鐵電晶體管 文章 最新資訊
北大芯片突破極限：造出迄今尺寸最小鐵電晶體管
- 2月24日消息，北京大學(xué)宣布，該校團(tuán)隊迎來芯片領(lǐng)域重大突破，成功制備出迄今尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管。相關(guān)研究成果發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》，為下一代高算力AI芯片發(fā)展奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。該團(tuán)隊創(chuàng)造性將鐵電晶體管物理柵長縮減至1納米極限，還通過納米柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計，攻克了傳統(tǒng)鐵電晶體管能耗過高、邏輯電壓不匹配的行業(yè)難題。這一技術(shù)突破打破了傳統(tǒng)鐵電晶體管的物理限制，讓鐵電材料極化狀態(tài)改變的電壓需求大幅降低，能耗較國際最好水平降低一個數(shù)量級。它不僅能為高能效數(shù)據(jù)中心提供核心器件方案，更成為提升AI芯片算力與能效的核心
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三星推崇基于鐵電晶體管設(shè)計的低功耗NAND
- 三星研究人員發(fā)布了一份詳細(xì)的NAND實驗性架構(gòu)報告，旨在將該技術(shù)最大的功耗之一減少多達(dá)96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進(jìn)技術(shù)研究院的研究人員完成，發(fā)表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）設(shè)計，結(jié)合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導(dǎo)體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構(gòu)成了96%功率降低的基礎(chǔ)。在現(xiàn)代NAND中，每當(dāng)讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數(shù)增加，開銷也隨之增加，由于層
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【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路
- _____隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統(tǒng)的計算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院聯(lián)合舉辦了一場學(xué)術(shù)交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團(tuán)隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成
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鐵電晶體管介紹
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