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三星向法院申請(qǐng)禁制令防范非法罷工行為
- 三星電子與內(nèi)部工會(huì)的勞資沖突正在加劇。一場(chǎng)潛在的罷工，可能讓三星付出極其昂貴的代價(jià)。即使三星啟動(dòng)備用產(chǎn)能，一天造成的營(yíng)業(yè)損失仍可能達(dá)1萬(wàn)億韓元，最終累計(jì)損失恐達(dá)20萬(wàn)億甚至30萬(wàn)億韓元（約合人民幣926億元至1389億元）。作為參照，2024年三星全年的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為32.7萬(wàn)億韓元。此次發(fā)出巨額損失警告，被外界解讀為工會(huì)試圖在談判中加大籌碼。這一估算可能涵蓋了生產(chǎn)中斷的直接損失、客戶訂單流失的間接影響，以及重啟產(chǎn)線所需的額外成本。對(duì)于一家高度依賴連續(xù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體巨頭而言，即使是短期的停擺，其連鎖反應(yīng)也可能
- 關(guān)鍵字： 三星 HBM SK海力士
AI驅(qū)動(dòng)內(nèi)存供應(yīng)重配，電子制造業(yè)面臨供應(yīng)挑戰(zhàn)
- 全球電子協(xié)會(huì)（Global Electronics Association）發(fā)布的最新報(bào)告顯示，人工智能（AI）正在消耗全球的內(nèi)存供應(yīng)，且比例日益提升，致使各行業(yè)電子制造商面臨交付周期延長(zhǎng)、價(jià)格上漲以及市場(chǎng)不確定性加劇的局面?！秲?nèi)存緊縮：AI驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)能再分配如何重塑電子制造商的內(nèi)存供應(yīng)格局》（The Memory Squeeze: How AI-Driven Capacity Reallocation Is Reshaping Memory Supply for Electronics Manufactu
- 關(guān)鍵字： AI 內(nèi)存供應(yīng) 全球電子協(xié)會(huì) HBM 數(shù)據(jù)中心
三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標(biāo)將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍
- 盡管 JEDEC 計(jì)劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報(bào)道，三星電子未來(lái)技術(shù)研究項(xiàng)目下一項(xiàng)基于垂直芯片（Vertical Die） 的先進(jìn)封裝研發(fā)已取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。值得關(guān)注的是，該方案據(jù)稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報(bào)道稱，該項(xiàng)目由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）權(quán)志旼教授擔(dān)任首席研究員，已取得重要學(xué)術(shù)里程碑：一篇關(guān)于 Vertical Die 架構(gòu)的論文已被
- 關(guān)鍵字： 三星 垂直芯片 Vertical Die HBM I/O 帶寬
傳 JEDEC擬將HBM高度標(biāo)準(zhǔn)放寬至約900微米，或延緩混合鍵合普及
- 據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》消息，JEDEC（電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)）正考慮放寬下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）標(biāo)準(zhǔn)，計(jì)劃將 HBM 高度規(guī)格上調(diào)至約 900 微米（μm）。Newsis 報(bào)道稱，新標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)從第七代 HBM4E開(kāi)始實(shí)施。作為參考：第五代 HBM3E 高度約720μm，第六代 HBM4 約775μm，本次放寬幅度顯著。Newsis 援引行業(yè)觀察人士觀點(diǎn)：放寬標(biāo)準(zhǔn)有助于緩解存儲(chǔ)廠商的生產(chǎn)瓶頸，支持下一代產(chǎn)品更快量產(chǎn)；可降低對(duì)超薄 DRAM 晶圓加工的需求，同時(shí)簡(jiǎn)化堆疊過(guò)程中的缺陷管控。標(biāo)準(zhǔn)放寬或重塑混合鍵合普及節(jié)
- 關(guān)鍵字： JEDEC HBM 900微米 混合鍵合
“HBM 之父” 預(yù)言：HBF崛起推動(dòng)AI邁向內(nèi)存中心化，GPU核心地位將重塑
- 在各大存儲(chǔ)巨頭競(jìng)相押注 HBF（高帶寬閃存）等后 HBM 時(shí)代技術(shù)之際，被公認(rèn)為 **“HBM 之父”的韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）教授金正浩（Joungho Kim）** 拋出重磅判斷：當(dāng)前由英偉達(dá)主導(dǎo)的GPU 中心化 AI 架構(gòu)，終將轉(zhuǎn)向內(nèi)存中心化架構(gòu)。隨著 AI 從生成式模型向智能體模型演進(jìn)，內(nèi)存瓶頸正成為關(guān)鍵制約。金正浩在接受《Aju News》采訪時(shí)將這一轉(zhuǎn)變稱為 **“上下文工程”的興起 —— 海量文檔、視頻及多模態(tài)數(shù)據(jù)需被并行處理。他強(qiáng)調(diào)，要跟上這一趨勢(shì)，內(nèi)存帶寬與容量必須提升最高 1000
