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HBM4新競(jìng)局 Base Die成勝負(fù)關(guān)鍵
- AI算力競(jìng)賽持續(xù)升級(jí)，高帶寬記憶體（HBM）正式邁入新一輪技術(shù)分水嶺。 隨AMD與三星半導(dǎo)體宣布擴(kuò)大策略合作，鎖定HBM4與下一代AI存儲(chǔ)器解決方案開發(fā)，市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn)已不再局限于DRAM堆疊本身，而是轉(zhuǎn)向「Base Die（邏輯基底芯片）」設(shè)計(jì)能力。 創(chuàng)意近期完成HMB4 PHY及控制IC之測(cè)試片（Testchips），可對(duì)標(biāo)「首家內(nèi)存廠HBM4樣品」; 半導(dǎo)體業(yè)界推測(cè)，隨著Base Die往先進(jìn)制程推進(jìn)，內(nèi)存大廠將越發(fā)依賴ASIC業(yè)者奧援。AMD與三星合作，核心在于下一代Instinct MI455X
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美光宣布 HBM4、SOCAMM2 內(nèi)存模塊及 PCIe 第六代固態(tài)硬盤實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)
- 2026 年 3 月 16 日，美光科技在英偉達(dá) GTC 2026 大會(huì)上正式發(fā)布重磅消息：旗下HBM4 高帶寬內(nèi)存、SOCAMM2 內(nèi)存模塊以及業(yè)內(nèi)首款 PCIe 第六代數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤，均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)并開啟批量出貨，全系列產(chǎn)品均為英偉達(dá) Vera Rubin AI 平臺(tái)量身打造，將為智能體 AI、高性能計(jì)算等負(fù)載提供核心存儲(chǔ)算力支撐。核心產(chǎn)品量產(chǎn)信息HBM4 高帶寬內(nèi)存首批量產(chǎn)的為 36GB 12 層堆疊版本，已于 2026 年第一季度出貨，引腳速率超 11Gb/s，可提供超 2.8TB/s 的內(nèi)
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分析師看淡無緣英偉達(dá)HBM4供應(yīng)影響 美光科技股價(jià)走高
- 美光科技股價(jià)在 3 月 9 日（周一）上漲約 2.3%，花旗與薩斯奎漢納兩家機(jī)構(gòu)也上調(diào)了其目標(biāo)股價(jià)，此番變動(dòng)正值該芯片制造商即將于 3 月 18 日發(fā)布財(cái)報(bào)之際。韓國(guó)媒體上周末報(bào)道稱，英偉達(dá)的 Vera Rubin 人工智能系統(tǒng)將采用三星電子和海力士的 HBM4 芯片，并未選擇美光。截至當(dāng)日午后交易時(shí)段，美光股價(jià)報(bào) 378.78 美元。美光將于 3 月 18 日公布 2026 財(cái)年第二季度業(yè)績(jī)，這也讓相關(guān)爭(zhēng)議有了新的討論意義，投資者正密切關(guān)注美光能在新一輪人工智能存儲(chǔ)芯片周期中占據(jù)多少市場(chǎng)份額。高帶寬內(nèi)存
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三星終結(jié)2D NAND 時(shí)代 戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向錨定 AI 時(shí)代高利潤(rùn)賽道
- 當(dāng)三星在HBM4時(shí)代彎道超車，重新獲得英偉達(dá)的青睞并可能承接最大份額訂單，低利潤(rùn)的2D NAND就成為產(chǎn)能重構(gòu)下的棄子。 2026 年 2 月末，三星電子宣布將關(guān)停其韓國(guó)華城工廠 12 號(hào)線的 2D NAND 閃存生產(chǎn) —— 這是三星最后一條 2D NAND 產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著自 2002 年開啟的平面閃存量產(chǎn)時(shí)代正式落幕。這座月產(chǎn)能達(dá) 8 萬至 10 萬片 12 英寸晶圓的產(chǎn)線，將于 2026 年 3 月正式停工并改造為 1C DRAM 后道封測(cè)廠，聚焦 DRAM 布線等核心后道工序。這場(chǎng)產(chǎn)能調(diào)
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HBM4與SPHBM4：為人工智能和高性能計(jì)算拓展內(nèi)存帶寬
- JEDEC制定的第四代高帶寬內(nèi)存（HBM4）標(biāo)準(zhǔn)，以及新興的第四代片上封裝高帶寬內(nèi)存（SPHBM4）標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)了帶寬提升與封裝方案的拓展，助力人工智能和高性能計(jì)算系統(tǒng)突破內(nèi)存與輸入輸出壁壘。過去二十年，高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）系統(tǒng)所使用處理器的原始計(jì)算能力實(shí)現(xiàn)了跨越式增長(zhǎng)。圖 1 展示了這一發(fā)展趨勢(shì)：同一時(shí)期內(nèi)，異構(gòu)處理器（XPU）的浮點(diǎn)運(yùn)算性能提升了逾 9 萬倍，而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的帶寬和互連帶寬僅提升了約 30 倍。圖1 20 年間 XPU 性能與互連帶寬的增長(zhǎng)情
