后段制程 文章 最新資訊
三星計劃2026年擴產(chǎn)HBM后段制程，聚焦HCB技術(shù)
- 據(jù)韓媒New Daily援引業(yè)界消息，三星電子正以韓國天安園區(qū)為核心，加速高帶寬存儲器（HBM）后段制程的產(chǎn)能擴張。根據(jù)計劃，三星將在2026年底前實現(xiàn)每月23.1萬顆的熱壓鍵合（TCB）制程產(chǎn)能，同時每月提供1.95萬顆基于混合銅鍵合（HCB）技術(shù)的產(chǎn)能。到2029年，三星將把HBM堆疊制程的重心從TCB技術(shù)逐步轉(zhuǎn)移至HCB技術(shù)。 三星于2026年2月宣布率先量產(chǎn)HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技術(shù)。業(yè)界分析認為，HBM市場的競爭重點正從存儲器芯片本身轉(zhuǎn)向堆疊與鍵合的速
- 關(guān)鍵字： 三星計劃 HBM 后段制程 HCB
通過工藝建模進行后段制程金屬方案分析
- ●? ?由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問題，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料?！? ?在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高，且側(cè)壁電子散射較多。因此，相關(guān)阻擋層尺寸的增加會導(dǎo)致更為顯著的電阻電容延遲，并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
- 關(guān)鍵字： 工藝建模 后段制程 金屬方案 泛林
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