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sram & mram 文章 最新資訊

MRAM:內存的新潮流(下)

  • Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中,自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反,它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet,SAF)三明治結構,由兩個反向對準的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結構產(chǎn)生磁致電阻效應的能力并不會因為它的混合式結構而受到影響。對準和反對準只取決于MTJ結構兩側相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF,就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
  • 關鍵字: 0702_A  MR2A16A  MRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  

新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應用

  • 摘要: 本文介紹了針對高端存儲應用的最新非易失性存儲器NVSRAM??梢愿鶕?jù)應用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構。關鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲器領域,市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫,即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器,并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢, NVSRAM 的應用以及工作方式。 非易失性存儲器應用
  • 關鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  

MRAM:內存的新潮流(上)

  • 摘要: Freescale運用自旋電子技術制作了新的非易失性RAM,本文對此進行了詳細介紹。關鍵詞: MRAM;自旋電子;位線;字線 在半導體業(yè)界,微處理器是一種更有魅力,利潤更高,而且更難以設計的產(chǎn)品,而內存芯片在推動半導體技術向前發(fā)展的過程中則會起到關鍵性的作用。Intel早期的成功,來源于其1970年推出的、當時業(yè)界第一款DRAM芯片,1kb的1103。兩年后,1103成為業(yè)界銷售情況最好的內存芯片,在很多新的系統(tǒng)設計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導體技術發(fā)展
  • 關鍵字: 0701_A  MRAM  消費電子  雜志_技術長廊  存儲器  消費電子  

用單片機實現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應用

  • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設計中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性,而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對FPGA器件進行重配置,這就使得可以通過監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進行克隆設計。因此,在關鍵、核心設備中,必須采用加密技術保護設計者的知識產(chǎn)權。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題   通常,采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種:由計算機通過下載電纜配置、用專用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存儲器
  • 關鍵字: FPGA  SRAM  單片機  加密  嵌入式系統(tǒng)  存儲器  

網(wǎng)絡應用中的SRAM

  • 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應用領域是搜索引擎,用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲技術的出現(xiàn),系統(tǒng)設計師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)計、包緩沖、隊列管理和存儲分配器。 如今,人們對所有路由器和交換機的要求都不僅限于FIB(轉發(fā)信息庫)搜索。計數(shù)器需要跟蹤接受服務的信息包數(shù)量,并獲取統(tǒng)計數(shù)據(jù)來解決帳單編制問題。通過統(tǒng)計來連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(被稱為NetFlow),從而完成問題檢測和判定。隨著每個信息包處理量的增加,需要采用包
  • 關鍵字: IPV6  SRAM  存儲器  通訊  網(wǎng)絡  無線  存儲器  

IDT70V9289型高速同步雙口SRAM的原理及應用

  • IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸。
  • 關鍵字: V9289  SRAM  IDT    

德州MIT DARPA合力打造65納米SRAM

  • ISSCC 會議文件論述 SRAM 將有望使電池供電產(chǎn)品實現(xiàn)超低功耗 日前,麻省理工學院 (MIT) 的研究員將在著名的國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上展示一款采用德州儀器 (TI) 先進 65 納米 CMOS 工藝制造的超低功耗 (ULP) 256kb 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 測試器件。該款 SRAM&
  • 關鍵字: MIT  DARPA  SRAM  德州  存儲器  

為實現(xiàn)高性能選擇正確的 SRAM 架構

  • 按慣例,設計人員總把SRAM 作為其最基本的形式,即單端口、單時鐘域器件。在需要更高性能時,設計人員通常會選擇更高的時鐘頻率和更寬的總線。盡管這樣可以顯著提高 SRAM 性能,但卻并不是唯一的方法。我們也可以開發(fā)用于先進通信系統(tǒng)的存儲器,這就將工作重點轉向了帶寬,而不是時鐘頻率。存儲器帶寬的定義為:給定時間內可通過器件訪問的數(shù)據(jù)量。通常單位為Mbps乃至極高性能存儲器的Gbps。帶寬的主要組成部分為 I/O 速度、接入端口寬度以及存儲器可用的接入端口數(shù)量。用以下簡單的方程式可計算出帶寬:帶寬=I/O速度
  • 關鍵字: SRAM  存儲器  

支持高性能應用的SRAM

  • SRAM一直是網(wǎng)絡應用的重要組成部分,它可提高帶寬,從而在許多高性能應用中起著主導作用。這些應用包括無總線時延 (NoBL)和四倍數(shù)據(jù)速率 (QDR) 等。就系統(tǒng)資源及內存帶寬要求而論,分組處理對內存帶寬的要求最高。分組處理塊內部的多個功能以及其它存儲功能要求采用不同的 SRAM 架構。因此需要采用支持 SRAM 的新型協(xié)議及架構,以滿足這些網(wǎng)絡系統(tǒng)的需求。本文重點介紹針對網(wǎng)絡應用提供的高級 SRAM 架構。此外,還介紹了如何區(qū)分采用不同 SRAM 架構的各種應用以及促使用戶選擇 SRAM 的標準。 網(wǎng)
  • 關鍵字: SRAM  存儲器  
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