rds(on)測(cè)量文章最新資訊

Tektronix 助力二維材料器件與芯片研究與創(chuàng)新

?二維材料憑借其原子級(jí)厚度、無(wú)懸掛鍵的表面以及優(yōu)異的電學(xué)和光電特性，正成為延續(xù)和超越摩爾定律的核心候選材料。其最新發(fā)展趨勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1)?面向“More Moore”的極致尺寸微縮與新架構(gòu)（CFET/MCT）：在亞2納米甚至1納米節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)的硅基晶體管面臨嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)和遷移率退化。二維半導(dǎo)體（如MoS2、WSe2等）由于即使在原子級(jí)厚度下仍能保持良好的靜電控制和高遷移率，被視為理想的溝道材料。器件架構(gòu)正向多通道晶體管（MCTs）、環(huán)柵（GAA）結(jié)構(gòu)以及互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
關(guān)鍵字： ektronix 二維材料器件測(cè)量

電源“免疫力”決定芯片穩(wěn)定性：PSRR測(cè)試為何越來(lái)越關(guān)鍵

隨著芯片制程持續(xù)微縮、工作電壓不斷降低，以及算力需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性正在成為影響電子系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵因素。電源軌上微小的紋波噪聲，可能導(dǎo)致精密AI算法產(chǎn)生偏差，甚至引發(fā)汽車(chē)電子系統(tǒng)的誤判。如何量化評(píng)估電源系統(tǒng)抵御干擾的能力，已成為工程師在設(shè)計(jì)和驗(yàn)證電源管理方案時(shí)必須面對(duì)的問(wèn)題。在眾多電源性能指標(biāo)中，電源抑制比（Power Supply Rejection Ratio，PSRR）正逐漸成為衡量電源系統(tǒng)抗干擾能力的重要參數(shù)。從消費(fèi)電子到汽車(chē)電子，再到人工智能計(jì)算系統(tǒng)，PSRR已成為工程師在進(jìn)行電
關(guān)鍵字： PSRR 電源測(cè)量泰克

了解測(cè)量電池電壓的挑戰(zhàn)

了解電池單體電壓，對(duì)于保障電池健康狀態(tài)、荷電狀態(tài)（SOC）、安全性和性能至關(guān)重要。在電池使用過(guò)程中監(jiān)測(cè)電壓，有助于識(shí)別老化、充放電不當(dāng)或內(nèi)部故障等問(wèn)題。測(cè)試階段，精準(zhǔn)的電壓測(cè)量是評(píng)估電池在負(fù)載下、充放電循環(huán)中及不同環(huán)境條件下響應(yīng)特性的關(guān)鍵。這些數(shù)據(jù)能幫助發(fā)現(xiàn)容量衰減、單體失衡，或是熱失控等潛在安全風(fēng)險(xiǎn)。不準(zhǔn)確的電壓讀數(shù)會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)試結(jié)果，可能掩蓋電池缺陷，或造成電池特性誤判、分級(jí)不當(dāng)。高質(zhì)量電壓測(cè)量的重要性下面將分析影響電壓測(cè)量質(zhì)量的因素，以及這些測(cè)量誤差如何影響測(cè)試結(jié)果的可靠性。測(cè)量電池自放電效應(yīng)時(shí)，
關(guān)鍵字：測(cè)量電池電壓電壓測(cè)量 202512

無(wú)需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)

_____動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測(cè)量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對(duì)較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量技術(shù)依賴(lài)于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測(cè)量漏源電壓，而不會(huì)使示波器輸入過(guò)載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測(cè)試（WBG-DPT）測(cè)量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨(dú)特的雙探頭技術(shù)，無(wú)需使用鉗位電路。測(cè)量動(dòng)態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動(dòng)態(tài)RDS(on)是指FET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中導(dǎo)通時(shí)，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
關(guān)鍵字：動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 RDS(on)測(cè)量泰克 GaN Tektronix

