年復(fù)合增長率 文章 最新資訊
化合物半導(dǎo)體襯底市場年復(fù)合增長率達(dá) 14%
- 2031 年，化合物半導(dǎo)體襯底與開放式外延片市場規(guī)模合計預(yù)計將接近 52 億美元，年復(fù)合增長率約為 14%。汽車電動化推動碳化硅（SiC）襯底市場發(fā)展，射頻領(lǐng)域仍由砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）主導(dǎo)，磷化銦（InP）助力光子學(xué)技術(shù)加速發(fā)展，發(fā)光二極管（LED）與微發(fā)光二極管（MicroLED）則依托氮化鎵、砷化鎵、藍(lán)寶石及硅基平臺發(fā)展?；衔锇雽?dǎo)體供應(yīng)鏈正圍繞頭部企業(yè)整合：碳化硅晶圓領(lǐng)域有沃爾夫速（Wolfspeed）、相干公司（Coherent），功率器件領(lǐng)域為英飛凌科技（Infineon Tec
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年復(fù)合增長率介紹
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