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JEDEC公布LPDDR6升級方向，推進(jìn)AI內(nèi)存SOCAMM2標(biāo)準(zhǔn)制定
- 在 AI 與邊緣計(jì)算需求激增的背景下，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正快速演進(jìn)。JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會近期公布，正為JESD209?6 LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)下一版規(guī)劃新增特性，并確認(rèn)基于 LPDDR6 的SOCAMM2（片上系統(tǒng)先進(jìn)內(nèi)存模塊）規(guī)范正在開發(fā)中。 一、LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)重點(diǎn)升級JEDEC 表示，新版 LPDDR6 將引入更窄的單裸片接口，在非二進(jìn)制架構(gòu)下新增x12、x6 子通道模式（位寬從 x16 擴(kuò)展至 x24），可提升單封裝裸片數(shù)量、顯著增加單通道容量，以滿足 AI 級內(nèi)存需求。標(biāo)準(zhǔn)還將加入靈活元數(shù)據(jù)劃
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消息稱三星已解決 SOCAMM2 翹曲問題，量產(chǎn)進(jìn)度有望領(lǐng)先美光、SK 海力士
- 據(jù)報道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產(chǎn)前的主要障礙。報道稱，三星通過應(yīng)用自研下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)解決了該問題。報道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產(chǎn)生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結(jié)構(gòu)尤為敏感，因?yàn)樗鼘?
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美光宣布 HBM4、SOCAMM2 內(nèi)存模塊及 PCIe 第六代固態(tài)硬盤實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)
- 2026 年 3 月 16 日，美光科技在英偉達(dá) GTC 2026 大會上正式發(fā)布重磅消息：旗下HBM4 高帶寬內(nèi)存、SOCAMM2 內(nèi)存模塊以及業(yè)內(nèi)首款 PCIe 第六代數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤，均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)并開啟批量出貨，全系列產(chǎn)品均為英偉達(dá) Vera Rubin AI 平臺量身打造，將為智能體 AI、高性能計(jì)算等負(fù)載提供核心存儲算力支撐。核心產(chǎn)品量產(chǎn)信息HBM4 高帶寬內(nèi)存首批量產(chǎn)的為 36GB 12 層堆疊版本，已于 2026 年第一季度出貨，引腳速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的內(nèi)
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美光推低功耗SOCAMM2
- 美光宣布推出全球首款192GB SOCAMM2，并正式送樣給客戶，進(jìn)一步拓展該公司低功耗內(nèi)存，于AI數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用版圖。該產(chǎn)品采用美光最新1γ（1-gamma）制程技術(shù)，能源效率提升逾20%，并在相同尺寸下提供50%更高容量。SOCAMM2延續(xù)美光首代LPDRAM SOCAMM設(shè)計(jì)，強(qiáng)化帶寬與功耗表現(xiàn)。由于容量擴(kuò)增，該模塊可使AI推論中首個token生成時間（TTFT）縮短超過80%，大幅提升實(shí)時推論效能。在全機(jī)柜AI部署架構(gòu)下，SOCAMM2可支持超過40TB的CPU直連主內(nèi)存，使其節(jié)能優(yōu)勢更為顯著。
- 關(guān)鍵字： 美光 低功耗 SOCAMM2
美光正式送樣業(yè)界高容量 SOCAMM2 模組，滿足 AI 數(shù)據(jù)中心對低功耗 DRAM 的需求
- 2025年 10 月 23 日，愛達(dá)荷州博伊西市 — 在當(dāng)今時代，人工智能（AI）實(shí)現(xiàn)了前所未有的創(chuàng)新和發(fā)展，整個數(shù)據(jù)中心生態(tài)系統(tǒng)正在向更節(jié)能的基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)型，以支持可持續(xù)增長。隨著內(nèi)存在 AI 系統(tǒng)中逐漸發(fā)揮越來越重要的作用，低功耗內(nèi)存解決方案已成為這一轉(zhuǎn)型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內(nèi)存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內(nèi)存在
- 關(guān)鍵字： 美光 SOCAMM2 DRAM
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