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JEDEC公布LPDDR6升級(jí)方向，推進(jìn)AI內(nèi)存SOCAMM2標(biāo)準(zhǔn)制定
- 在 AI 與邊緣計(jì)算需求激增的背景下，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正快速演進(jìn)。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)下一版規(guī)劃新增特性，并確認(rèn)基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統(tǒng)先進(jìn)內(nèi)存模塊）規(guī)范正在開發(fā)中。 一、LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)重點(diǎn)升級(jí)JEDEC 表示，新版 LPDDR6 將引入更窄的單裸片接口，在非二進(jìn)制架構(gòu)下新增x12、x6 子通道模式（位寬從 x16 擴(kuò)展至 x24），可提升單封裝裸片數(shù)量、顯著增加單通道容量，以滿足 AI 級(jí)內(nèi)存需求。標(biāo)準(zhǔn)還將加入靈活元數(shù)據(jù)劃
- 關(guān)鍵字： JEDEC LPDDR6 AI內(nèi)存 SOCAMM2
傳 JEDEC擬將HBM高度標(biāo)準(zhǔn)放寬至約900微米，或延緩混合鍵合普及
- 據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》消息，JEDEC（電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)）正考慮放寬下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）標(biāo)準(zhǔn)，計(jì)劃將 HBM 高度規(guī)格上調(diào)至約 900 微米（μm）。Newsis 報(bào)道稱，新標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計(jì)從第七代 HBM4E開始實(shí)施。作為參考：第五代 HBM3E 高度約720μm，第六代 HBM4 約775μm，本次放寬幅度顯著。Newsis 援引行業(yè)觀察人士觀點(diǎn)：放寬標(biāo)準(zhǔn)有助于緩解存儲(chǔ)廠商的生產(chǎn)瓶頸，支持下一代產(chǎn)品更快量產(chǎn)；可降低對(duì)超薄 DRAM 晶圓加工的需求，同時(shí)簡(jiǎn)化堆疊過(guò)程中的缺陷管控。標(biāo)準(zhǔn)放寬或重塑混合鍵合普及節(jié)
- 關(guān)鍵字： JEDEC HBM 900微米 混合鍵合
JEDEC 升級(jí)通用閃存存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)，助力邊緣人工智能提速
- JEDEC 協(xié)會(huì)正式發(fā)布通用閃存存儲(chǔ)（UFS）5.0 版本標(biāo)準(zhǔn)，旨在提升邊緣設(shè)備人工智能應(yīng)用的存儲(chǔ)性能與運(yùn)行效率。本次標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)的核心目標(biāo)是通過(guò)實(shí)現(xiàn)更高速的數(shù)據(jù)訪問(wèn)來(lái)提升整體性能，例如 UFS 5.0 的連續(xù)讀寫速度最高可達(dá) 10.8GB/s。值得注意的是，本次升級(jí)后的標(biāo)準(zhǔn)仍與 UFS 4.x 版本的硬件保持兼容，同時(shí) UFS 主控制器接口標(biāo)準(zhǔn)也同步升級(jí)至 5.0 版本。JEDEC 董事會(huì)主席、嵌入式存儲(chǔ)與可移動(dòng)存儲(chǔ)卡 JC-64 委員會(huì)主席米安?奎德斯表示：“這些技術(shù)升級(jí)讓 UFS 5.0 成為下一代設(shè)備
- 關(guān)鍵字： JEDEC 通用閃存存儲(chǔ) UFS 5.0
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)人工智能數(shù)據(jù)中心的LPDRAM模塊
- 據(jù)報(bào)道，JEDEC 即將完成專為數(shù)據(jù)中心人工智能應(yīng)用開發(fā)的薄型 LPDRAM 模塊標(biāo)準(zhǔn)。它是JESD328：LPDDR5/5X 小外形壓縮附加內(nèi)存模塊 （SOCAMM2） 通用標(biāo)準(zhǔn)。該協(xié)會(huì)表示，JESD328旨在提供一個(gè)內(nèi)存平臺(tái)，為 AI CPU 服務(wù)器提供模塊化、低功耗、高帶寬內(nèi)存。具體來(lái)說(shuō)，新標(biāo)準(zhǔn)將定義一個(gè)基于LPDDR5X的緊湊型模塊，即小外形 CAMM2 （SOCAMM2）。固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)寫道：“JESD328 SOCAMM2將為服務(wù)器引入優(yōu)化的緊湊外形，其機(jī)械輪廓專為高密度數(shù)據(jù)中心機(jī)箱和電路板布局