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三星HBM4，傳獨(dú)供英偉達(dá)最高端GPU
- 綜合韓國(guó)媒體《首爾經(jīng)濟(jì)》、New Daily等報(bào)道，2026年2月12日清晨，三星天安園區(qū)使用大型低震動(dòng)運(yùn)輸車，完成全球首批HBM4量產(chǎn)產(chǎn)品的出貨。三星表示，本次出貨的HBM4最高運(yùn)行速率達(dá)13Gbps，遠(yuǎn)超行業(yè)此前預(yù)期的11.7Gbps，相較JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps快46%，也較前一代HBM3E的9.6Gbps提升超過35%。由于實(shí)際性能超出英偉達(dá)的規(guī)格要求，市場(chǎng)消息顯示：在HBM3E階段對(duì)三星產(chǎn)品持謹(jǐn)慎評(píng)估態(tài)度的英偉達(dá)，在測(cè)試三星HBM4樣品后，反而主動(dòng)要求提前量產(chǎn)進(jìn)度。有分析認(rèn)為，這批HBM4將搭
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HBM4競(jìng)爭(zhēng)格局生變
- 總部位于美國(guó)的第三大DRAM供應(yīng)商美光可能會(huì)被排除在英偉達(dá)的首批第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）供應(yīng)鏈之外，預(yù)計(jì)英偉達(dá)、AMD等公司下一代AI芯片的HBM4供應(yīng)將由韓國(guó)企業(yè)三星、SK海力士瓜分。但也有觀點(diǎn)認(rèn)為美光被排除在初始供應(yīng)鏈之外的可能性很低，因?yàn)橛ミ_(dá)正在尋求使其HBM4市場(chǎng)的供應(yīng)商多元化。半導(dǎo)體分析公司SemiAnalysis將美光在英偉達(dá)下一代AI芯片Vera Rubin的HBM4市場(chǎng)份額下調(diào)至0%，“目前沒有跡象表明英偉達(dá)向美光訂購(gòu)HBM4”，并預(yù)測(cè)SK海力士將占據(jù)英偉達(dá)HBM4供應(yīng)的70%份額，
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三星、SK海力士HBM4：16層堆疊封裝誰更勝一籌？
- 綜合韓媒報(bào)道，三星電子和SK海力士在第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）領(lǐng)域均已掌握16層堆疊封裝技術(shù)，并具備量產(chǎn)能力。不過，兩家企業(yè)的技術(shù)路線存在差異：三星采用非導(dǎo)電薄膜熱壓縮（TC-NCF）技術(shù)，而SK海力士則選擇了Advanced MR-MUF（先進(jìn)模塑底部填充）技術(shù)。三星存儲(chǔ)器事業(yè)部副社長(zhǎng)金載俊（音譯）在2025年第4季法說會(huì)上透露，三星已實(shí)現(xiàn)基于TC-NCF技術(shù)的16層HBM4堆疊封裝技術(shù)達(dá)到可量產(chǎn)水準(zhǔn)，能夠及時(shí)滿足客戶需求。韓媒分析稱，這意味著三星在10納米級(jí)第六代1c DRAM的16層HBM4封裝工
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為滿足英偉達(dá)需求，三星、SK海力士被曝?fù)屧跍y(cè)試完成前量產(chǎn)HBM4
- 2 月 2 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道，高帶寬內(nèi)存（HBM）的量產(chǎn)節(jié)奏正在被重新改寫。傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品一般都是先用樣品完成客戶的質(zhì)量認(rèn)證測(cè)試，通過之后才進(jìn)入正式量產(chǎn)，但在 HBM 供應(yīng)鏈上，為了緊跟核心客戶需求，廠商開始在認(rèn)證結(jié)束前就提前投產(chǎn)。當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 1 日的業(yè)內(nèi)消息稱，三星電子與 SK 海力士為了滿足英偉達(dá)的 HBM 需求，在測(cè)試尚未完全結(jié)束的情況下，已經(jīng)提前啟動(dòng) HBM4 量產(chǎn)。SK 海力士在業(yè)績(jī)說明中明確表示：“HBM4 自去年 9 月建立量產(chǎn)體系以來，正在按照客戶要求的數(shù)
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消息稱SK海力士已拿下英偉達(dá)三分之二HBM4訂單
