美光科技 文章 最新資訊
分析師看淡無緣英偉達(dá)HBM4供應(yīng)影響 美光科技股價(jià)走高
- 美光科技股價(jià)在 3 月 9 日（周一）上漲約 2.3%，花旗與薩斯奎漢納兩家機(jī)構(gòu)也上調(diào)了其目標(biāo)股價(jià)，此番變動正值該芯片制造商即將于 3 月 18 日發(fā)布財(cái)報(bào)之際。韓國媒體上周末報(bào)道稱，英偉達(dá)的 Vera Rubin 人工智能系統(tǒng)將采用三星電子和海力士的 HBM4 芯片，并未選擇美光。截至當(dāng)日午后交易時段，美光股價(jià)報(bào) 378.78 美元。美光將于 3 月 18 日公布 2026 財(cái)年第二季度業(yè)績，這也讓相關(guān)爭議有了新的討論意義，投資者正密切關(guān)注美光能在新一輪人工智能存儲芯片周期中占據(jù)多少市場份額。高帶寬內(nèi)存
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240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠
- 隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)將于2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設(shè)的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來10年內(nèi)分階段完成，預(yù)計(jì)將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。值得一提
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美光科技宣布紐約超大規(guī)模芯片工廠正式破土動工
- 美光科技公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，將于 2026 年 1 月 16 日在紐約州奧農(nóng)多加縣為其超大規(guī)模芯片工廠正式舉行破土動工儀式。歷經(jīng)嚴(yán)格的環(huán)境評估及各項(xiàng)必要許可審批流程后，美光科技現(xiàn)已具備啟動該廠區(qū)土地平整與主體建設(shè)的條件。該項(xiàng)目是紐約州歷史上規(guī)模最大的私營企業(yè)投資項(xiàng)目，未來將建成全球技術(shù)最前沿的存儲器制造基地，助力滿足人工智能系統(tǒng)日益增長的芯片需求 —— 而人工智能正是現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)的核心驅(qū)動力。項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)多達(dá)四座芯片工廠，建成后將成為美國規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造基地。美光科技董事長、總裁兼首席
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人工智能驅(qū)動需求 美光科技上調(diào)季度業(yè)績預(yù)測
- 美光科技上調(diào)了第四季度收入和調(diào)整后利潤的預(yù)期，原因是對其用于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的存儲芯片的需求激增，導(dǎo)致其股價(jià)在盤前上漲 5%。美光科技周一上調(diào)了對第四季度收入和調(diào)整后利潤的預(yù)測，原因是對其用于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的存儲芯片的需求激增，導(dǎo)致其股價(jià)在盤前上漲 5%。該公司目前預(yù)計(jì)收入為 112 億美元，正負(fù) 1 億美元，而此前預(yù)測為 107 億美元，正負(fù) 3 億美元。它預(yù)計(jì)調(diào)整后每股收益為 2.85 美元，正負(fù) 7 美分，而此前預(yù)期為 2.50 美元，正負(fù) 15 美分。隨著大型科技公司擴(kuò)大對人工智能數(shù)據(jù)中心的財(cái)務(wù)
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美光科技2025財(cái)年第二季度業(yè)績超預(yù)期
- 內(nèi)存大廠美光科技公布了截至2025年2月27日的2025財(cái)年第二季度業(yè)績。 其中營收為 80.5 億美元。 與之相較，上一季營收為87.1億美元，而2024財(cái)年同期為58.2億美元。 GAAP凈利15.8億美元，EPS為1.41美元。 非GAAP凈利為17.8億美元，EPS 1.56美元。有消息指出，美光第二季營收80.5億美元雖略低于第一季，但超過普遍市場預(yù)期的78.9億美元數(shù)字。 另外，該公司報(bào)告第二季非GAAP的EPS 1.56美元，也超過市場分析師預(yù)期的每股1.42美元。 因此，整體表現(xiàn)超
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
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美光科技宣布出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
- 近日，美光科技宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其速率在所有主流服務(wù)器平臺上均高達(dá)5600MT/s。據(jù)介紹，該款128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存采用美光行業(yè)領(lǐng)先的1β（1-beta）制程技術(shù)，相較于采用3DS硅通孔（TSV）技術(shù)的競品，容量密度提升45%以上，1能效提升高達(dá)22%，2延遲降低高達(dá)16%1。該款高速率內(nèi)存模組特別針對數(shù)據(jù)中心常見的任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用，包括人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）、高性能計(jì)算（HPC）、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMD
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美光、英特爾再談中國市場，說了什么？
- 4月15日，在世界互聯(lián)網(wǎng)大會會員代表座談會上，英特爾副總裁蔣濤、美光科技執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官馬克·墨菲就“互聯(lián)互通 共同繁榮—攜手構(gòu)建網(wǎng)絡(luò)空間命運(yùn)共同體”主題發(fā)表了各自的觀點(diǎn)，并與其他會員代表共同探討了國際組織未來發(fā)展及行業(yè)熱點(diǎn)議題。美光：持續(xù)深耕中國市場，共塑全球半導(dǎo)體行業(yè)未來美光扎根中國20多年來，與客戶建立了密切的合作。馬克·墨菲介紹，美光的投資體現(xiàn)了對中國的堅(jiān)定信念，期待一起繼續(xù)塑造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來，為全球帶來利益。2024年3月27日，美光宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工，進(jìn)一步
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存儲大廠業(yè)績高于預(yù)期
- 當(dāng)?shù)貢r間3月20日，存儲大廠美光科技公布截止2024年2月29日的2024財(cái)年第二季度業(yè)績。受惠于人工智能AI對HBM的強(qiáng)烈需求，美光科技該財(cái)季意外實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)虧為盈，且本季財(cái)測優(yōu)于預(yù)期。數(shù)據(jù)顯示，美光科技2 大 024財(cái)年第二季度收入為58.2億美元，上一季度為47.3億美元，去年同期為36.9億美元，同比增長約57.7%，增速遠(yuǎn)超第一財(cái)季的15.6%，高于51億到55億美元的公司自身指引區(qū)間。另外，2024年第二季度資本支出投資凈額為12.5億美元。圖片來源：美光科技官網(wǎng)截圖美光科技總裁兼首席執(zhí)行
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存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品
- 近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
- 當(dāng)?shù)貢r間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達(dá)24%、延遲降低高達(dá)16%、AI訓(xùn)練性能提升高達(dá)28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數(shù)據(jù)庫(IMDB)）以及多線程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處
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