- 關(guān)鍵字： JEDEC 人工智能 數(shù)據(jù)中心 LPDRAM模塊
JEDEC發(fā)布針對(duì)移動(dòng)和AI的LPDDR6
- JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) （JEDEC Solid State Technology Association） 宣布發(fā)布最新的低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率 6 （LPDDR6） 標(biāo)準(zhǔn) JESD209-6。JESD209-6 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)將顯著提高一系列應(yīng)用的內(nèi)存速度和效率，包括移動(dòng)設(shè)備和 AI 系統(tǒng)。新標(biāo)準(zhǔn)代表了內(nèi)存技術(shù)的重大進(jìn)步，提供了增強(qiáng)的性能、能效和安全性。為了實(shí)現(xiàn) AI 應(yīng)用程序和其他高性能工作負(fù)載，LPDDR6 采用雙子通道架構(gòu)，允許靈活作，同時(shí)保持 32 字節(jié)的小訪問(wèn)粒度。此外，LPDDR6 還提
- 關(guān)鍵字： JEDEC LPDDR6
JEDEC發(fā)布首個(gè)LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)
- 制定微電子標(biāo)準(zhǔn)的全球機(jī)構(gòu)聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì) （JEDEC） 剛剛發(fā)布了 JESD209-6。本文檔定義了下一代內(nèi)存設(shè)計(jì) LPDDR6，并且是第一個(gè)提到 DDR6 的官方規(guī)范。根據(jù) JEDEC 的說(shuō)法，LPDDR6 提供了改進(jìn)的性能、更高的能效以及增強(qiáng)的安全性和可靠性。該集團(tuán)推出 DDR5 已經(jīng)五年了，從那時(shí)起的技術(shù)進(jìn)步需要發(fā)布更快的標(biāo)準(zhǔn)，尤其是對(duì)于移動(dòng)設(shè)備和邊緣 AI 應(yīng)用。該組織表示，它通過(guò)增加子通道的數(shù)量和減小其大小來(lái)提高 LPDDR6 的性能。DDR5 將 DDR4 使用的
- 關(guān)鍵字： JEDEC LPDDR6 接口 有效帶寬
英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊(cè)為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
- 【2023年4月13日，德國(guó)慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動(dòng)汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價(jià)值。為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項(xiàng)舉措不僅進(jìn)一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計(jì)的目標(biāo)，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢(shì)，幫助他們?cè)谑袌?chǎng)中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 QDPAK DDPAK 頂部冷卻封裝 JEDEC
美國(guó)JEDEC標(biāo)準(zhǔn)成功導(dǎo)入國(guó)內(nèi)LED封裝行業(yè)
- 我國(guó)LED封裝產(chǎn)業(yè)起步于上個(gè)世紀(jì)70年代，在近40年的發(fā)展中取得了顯著成就，在產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平上與國(guó)際先進(jìn)水平不斷縮小，中國(guó)已成為全球LED封裝大廠爭(zhēng)相布局角逐的重要市場(chǎng)。 然而，截至目前，LED封裝行業(yè)還未有一個(gè)被廣泛接受的元器件質(zhì)量測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，這不僅導(dǎo)致了行業(yè)的無(wú)序競(jìng)爭(zhēng)，誘發(fā)了行業(yè)眾多的"倒閉潮"與"跑路門"，同時(shí)也意味著LED封裝產(chǎn)品公布的數(shù)據(jù)表中有些信息往往會(huì)被質(zhì)疑。 如何檢測(cè)一個(gè)LED元器件質(zhì)量等級(jí)?如何評(píng)判一個(gè)LED元件器的優(yōu)與劣?LED
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Teledyne LeCroy提供了新的288腳的DDR4內(nèi)插器