AI 將如何改變測(cè)試和測(cè)量

人工智能（AI）有可能改變產(chǎn)品生命周期的每個(gè)階段，從設(shè)計(jì)和制造到運(yùn)營(yíng)和維護(hù)。雖然這種說(shuō)法似乎很明顯，但測(cè)試和測(cè)量產(chǎn)品和流程的確切情況仍然成為焦點(diǎn)（圖 1）。正如在測(cè)試和測(cè)量這樣一個(gè)眾所周知的保守行業(yè)中所預(yù)料的那樣，迄今為止，AI 主要用于適度的、漸進(jìn)的改進(jìn)。解析文檔以幫助用戶(hù)設(shè)置和作產(chǎn)品的工具顯然是一個(gè)起點(diǎn)。更進(jìn)一步，一些產(chǎn)品現(xiàn)在提供基于 AI 的功能，例如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，或針對(duì)特定參數(shù)的基于 AI 的優(yōu)化。對(duì)于管理大型數(shù)據(jù)集的科學(xué)家和工程師來(lái)說(shuō)，用于后處理、檢測(cè)異常、跟蹤趨勢(shì)和指導(dǎo)決策的軟件工具非常強(qiáng)大，
關(guān)鍵字： AI 測(cè)試測(cè)量儀器

用于活動(dòng)跟蹤和高g沖擊測(cè)量的傳感器

意法半導(dǎo)體（ST）推出了一款傳感器，該傳感器將慣性測(cè)量單元（IMU）與嵌入式人工智能相結(jié)合，并針對(duì)活動(dòng)跟蹤和高沖擊測(cè)量進(jìn)行了優(yōu)化。LSM6DSV320X 傳感器是行業(yè)首創(chuàng)的常規(guī)尺寸模塊，尺寸為 3 x 2.5 mm，內(nèi)置 AI 處理功能，可連續(xù)記錄運(yùn)動(dòng)和沖擊。創(chuàng)新的雙加速度計(jì)設(shè)備可確保高達(dá) 16 克的活動(dòng)跟蹤和高達(dá) 320 克的沖擊檢測(cè)的高精度。這兩個(gè)加速度計(jì)采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的先進(jìn)技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)共存和最佳性能。其中一款加速度計(jì)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在活動(dòng)跟蹤中實(shí)現(xiàn)最佳分辨率，最大范圍為 ±16g。另一個(gè)加速度計(jì)可
關(guān)鍵字：活動(dòng)跟蹤高g沖擊測(cè)量傳感器 ST IMU LSM6DSV320X

微納電容測(cè)量挑戰(zhàn)：如何精準(zhǔn)測(cè)量fF級(jí)超低電容？

典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計(jì)補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y(cè)量技術(shù)來(lái)測(cè)量這些值，然而，一些應(yīng)用需要在飛秒法（fF）或1e-15范圍內(nèi)進(jìn)行非常靈敏的電容測(cè)量。這些應(yīng)用包括測(cè)量金屬到金屬的電容，晶片上的互連電容，MEMS器件，如：開(kāi)關(guān)，納米器件端子之間的電容。如果沒(méi)有使用適當(dāng)?shù)膬x器和測(cè)量技術(shù)，這些非常小的電容很難進(jìn)行測(cè)量。使用4200A-SCS參數(shù)分析儀配備的4215-CVU（CVU），用戶(hù)能夠測(cè)量大范圍的電容，<1pF非常低的電容值也能測(cè)到。CVU采用獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)，并由
關(guān)鍵字：電容測(cè)量

發(fā)光二極管的限流電阻如何取值

發(fā)光二極管主要部分也是一個(gè)PN結(jié)，但是發(fā)光二極管導(dǎo)通后，其壓降一般都是2V左右，有的發(fā)光二極管的壓降可以達(dá)到3V。一般的普通二極管壓降也就0.5V左右，比如肖特基二極管。發(fā)光二極管一般用作指示燈。比如電源指示燈，通信指示燈，比如串口收發(fā)數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)發(fā)光二極管閃爍，來(lái)表示正在收發(fā)數(shù)據(jù)。在電路設(shè)計(jì)中，需要串聯(lián)一個(gè)限流電阻。這個(gè)限流電阻的大小如何取值？首先我們應(yīng)該知道發(fā)光二極管的正向電壓、正向電流。某一個(gè)發(fā)光二極管的正向電壓為2.5V，正向電流為5mA，這個(gè)正向電流有個(gè)取值范圍，電流太大，可能燒毀二極管，電流太
關(guān)鍵字：發(fā)光二極管萬(wàn)用表測(cè)量電路設(shè)計(jì)

