二極管，確保各電源相互獨立。但更靈活、高效的方案是采用理想二極管。這類場景中可使用多種理想二極管：一種允許輸入電源軌的選擇不受電壓等級限制，另一種更簡單的類型則始終由電壓更高的電源為系統(tǒng)供電。各類電子系統(tǒng)都可能采用多電壓源供電。例如，電池供電設(shè)備通常設(shè)計為可使用插入式電源適配器替代主電源（電池）；通過 USB 為主電源額外配備壁插式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器供電，也是常見設(shè)計。擁有多個電源不
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使用變?nèi)荻O管進(jìn)行 FM 信號生成

學(xué)習(xí)如何利用變?nèi)荻O管的可變電容，與 LC 諧振電路一起驅(qū)動壓控振蕩器（VCO），以產(chǎn)生調(diào)頻波形。在上一篇文章中，我們考察了一種利用 BJT 的集電極-基極結(jié)電容的阻抗調(diào)制器。?該電路的核心思想是集電極-基極結(jié)反向偏置，其相關(guān)電容隨結(jié)間偏置電壓的變化而變化。沿著同樣的思路，任何半導(dǎo)體二極管在反向偏置電壓變化時都會表現(xiàn)出一些電容變化。在本文中，我們將使用變?nèi)荻O管來構(gòu)建一個可調(diào)諧振蕩器，用于調(diào)頻信號生成。?基于變?nèi)荻O管的調(diào)制器變?nèi)荻O管是專門設(shè)計用于提供最寬和最線性電容變化的半導(dǎo)體二極
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詳解常用基礎(chǔ)電路保護(hù)器件

作為一名電子工程師，對于電路不說必須要非常精通，但至少能夠看得懂電路，知道電路保護(hù)器件的作用，在客戶提出防護(hù)需求時，及時給出有效且具有實施性的整改意見。電路保護(hù)元器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，只要有電的地方就有安裝電路保護(hù)元器件的必要，如各類家用電器、家庭視聽及數(shù)碼產(chǎn)品、個人護(hù)理等消費類電子產(chǎn)品、計算機及其周邊、手機及其周邊、照明、醫(yī)療電子、汽車電子、電力、工業(yè)設(shè)備等，涵蓋人們生產(chǎn)生活的方方面面。電路保護(hù)主要有兩種形式：過壓保護(hù)和過流保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)器件是實現(xiàn)高效、可靠電路保護(hù)設(shè)計的關(guān)鍵，涉及到電路保護(hù)器件的
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理解并緩解InGaAs雪崩光電二極管（APDs）的溫度效應(yīng)

InGaAs（銦鎵砷）雪崩光電二極管（APD）是一種利用InGaAs半導(dǎo)體材料特性的光電探測器，主要用于檢測紅外光譜中的光信號。APD通過一種稱為雪崩倍增的內(nèi)部增益機制將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，從而放大微弱的光信號。這使得它們具有高靈敏度，適用于需要檢測低光強的場合。InGaAs APD由多層結(jié)構(gòu)組成（見圖1），通常包括一個InGaAs吸收層和一個由不同材料（如AlGaAsSb）制成的倍增層，該材料與InP襯底晶格匹配。吸收層是光子被吸收并產(chǎn)生電子-空穴對的地方。InGaAs APD的工藝結(jié)構(gòu)圖1. InGa
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CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝

CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)中，該二極管可實現(xiàn)更高的效率和設(shè)計簡化。此外，由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產(chǎn)品完美匹配。產(chǎn)品型號：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產(chǎn)品特點■ 無
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通過多種方式改進(jìn)電梯和自動扶梯設(shè)計

新技術(shù)在各種場景中廣泛應(yīng)用，包括我們所有人用來到達(dá)商業(yè)大樓、購物中心、公寓大樓和公寓樓層的電梯和自動扶梯。據(jù)估計，全球有近 2000 萬臺電梯和自動扶梯在運行，安裝數(shù)量還在大幅增加。2021 年，新安裝數(shù)量超過 100 萬臺。市場驅(qū)動因素包括城市人口的增長，這就需要更多的公寓樓和辦公樓，其他驅(qū)動因素包括增加智能傳感和無線連接，以減少意外停機時間，提高用戶便利性。降低功耗的需求迫使我們不斷創(chuàng)新。經(jīng)過改進(jìn)的新型電機驅(qū)動器和電子設(shè)備可以顯著降低能耗和成本。例如，LED 照明可減少電梯照明所需的電力，而占用傳感器
關(guān)鍵字： 202503 電梯設(shè)計設(shè)計應(yīng)用二極管 Littelfuse

肖特基二極管是如何工作的

以下是關(guān)于肖特基二極管的一切知識。了解肖特基二極管在射頻電路、發(fā)電機和電機驅(qū)動器中的工作原理，以及它們的低正向電壓降和快速開關(guān)速度。與其他二極管一樣，肖特基二極管控制電路中電流的流向。這些器件在電子世界中就像單行道，只允許電流從陽極流向陰極。然而，與標(biāo)準(zhǔn)二極管不同，肖特基二極管以其低正向電壓和快速開關(guān)能力而聞名。這使得它們成為射頻應(yīng)用以及任何低電壓需求設(shè)備的理想選擇。肖特基二極管有多種用途，包括：1. 電源整流：由于低正向電壓降，肖特基二極管可用于高功率應(yīng)用。這些二極管會浪費更少的功率，并且可能減小散熱器
關(guān)鍵字：二極管無源器件

單相整流

整流是通過固態(tài)半導(dǎo)體器件將交流電源連接到直流負(fù)載的過程。整流通過二極管、晶閘管、晶體管或轉(zhuǎn)換器將振蕩的正弦交流電壓源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電壓供應(yīng)。這一整流過程可以采取多種形式，包括半波、全波、不可控和全控整流器，將單相或三相電源轉(zhuǎn)換為恒定的直流電平。在本教程中，我們將探討單相整流及其所有形式。整流器是交流電源轉(zhuǎn)換的基本構(gòu)建模塊之一，半波或全波整流通常由半導(dǎo)體二極管執(zhí)行。二極管允許交流電流在正向流動，同時阻止反向電流流動，從而產(chǎn)生固定的直流電壓電平，使其成為理想的整流器件。然而，通過二極管整流的直流電并不像從電
關(guān)鍵字：單相整流，二極管，晶閘管，晶體管，轉(zhuǎn)換器，整流器

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二極管介紹

　　二極管（diode）又叫兩極管，整流的半導(dǎo)體; 只往一個方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個PN接合的2個端子的器件，具有按照外加電壓的方向，使電流流動或不流動的性質(zhì)。二極管的特性與應(yīng)用　　幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。　　二極管的應(yīng)用　　1、整流二極管　　利用二極管單向 [ 查看詳細(xì) ]