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控。 新的內(nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
- 關(guān)鍵字： Teledyne DDR4 DIMM JEDEC
力科新288腳DDR4內(nèi)插器配合Kibra 480協(xié)議分析儀
- Teledyne?LeCroy(力科)，世界高速I/O分析和協(xié)議測(cè)試方案的領(lǐng)導(dǎo)者，升級(jí)了其Kibra?480?DDR協(xié)議分析儀平臺(tái)，使其帶有JEDEC的新288腳的邊沿連接器的DDR4內(nèi)存模塊的探測(cè)選件。新的內(nèi)插器支持DDR4?U-DIMM，R-DIMM，以及LR-DIMM，并能夠?qū)γ總€(gè)通道的速率高達(dá)3200MT/s的兩個(gè)DIMM進(jìn)行非侵入式監(jiān)控?！ ⌒碌膬?nèi)插器的設(shè)計(jì)是用于配合力科的Kibra?480的協(xié)議分析儀的使用，其可坐落于DIMM內(nèi)存槽中，且可
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JEDEC發(fā)布首個(gè)國(guó)際LED熱測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
- JEDEC近日出版了第一個(gè)國(guó)際組件級(jí)的高亮度/功率LED測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，它定義了LED熱測(cè)試數(shù)據(jù)表上的數(shù)據(jù)、測(cè)試環(huán)境和程序標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC JC-15委員會(huì)聯(lián)合LED產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者制定了高功率LED元件的溫度性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，在新的JESD51-5X系列標(biāo)準(zhǔn)中包含JESD51-5，JESD51-50，JESD51-51，JESD51-52和JESD51-53，均符合國(guó)際照明委員會(huì)(CIE)現(xiàn)有的LED測(cè)量推薦規(guī)范。 JEDEC即固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，是微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)。在過(guò)去50多年的時(shí)間里，JEDEC所制定
- 關(guān)鍵字： JEDEC LED
JEDEC開始著手“無(wú)線存儲(chǔ)器”標(biāo)準(zhǔn)化工作
- 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)JEDEC宣布將著手推進(jìn)“Wireless Memory(無(wú)線存儲(chǔ)器)”的標(biāo)準(zhǔn)化工作。無(wú)線存儲(chǔ)器是新一代數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，可通過(guò)無(wú)線方式在移動(dòng)產(chǎn)品與沒有電池的存儲(chǔ)器標(biāo)簽之間實(shí)現(xiàn)高速讀寫。 致力于無(wú)線存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化的，是JEDEC的“JC-64”委員會(huì)新設(shè)的“JC-64.9”分委會(huì)。JC-64是負(fù)責(zé)嵌入式存儲(chǔ)裝置與可移動(dòng)存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)化的 委員會(huì)。負(fù)責(zé)無(wú)線存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)化的JC-64.9分委會(huì)主席由芬蘭諾基亞的職員擔(dān)任
- 關(guān)鍵字： JEDEC 無(wú)線存儲(chǔ)器
jedec介紹
JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），中文全稱是電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)，JEDEC官方網(wǎng)站http://www.jedec.org/
JEDEC大部分是由從事設(shè)計(jì)、發(fā)明的制造業(yè)尤以有關(guān)計(jì)算機(jī)記憶模塊所組成的一個(gè)團(tuán)體財(cái)團(tuán)，一般工業(yè)所生產(chǎn)的記憶體產(chǎn)品大多以JEDEC所制定的標(biāo)準(zhǔn)為評(píng)量。
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