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三星大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來(lái)暫緩，勞資雙方重回談判桌
- 據(jù)路透社最新消息，在經(jīng)歷長(zhǎng)期僵持與罷工授權(quán)后，三星電子管理層與韓國(guó)員工工會(huì)聯(lián)合發(fā)布聲明，雙方正式就獎(jiǎng)金爭(zhēng)議重啟談判，一度高懸的大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來(lái)暫緩。轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在本周一，此次談判重啟的關(guān)鍵推動(dòng)力，來(lái)自三星電子副會(huì)長(zhǎng)、半導(dǎo)體（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉（Jun Young-hyun）的介入。作為三星核心芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，全永鉉在會(huì)議中正面回應(yīng)員工訴求，并提出會(huì)針對(duì)不同業(yè)務(wù)部門制定多元化獎(jiǎng)金分配方案。工會(huì)原定在三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕住宅前的抗議活動(dòng)已宣布取消，轉(zhuǎn)而與公司高層先行對(duì)話。全永鉉已與四位工會(huì)領(lǐng)袖舉行了長(zhǎng)達(dá)90分
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DDR5利潤(rùn)率現(xiàn)已超過(guò)HBM
- 美光科技公司表示，包括DDR5在內(nèi)的傳統(tǒng)DRAM的利潤(rùn)率最近已經(jīng)超過(guò)了HBM的利潤(rùn)率，這反映了長(zhǎng)期合同結(jié)構(gòu)和供應(yīng)緊張狀況的綜合影響。HBM采用先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)DRAM芯片堆疊在一起，通常制造工藝更復(fù)雜，價(jià)格也更高。值得注意的是，HBM和傳統(tǒng)DRAM目前利潤(rùn)都很豐厚，但通用DRAM（包括用于PC和智能手機(jī)的產(chǎn)品）的利潤(rùn)率已經(jīng)超過(guò)了HBM。利潤(rùn)率變化的主要原因首先，HBM的供應(yīng)越來(lái)越受長(zhǎng)期協(xié)議的制約，美光將其稱為戰(zhàn)略客戶協(xié)議 （SCA）。美光首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，HBM的價(jià)格通常在年初之前
- 關(guān)鍵字： DDR5 HBM
三星電子罷工投票通過(guò)，HBM生產(chǎn)或受影響
- 據(jù)韓媒《首爾經(jīng)濟(jì)》和《朝鮮日?qǐng)?bào)》綜合報(bào)道，三星電子勞資沖突進(jìn)一步升級(jí)。近日，工會(huì)宣布罷工投票以93.1%的高支持率通過(guò)，并計(jì)劃自5月21日起展開(kāi)為期18天的全面罷工。這是三星成立以來(lái)第二次大規(guī)模勞資沖突，也是近兩年來(lái)首次面臨如此規(guī)模的罷工，或?qū)?duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局帶來(lái)不確定性。 此次罷工由涵蓋約9萬(wàn)名會(huì)員的工會(huì)主導(dǎo)，核心爭(zhēng)議集中在薪資與績(jī)效獎(jiǎng)金制度。工會(huì)要求取消現(xiàn)行超額利潤(rùn)獎(jiǎng)金（OPI）50%的上限，并主張以營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的20%作為獎(jiǎng)金分配標(biāo)準(zhǔn)。這一要求遠(yuǎn)高于資方提出的6.2%薪資調(diào)升、配發(fā)20股自家股
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三星面臨大罷工，存儲(chǔ)價(jià)格或加速上漲
- 最新消息，由超過(guò)6.6萬(wàn)名韓國(guó)三星電子工會(huì)成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會(huì)成員贊成罷工。若無(wú)重大變化，三星電子工會(huì)成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：取消績(jī)效獎(jiǎng)金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問(wèn)題進(jìn)行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴(kuò)大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實(shí)施，這將是三星自1969年成立以來(lái)遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會(huì)要求提高績(jī)效獎(jiǎng)金計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績(jī)效獎(jiǎng)金
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三星計(jì)劃2026年擴(kuò)產(chǎn)HBM后段制程，聚焦HCB技術(shù)
