英飛凌文章最新資訊

中國GaN半導體巨頭專利侵權案ITC作出終裁

美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其于2025年12月作出的初步裁定，確認英諾賽科（Innoscience）侵犯了英飛凌的一項氮化鎵（GaN）技術專利，并下令對英諾賽科實施進口和銷售禁令。不過，ITC委員會的最終裁決及其頒布的相關禁令，仍需經過為期60天的美國總統審查期后才能生效。而作為對終裁的回應，英諾賽科宣布，ITC在第337?TA?1414號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的GaN功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續(xù)在美國進口和銷售。原文如下：ITC全體委員一致同意英
關鍵字： GaN 氮化鎵功率器件英諾賽科 Innoscience 英飛凌

美國國際貿易委員會裁定英飛凌勝訴，并對英諾賽科實施進口及銷售禁令

· 美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會在針對英諾賽科的專利侵權案中做出裁決，裁定英飛凌勝訴· ITC下令對英諾賽科在美國銷售的氮化鎵產品實施進口及銷售禁令· 此項裁決再次凸顯了英飛凌行業(yè)領先專利組合的價值【2026年5月8日，德國慕尼黑訊】美國國際貿易委員會（ITC
關鍵字： ITC 英飛凌英諾賽科

如何應用英飛凌新一代G2 CoolSiC? MOSFET 提升系統效率

CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列產品是英飛凌最新推出的SiC MOSFET 產品，均采用了擴散焊工藝（.XT）來降低結殼熱阻。TO247封裝器件的導通電阻從7mΩ到78mΩ。產品系列如下：上表給出了G1與G2建議的替代關系。比如G1 IMZA120R040M1H同G2 IMZC120R034M2H和IMZA120R034M2H處在同一行，可以相互替換。為了兼容G1以及更大爬電的需求，推出了2種封裝，分別是IMZC和IMZA，實物圖如下：IMZC package IMZA p
關鍵字：英飛凌

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導電結構，其縱向（從漏極到源極）的層狀結構是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? MOSFET圖2. 平面柵型MOSFETN+襯底(Substrate)：高摻雜，作為漏極。N-外延層(Drift Layer)：低摻雜，用于承受高阻斷電壓。P-body區(qū)：P型阱區(qū)，通過離子注入形成。其上方是源極的N+區(qū)。柵極(Gate)：在SiO2絕緣層（柵氧）之上，用于控制溝道導通。源極
關鍵字：英飛凌 SiC MOSFET 二極管

英飛凌為法雷奧在2026北京車展展出的激光束掃描地面投影模塊提供MEMS技術

【2026年4月27日, 德國慕尼黑訊】全球半導體和傳感器解決方案領域的領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車照明領導者法雷奧正在合作推出集成激光束掃描（LBS）技術的短距離地面投影模塊。雙方的首項合作創(chuàng)新成果將在中國北京舉辦的2026北京國際汽車展覽會法雷奧展臺（B2館B2D01展位）上亮相。英飛凌2D MEMS鏡片及其控制器為法雷奧的高分辨率地面投影模塊提供支持，助力實現超高的亮度、對比度和分辨率想要地面投影在日間清晰可見，就必
關鍵字：英飛凌法雷奧激光束投影模塊 MEMS

英飛凌加入歐洲量子芯片試點線

歐洲正采取更結構化的方法將量子研究轉化為可大規(guī)模制造的硬件，英飛凌將自己定位為推動這一轉型的工業(yè)參與者之一。公司表示，將為三個聚焦量子芯片的歐洲試點線項目貢獻工程和半導體制造專業(yè)知識。這一公告很有用，因為它表明歐洲正努力在量子硬件領域建立實際實力，而不僅僅是在學術研究領域。它還展示了成熟的半導體制造技術如何成為未來量子器件擴展的關鍵組成部分。從實驗室原型到可制造的量子芯片英飛凌參與了歐洲六個入選的量子試點線項目中的三個：CHAMP-ION、SUPREME 和 SPINS。這些試點線的目標是通過為初創(chuàng)企業(yè)、
關鍵字：英飛凌歐洲量子芯片點線

借助平臺固件彈性防護，護航未來數據中心安全

平臺固件彈性防護（PFR）核心組成，厘清安全啟動與度量啟動二者差異服務器啟動全流程關鍵階段梳理，明確安全內存在落實美國國家標準與技術研究院 SP800-193 規(guī)范中的重要作用隨著數字時代不斷發(fā)展、人工智能規(guī)?；占案叨纫蕾嚁祿行?，這類基礎設施的安全等級要求持續(xù)攀升。針對平臺固件這一核心層級的網絡攻擊愈發(fā)頻繁、手段愈發(fā)復雜。固件承擔系統初始化、硬件配置、底層運算等核心功能，直接決定系統運行安全與穩(wěn)定性，因此固件本身的完整性、真實性至關重要。為應對各類固件安全風險，美國國家標準與技術研究院（NIST）發(fā)布
關鍵字：固件彈性防護數據中心英飛凌

AURIX? TC4x CDSP信號處理器用戶自定義軟件開發(fā)和集成詳解

引言AURIX? TC4x CDSP(Converter Digital Signal Processor)是AURIX? TC4x?的信號處理器模塊,位于ADC模塊中,主要用于ADC信號的后處理。CDSP?可以運行用戶自定義的算法和功能,高效處理ADC?信號,并把處理結果給到TriCore?。本文介紹CDSP?的用戶自定義軟件開發(fā)環(huán)境、CDSP?軟件集成到TC499PP TriCore?工程。CDSP?結構和運行機制CDSP?包括一個
關鍵字：英飛凌 AURIX CDSP信號處理器

