隨著全球人工智能浪潮推動(dòng)資料中心硬體需求激增，美國，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)將于2028年下半年投產(chǎn)。

據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設(shè)的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來10年內(nèi)分階段完成，預(yù)計(jì)將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。

值得一提的是，美光此前宣布的高帶寬內(nèi)存（HBM）先進(jìn)封裝工廠也位于同一新加坡制造園區(qū)內(nèi)，目前正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)將于2027年為美光的HBM供應(yīng)做出重要貢獻(xiàn)。隨著HBM成為美光新加坡制造布局的一部分，該公司預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM生產(chǎn)之間將出現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)。

美光公司預(yù)計(jì)，此次宣布的對(duì)于新加坡先進(jìn)晶圓制造工廠的投資將創(chuàng)造約1600個(gè)就業(yè)崗位。加上此前宣布的HBM先進(jìn)封裝工廠提供的1400個(gè)就業(yè)崗位，美光總共將帶來約3000個(gè)新增就業(yè)崗位。這些崗位將專注于晶圓廠的工程和運(yùn)營，整合人工智能、先進(jìn)機(jī)器人和智能制造技術(shù)，以提高效率和創(chuàng)新能力。

新加坡目前是美光NAND Flash芯片的主要生產(chǎn)基地。數(shù)據(jù)顯示，在2026財(cái)年的第一季，NAND Flash業(yè)務(wù)為美光貢獻(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的27億美元營收，約占該公司總營收的20%。這一數(shù)據(jù)充分說明了新加坡產(chǎn)能在美光全球業(yè)務(wù)版圖中的舉足輕重地位。美光科技此次在新加坡的巨額投資，不僅是應(yīng)對(duì)全球AI硬體短缺的戰(zhàn)略舉措，也是對(duì)新加坡做為全球半導(dǎo)體制造樞紐投下的信任票。

雖然美光現(xiàn)在新建NAND Flash晶圓廠無法緩解當(dāng)前市場(chǎng)面臨的“史無前例”存儲(chǔ)芯片短缺問題，但是有助于美光滿足未來AI和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用發(fā)展所帶來的NAND Flash需求的增長。隨著2028年新廠的投產(chǎn)，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步推動(dòng)區(qū)域內(nèi)的技術(shù)創(chuàng)新與經(jīng)濟(jì)成長，并在充滿挑戰(zhàn)的全球局勢(shì)中，為半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性提供有力支撐。

自去年下半年以來，由于AI需求爆發(fā)，全球DRAM和NAND Flash供應(yīng)持續(xù)緊缺、價(jià)格大漲，預(yù)計(jì)這種情況將會(huì)持續(xù)到2027年。特別是進(jìn)入到2026年一季度，前期價(jià)格漲幅低于DRAM的NAND Flash產(chǎn)品和合約價(jià)格也開始出現(xiàn)大幅上漲，最新傳聞顯示三星NAND Flash一季度的合約價(jià)大漲100%。

美光科技全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁Manish Bhatia表示：“美光在先進(jìn)內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，正在推動(dòng)人工智能驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)型，重塑全球經(jīng)濟(jì)。我們非常感謝新加坡政府，包括新加坡經(jīng)濟(jì)發(fā)展局 (EDB) 和裕廊集團(tuán) (JTC)，長期以來的支持和成功的合作。這項(xiàng)投資凸顯了美光對(duì)新加坡的長期承諾，新加坡是我們?nèi)蛑圃炀W(wǎng)絡(luò)的重要樞紐，有助于增強(qiáng)供應(yīng)鏈韌性，并培育充滿活力的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。”

而針對(duì)當(dāng)前的市場(chǎng)環(huán)境，Sanjay Mehrotra強(qiáng)調(diào)，隨著AI技術(shù)的不斷擴(kuò)展，內(nèi)存和存儲(chǔ)設(shè)備已不再僅僅是系統(tǒng)中的普通組件，它們已經(jīng)轉(zhuǎn)變?yōu)榻^對(duì)能實(shí)現(xiàn)AI潛質(zhì)的戰(zhàn)略資產(chǎn)。他還指出，NAND Flash芯片能夠達(dá)成高性能固態(tài)硬盤的運(yùn)行，這對(duì)于改善即時(shí)處理能力和提升大數(shù)據(jù)集的讀寫效率至關(guān)重要。相比傳統(tǒng)的HDD硬盤，NAND Flash芯片支持的固態(tài)硬盤能提供更快的讀寫速度，這正是當(dāng)前AI數(shù)據(jù)中心迫切需要的性能指標(biāo)。