- 據(jù)韓媒New Daily援引業(yè)界消息，三星電子正以韓國(guó)天安園區(qū)為核心，加速高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）后段制程的產(chǎn)能擴(kuò)張。根據(jù)計(jì)劃，三星將在2026年底前實(shí)現(xiàn)每月23.1萬(wàn)顆的熱壓鍵合（TCB）制程產(chǎn)能，同時(shí)每月提供1.95萬(wàn)顆基于混合銅鍵合（HCB）技術(shù)的產(chǎn)能。到2029年，三星將把HBM堆疊制程的重心從TCB技術(shù)逐步轉(zhuǎn)移至HCB技術(shù)。 三星于2026年2月宣布率先量產(chǎn)HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技術(shù)。業(yè)界分析認(rèn)為，HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)正從存儲(chǔ)器芯片本身轉(zhuǎn)向堆疊與鍵合的速
- 關(guān)鍵字： 三星計(jì)劃 HBM 后段制程 HCB
應(yīng)用材料與美光、SK海力士合作
- 隨著人工智能熱潮推動(dòng)存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，半導(dǎo)體設(shè)備制造商在收獲紅利的同時(shí)，也在加深與頭部存儲(chǔ)廠商的合作。據(jù)路透社報(bào)道，應(yīng)用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達(dá)成合作，共同開(kāi)發(fā)對(duì)人工智能與高性能計(jì)算至關(guān)重要的下一代芯片。3 月 10 日，應(yīng)用材料發(fā)布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長(zhǎng)期合作協(xié)議，加速 DRAM 與 HBM 技術(shù)研發(fā)。雙方將在應(yīng)用材料新建的研發(fā)中心 ——設(shè)備與工藝創(chuàng)新與商業(yè)化中心（EPIC Center），聚焦存儲(chǔ)材料、工藝整合及 3D 先進(jìn)封裝技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 美光 SK海力士 半導(dǎo)體 DRAM HBM NAND
應(yīng)用材料攜手美光 加速HBM、閃存及DRAM技術(shù)研發(fā)
- 應(yīng)用材料公司今日宣布，正與美光科技展開(kāi)合作，研發(fā)新一代動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、高帶寬內(nèi)存及閃存解決方案，以提升人工智能系統(tǒng)的高能效表現(xiàn)。雙方整合了應(yīng)用材料位于硅谷的 EPIC 創(chuàng)新中心的先進(jìn)研發(fā)能力，以及美光位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的頂尖創(chuàng)新中心資源，助力鞏固美國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)體系。應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官加里?迪克森表示：“應(yīng)用材料與美光長(zhǎng)期保持合作關(guān)系，始終致力于通過(guò)突破材料工程與制造創(chuàng)新的邊界，打造性能更優(yōu)、能效更高的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片。下一代存儲(chǔ)技術(shù)在人工智能系統(tǒng)的未來(lái)發(fā)展中愈發(fā)關(guān)鍵，我們十分欣喜能以 EP
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 美光 HBM 閃存 DRAM
HBM競(jìng)賽白熱化！SK海力士探索封裝新方案 或滿足英偉達(dá)峰值性能目標(biāo)
- 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》3月4日訊 據(jù)韓國(guó)ZDNet消息，SK海力士正在推進(jìn)下一代封裝技術(shù)，用于提高HBM4的穩(wěn)定性和性能。目前該項(xiàng)技術(shù)正處于驗(yàn)證階段。由于HBM4的I/O（輸入/輸出信號(hào)）數(shù)量翻倍至2048個(gè)，故而增加了信號(hào)干擾的風(fēng)險(xiǎn)。這種擴(kuò)展雖然提升了帶寬，但也帶來(lái)了電壓等方面的挑戰(zhàn)。為增強(qiáng)穩(wěn)定性，SK海力士計(jì)劃增加部分上層DRAM芯片的厚度，同時(shí)縮小DRAM層之間的間距，以防止封裝整體高度增加，同時(shí)降低向最上層供電所需的功耗，提高電源效率。傳統(tǒng)上，DRAM通過(guò)研磨背面來(lái)減薄芯片厚度，以滿足HBM4 775微米
- 關(guān)鍵字： HBM SK海力士 封裝 英偉達(dá)
號(hào)稱專為AI需求研發(fā)的ZAM真的能干掉如日中天的HBM嗎？
- AI基礎(chǔ)設(shè)施競(jìng)賽如火如荼，如果說(shuō)針對(duì)AI的處理器和加速器市場(chǎng)還有不同的競(jìng)爭(zhēng)者瓜分蛋糕，那么AI所需要的存儲(chǔ)方面基本上是HBM技術(shù)一家獨(dú)大，三大存儲(chǔ)器廠商賺得盆滿缽滿。集邦咨詢預(yù)測(cè)，2026年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的營(yíng)收總額將達(dá)5516億美元，按照樂(lè)觀的估算全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在1.18萬(wàn)億美元左右，這意味著存儲(chǔ)器市場(chǎng)的營(yíng)收可能占據(jù)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的一半左右，什么才是半導(dǎo)體市場(chǎng)的第一大主力不言而喻。 隨著全球 AI 算力競(jìng)賽加速，真正的瓶頸已不再是 GPU 架構(gòu)，而是存儲(chǔ)器的物理極限。HBM 產(chǎn)能仍被三星
- 關(guān)鍵字： AI ZAM HBM 英特爾
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