使用示波器對(duì)三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行測(cè)量

本指南將介紹如何使用泰克8通道5系列B MSO示波器的逆變器、電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器分析軟件對(duì)變頻驅(qū)動(dòng)器的輸入、直流母線和輸出進(jìn)行穩(wěn)定、準(zhǔn)確的電氣測(cè)量，以及對(duì)電機(jī)進(jìn)行機(jī)械測(cè)量。大多數(shù)現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)使用某種調(diào)制形式來(lái)控制電機(jī)頻率，從而控制電機(jī)速度。在大多數(shù)情況下，此類(lèi)變頻驅(qū)動(dòng)器 (VFD) 通過(guò)輸出精心控制的脈沖寬度調(diào)制 (PWM)波形來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。此類(lèi)系統(tǒng)通常以三相形式輸出功率，因?yàn)槿嗍请姍C(jī)的最佳配置。自電氣工程誕生以來(lái)，三相交流感應(yīng)電機(jī)(ACIM) 一直是工業(yè)領(lǐng)域的主力。它們可靠、高效、成本低且?guī)缀醪恍枰S護(hù)
關(guān)鍵字：三相電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器測(cè)量

抖動(dòng)-示波器測(cè)量的最高境界

抖動(dòng)話題是示波器測(cè)量的最高境界，也是最風(fēng)云變換的一個(gè)話題，這是因?yàn)槎秳?dòng)是示波器測(cè)量的諸多功能中最和“數(shù)學(xué)”相關(guān)的。玩數(shù)學(xué)似乎是需要一定境界的。 1，抖動(dòng)和波形余輝的關(guān)系有一種比較傳統(tǒng)的測(cè)量抖動(dòng)的方法，就是利用余輝來(lái)查看信號(hào)邊沿的變化，然后再用光標(biāo)測(cè)量變化的大小（如圖1所示）。后來(lái)高端一點(diǎn)的示波器具有“余輝直方圖”的功能，利用余輝直方圖和相關(guān)參數(shù)可以自動(dòng)測(cè)量出信號(hào)邊沿變化的余輝的變化范圍。在上個(gè)世紀(jì)90年代初示波器有了真正意義的“測(cè)量統(tǒng)計(jì)”功能之后，這個(gè)方法就逐漸被淘汰了。&n
關(guān)鍵字：抖動(dòng) 示波器測(cè)量

【對(duì)話前沿KOL】探析電子測(cè)試和測(cè)量行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)

Boen提倡采用全面的協(xié)作方法來(lái)推進(jìn)AI/ML技術(shù)，她認(rèn)為創(chuàng)新對(duì)于促進(jìn)社會(huì)進(jìn)步至關(guān)重要，可以改變我們的工作和生活方式。她的理由是，技術(shù)開(kāi)發(fā)能夠促使該行業(yè)推出新的市場(chǎng)解決方案。泰克戰(zhàn)略技術(shù)和先進(jìn)集成電路 (AICS) 總監(jiān)Sarah Boen與Electronic Specifier對(duì)話，以下內(nèi)容為本文對(duì)話要點(diǎn)。測(cè)試和測(cè)量行業(yè)在過(guò)去十年中取得了巨大發(fā)展，目前有哪些關(guān)鍵變化正在改變行業(yè)格局？過(guò)去二十年，我有幸在測(cè)試和測(cè)量行業(yè)工作，我想說(shuō)，該行業(yè)當(dāng)前充滿了巨大且振奮人心的變化。測(cè)試和測(cè)量行業(yè)過(guò)去提供通用解決方案
關(guān)鍵字：電子測(cè)試測(cè)量泰克

