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硅質(zhì)原材料價(jià)格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)

截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場(chǎng)正處于價(jià)值重新評(píng)估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價(jià)格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價(jià)格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導(dǎo)熱率使其成為英偉達(dá)Rubin平臺(tái)和臺(tái)積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預(yù)示著由高性能計(jì)算應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的高價(jià)值增長(zhǎng)第二波浪潮。硅基價(jià)格趨勢(shì)：原材料上漲壓力，高端基材價(jià)格大幅降幅SiC市場(chǎng)在定價(jià)動(dòng)態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價(jià)格——如黑色和綠色SiC粉末及顆?！恢痹谏蠞q。根據(jù)包括CIP
關(guān)鍵字：硅質(zhì)原材料 6英寸 SiC

11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。據(jù)晶盛機(jī)電介紹，公司自2017年開始碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，相繼成功開發(fā)6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。目前，公司已建設(shè)了6-8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光中試線，6英寸襯底片已通過多家下游企業(yè)驗(yàn)證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片處于小批量試制階段。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體代表
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近日，電科材料6英寸碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化工作取得重大進(jìn)展，6英寸中高壓碳化硅外延片月產(chǎn)能力實(shí)現(xiàn)大幅提升。碳化硅外延片，指在碳化硅襯底上生長(zhǎng)了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜的碳化硅片，是用于制造高性能半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵材料。電科材料持續(xù)布局第三代半導(dǎo)體外延材料研發(fā)生產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)一系列技術(shù)突破，在碳化硅外延領(lǐng)域，完成6英寸3300V碳化硅外延材料研發(fā)。同時(shí)，積極與國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商合作開發(fā)生產(chǎn)裝備，推動(dòng)碳化硅核心裝備國(guó)產(chǎn)化。未來(lái)，電科材料將持續(xù)創(chuàng)新突破，推出更多高端碳化硅材料產(chǎn)品。
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全球存儲(chǔ)芯片龍頭韓國(guó)將關(guān)閉6寸廠產(chǎn)線，業(yè)界解讀，三星正檢視產(chǎn)線狀況以因應(yīng)全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境不振沖擊，有可能下一步將調(diào)整8寸廠甚至12寸廠產(chǎn)能。
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