- 1 月 28 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，在今年圍繞下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4 供應(yīng)的競(jìng)爭(zhēng)讓半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)升溫之際，業(yè)內(nèi)消息稱，SK 海力士已拿下最大客戶英偉達(dá)超過三分之二的訂單量。消息稱英偉達(dá)今年用于下一代 AI 平臺(tái)“Vera Rubin”等的 HBM4 需求中，約三分之二已分配給 SK 海力士，拿下了接近整體 70% 的供貨份額。這一數(shù)據(jù)相比此前市場(chǎng)預(yù)計(jì) SK 海力士將供應(yīng)英偉達(dá) 50% 以上 HBM4 的水平，明顯有所提升。去年年底，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Counterpoint 預(yù)測(cè)，今年全球 HBM
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HBM4因重新設(shè)計(jì)而延遲一季度交付
- HBM4的量產(chǎn)最早推遲到第一季度末，TrendForce也因英偉達(dá)將其Rubin平臺(tái)的引腳速度提升至超過11Gbps，海力士、三星和美光對(duì)引腳速度進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。據(jù)稱，這三家公司都提交了重新設(shè)計(jì)的樣品。據(jù)稱三星采用了比其他公司更先進(jìn)的工藝，有望在供應(yīng)Rubin發(fā)電產(chǎn)品方面搶占領(lǐng)先推遲上線的原因是對(duì)Blackwell持續(xù)強(qiáng)勁的需求。據(jù)說英偉達(dá)提高了B300/GB300的產(chǎn)量，并增加了HBM3e的訂單。
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SK海力士2026展望：HBM3E主導(dǎo)，HBM4雙重策略在三大市場(chǎng)逆風(fēng)中顯現(xiàn)
- 隨著整體內(nèi)存價(jià)格飆升和HBM4的臨近，2026年可能成為存儲(chǔ)巨頭的又一個(gè)里程碑之年。SK海力士在今日（1月5日）發(fā)布的新年致辭中指出，即使HBM4在提升產(chǎn)能，HBM3E今年仍將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，預(yù)計(jì)其將在2026年占HBM總出貨量的約三分之二，而HBM4則逐漸獲得市場(chǎng)支持。SK海力士強(qiáng)調(diào)，隨著英偉達(dá)推出“Blackwell Ultra”加速器，以及谷歌和AWS等大型科技公司擴(kuò)展基于ASIC的AI芯片內(nèi)部開發(fā)，HBM3E正日益成為首選記憶。援引瑞銀的言論，公司也表達(dá)了信心，有望成為谷歌最新TPU——v7p和v7
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HBM4價(jià)格漲幅超50%，三星緊追SK海力士
- 最近，SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價(jià)格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)（如混合鍵合技術(shù)），以實(shí)現(xiàn)更高的互連密度和更小的節(jié)距，因此SK海力士在臺(tái)積電生產(chǎn)的HBM4芯片總成本比上一代產(chǎn)品增加了30%。HBM4價(jià)格暴漲今年5月，集邦咨詢?cè)趫?bào)告中預(yù)測(cè)，HBM4溢價(jià)幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達(dá)的這場(chǎng)談判超過了行業(yè)最初的預(yù)期。SK海力士向英偉達(dá)提出的HBM4報(bào)價(jià)為每顆540~5
- 關(guān)鍵字： HBM4 三星 SK海力士
全球首款HBM4芯片，開始量產(chǎn)
- HBM4！SK 海力士又贏了。
- 關(guān)鍵字： HBM4
據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)計(jì)劃于 2027 年進(jìn)行小規(guī)模 HBM 基板晶圓生產(chǎn)：震動(dòng)內(nèi)存、芯片市場(chǎng)
- 市場(chǎng)傳聞稱，英偉達(dá)已開始開發(fā)自己的 HBM 基板晶圓，這一舉動(dòng)正在供應(yīng)鏈中引起漣漪，因?yàn)樗赡苤厮芟乱淮?HBM 格局。據(jù)《商業(yè)時(shí)報(bào)》報(bào)道，該芯片預(yù)計(jì)將基于 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)，小批量試生產(chǎn)計(jì)劃于 2027 年下半年進(jìn)行。英偉達(dá)的策略和 HBM4 路線圖根據(jù) TrendForce 的分析，這一舉措表明英偉達(dá)正朝著定制化 HBM 基板晶圓的方向發(fā)展，將 GPU 部分功能集成到基板層中，旨在提升 HBM 和 GPU 系統(tǒng)的整體性能。值得注意的是，根據(jù) TrendForce 的觀察，英偉達(dá)將在 2027 年上半年
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