英飛凌抗輻射半導體助力Artemis II任務成功

美國NASA的Artemis II任務已成功返回地球，此次任務不僅完成了超越地球軌道的探索，還為深空環(huán)境下的機載電子設備提供了重要的實際驗證。任務的成功凸顯了抗輻射半導體設計在太空船可靠性中的關鍵作用。全球半導體巨頭英飛凌發(fā)布報告稱，其抗輻射半導體在任務期間保持了無故障的運行狀態(tài)。這些由英飛凌IR HiRel部門開發(fā)的專用元件，成功支持了獵戶座太空艙的電源管理、系統控制和數據通信等核心功能。英飛凌IR HiRel資深副總裁Mike Mills指出，隨著太空任務愈加復雜且電氣化需求增加，半導體技術的突破已成
關鍵字：英飛凌抗輻射半導 Artemis II

SiC MOSFET的并聯設計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSFET的并聯應用的場景越來越普遍。不管是SiC MOSFET還是IGBT,并聯的目標都是實現電流的均勻分布,且消除芯片間的振蕩。為了達到這一目標,我們需要做到三點:1.并聯芯片參數盡可能一致2.功率回路、驅動回路與散熱結構布局一致3.門極驅動電路的優(yōu)化設計作為高速開關器件,SiC MOSFE
關鍵字：英飛凌 SiC MOSFET 并聯設計

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網合環(huán)運行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機遇。智算中心800V高壓直流供電系統概念的普及,和未來智能電網的電力潮流雙向流動,讓SST的商業(yè)價值獲得了前所未有的想象力。隨著AI算力向MW級機架演進,傳統數據中心供電架構已經不堪重負,難以承載極端功率密度與能效要求。智算中心正從“算力堆砌”邁入“算電協同”的關鍵階段。在這一背景下,SST
關鍵字：英飛凌溝槽柵 SiC MOSFET SST高頻高壓

功率升級，尺寸瘦身：英飛凌CoolGaN? 低壓氮化鎵晶體管與PSOC? Control C3微控制器重塑低壓電機控制

在電機控制設計中,工程師們始終面臨一個經典難題:如何在有限的空間內,實現更高的效率、更低的溫升和更優(yōu)的動態(tài)響應?傳統硅基MOSFET方案受限于開關速度與損耗,往往不得不在性能與體積之間妥協。如今,英飛凌CoolGaN?低壓氮化鎵晶體管與全新PSOC? Control C3微控制器的組合,為低壓電機控制帶來了系統級的突破——更小、更冷、更靜、更快。從器件到系統:CoolGaN?的價值飛輪與硅基MOSFET相比,CoolGaN?低壓GaN晶體管在器件層面具備顯著優(yōu)勢:更低的導通電阻(RDS(on))與輸出電荷
關鍵字：英飛凌 CoolGaN 低壓氮化鎵晶體管低壓電機控制

2025年汽車功率半導體供應商份額

TechInsights 預估，2025 年全球汽車功率半導體廠商營收同比下滑約 6.4%，降至約 132 億美元，占整個汽車半導體市場規(guī)模的 17.8% 左右。在 2025 年汽車半導體廠商份額分析中，功率器件仍為最大器件品類之一，但與處理器和存儲器不同，功率半導體走勢與整體市場趨勢相悖。這一轉變具有重要戰(zhàn)略意義，表明汽車半導體市場已不再主要由短缺時期的電氣化驅動因素主導，而傳統功率產品布局占比較高的供應商在 2025 年表現更為脆弱。英飛凌以約 24.2% 的市占率位居 2025 年汽車功率半導體市場
關鍵字：汽車功率半導體英飛凌

英飛凌一站式充電器解決方案，賦能高密度快充設計

隨著智能手機、筆記本電腦等移動設備功能日益強大，電池容量持續(xù)提升，用戶對充電器的要求也愈加嚴苛：更高功率、更小體積、更低成本、更強兼容性，已成為市場不可逆的四大趨勢。USB-C 接口的普及，更推動充電器從“專用”走向“通用”，一個充電器，即可為手機、筆記本、甚至工業(yè)設備供電，真正實現“一充多用”。在這一背景下，如何設計出既能滿足高效率、高密度要求，又能控制成本、加速上市的充電解決方案，成為系統架構師與電源設計師面臨的核心挑戰(zhàn)。市場趨勢與挑戰(zhàn)當前充電器市場主要呈現以下關鍵走向：高功率快充：設備電池越來越大，
關鍵字：英飛凌一站式充電器快充設計

英飛凌汽車業(yè)務本土化戰(zhàn)略一周年：從藍圖到實景，筑牢"產-需-生態(tài)"全鏈條優(yōu)勢

【2026年4月15日，中國上海訊】4月12日，由車百會研究院主辦的2026智能電動汽車發(fā)展高層論壇在北京舉行。英飛凌科技高級副總裁、汽車業(yè)務大中華區(qū)負責人曹彥飛應邀出席國際論壇發(fā)表演講，并在會上宣布，自2025年3月公布“與中國汽車產業(yè)同頻共振”本土化戰(zhàn)略以來，英飛凌依托“本土產品定義、本土生產、本土生態(tài)圈”三大支柱穩(wěn)步落地，已在多個關鍵領域取得實質性進展與重要里程碑，正加速將規(guī)劃轉化為行動，賦能中國汽車產業(yè)電動化與智能化轉型升級。作為全球領先的車用半導體供應商，英飛凌連續(xù)六年蟬聯全球車用半導體市場份額
關鍵字：英飛凌汽車業(yè)務本土化

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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業(yè)創(chuàng)新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]