MV.C機(jī)器視覺(jué)高光譜成像系統(tǒng)及其應(yīng)用

高光譜成像技術(shù)是近些年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的、一種全新的影像分析檢測(cè)技術(shù),它是集圖像傳感器、精密光學(xué)，精密機(jī)械、計(jì)算機(jī)信息處理技術(shù)于一體的綜合性技術(shù)。在高光譜數(shù)據(jù)采集過(guò)程中,成像光譜儀以納米級(jí)的光譜分辨率,以幾十或幾百個(gè)波段對(duì)檢測(cè)目標(biāo)成像,形成海量數(shù)據(jù)的數(shù)字影像集（也稱(chēng)數(shù)據(jù)立方體Data Cube），實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)的光譜信息、空間信息及輻射信息的同步獲取,因而在目標(biāo)檢測(cè)和目標(biāo)識(shí)別領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用價(jià)值和廣闊的發(fā)展前景。高光譜成像相比傳統(tǒng)的影像技術(shù)有以下的優(yōu)點(diǎn)在相應(yīng)的光譜范圍內(nèi)，具有上百個(gè)光譜通道的影像數(shù)據(jù)，影像上每
關(guān)鍵字： MV.C機(jī)器視覺(jué) 檢測(cè) 測(cè)量

使用一種高度集成的 ToF 位置傳感器進(jìn)行精確的距離測(cè)量

引言在許多應(yīng)用中，無(wú)法通過(guò)實(shí)際接觸來(lái)測(cè)量與目標(biāo)之間的距離。典型示例包括測(cè)量物流中心的傳送帶上是否存在物體，確保與運(yùn)動(dòng)中的機(jī)械臂保持安全距離，確定倉(cāng)庫(kù) 中人員或機(jī)器人相對(duì)于資產(chǎn)的位置。飛行時(shí)間 (ToF) 位置傳感器有助于利用光線到達(dá)物體及返回所需的時(shí)間來(lái) 測(cè)量距離。OPT3101 是高速、高分辨率 AFE 的一個(gè) 典型示例，適用于完全集成且基于 ToF 的連續(xù)波位置傳感器。該傳感器可在 15m 不模糊的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn) 16 位距離輸出。有關(guān) OPT3101 的更多信息，請(qǐng)參
關(guān)鍵字： ToF 位置傳感器測(cè)量

如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個(gè)好方法！

SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來(lái)最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動(dòng)裝配的便利性，同時(shí)減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，如碳化硅共源共柵結(jié)構(gòu)FET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC FET”）和SiC MOSFET的性能與其封裝密切相關(guān)。在純技術(shù)層面，納秒級(jí)的開(kāi)關(guān)速度和較低的比導(dǎo)通電阻帶來(lái)非常低的損耗；在相同的芯片
關(guān)鍵字： Qorvo RDS

Diodes 公司的高精度雙向電流顯示器能以較低的 BoM 成本達(dá)到精確測(cè)量的結(jié)果

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出一系列采用高穩(wěn)定性零點(diǎn)漂移架構(gòu)的雙向電流顯示器。這些裝置能夠在廣泛的共模電壓范圍內(nèi)準(zhǔn)確測(cè)量極低感測(cè)電壓。主要產(chǎn)品應(yīng)用項(xiàng)目包括筆記本電腦、電池充電器、工業(yè)伺服裝置、服務(wù)器、服務(wù)器農(nóng)場(chǎng)中的電源機(jī)架和機(jī)器人系統(tǒng)。ZXCT199 系列電流顯示器裝置有六款產(chǎn)品可供選擇，每一款都有一個(gè)高精準(zhǔn)運(yùn)行的精密截波穩(wěn)定運(yùn)算放大器。其低補(bǔ)償電壓使得電流感應(yīng)在分流器上的最大壓降，低至 10mV 滿刻度。這么一來(lái)便能使用平價(jià)、低值的分流電阻器組件來(lái)測(cè)量大電
關(guān)鍵字： Diodes 雙向電流顯示器測(cè)量