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瀾起科技Q1凈利增超60%，AI推動(dòng)DDR5芯片需求上升
- 4月27日晚間，瀾起科技發(fā)布了2026年第一季度報(bào)告。報(bào)告顯示，公司當(dāng)季實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入14.61億元，同比增長(zhǎng)19.5%；歸母凈利潤(rùn)達(dá)到8.47億元，同比增長(zhǎng)61.3%；扣非凈利潤(rùn)為6.04億元，較上年同期增長(zhǎng)20.1%。瀾起科技在盈利能力方面表現(xiàn)突出，2026年第一季度毛利率達(dá)到69.8%，相比上年同期提升了9.3個(gè)百分點(diǎn)。據(jù)公司透露，業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)主要得益于AI產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，行業(yè)需求持續(xù)旺盛。具體來(lái)看，DDR5技術(shù)的滲透率不斷提升，且子代產(chǎn)品持續(xù)迭代，推動(dòng)公司DDR5 RCD芯片出貨量顯著增加。其中，第三、
- 關(guān)鍵字： 瀾起科技 AI DDR5 芯片需求
DDR5利潤(rùn)率現(xiàn)已超過(guò)HBM
- 美光科技公司表示，包括DDR5在內(nèi)的傳統(tǒng)DRAM的利潤(rùn)率最近已經(jīng)超過(guò)了HBM的利潤(rùn)率，這反映了長(zhǎng)期合同結(jié)構(gòu)和供應(yīng)緊張狀況的綜合影響。HBM采用先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)DRAM芯片堆疊在一起，通常制造工藝更復(fù)雜，價(jià)格也更高。值得注意的是，HBM和傳統(tǒng)DRAM目前利潤(rùn)都很豐厚，但通用DRAM（包括用于PC和智能手機(jī)的產(chǎn)品）的利潤(rùn)率已經(jīng)超過(guò)了HBM。利潤(rùn)率變化的主要原因首先，HBM的供應(yīng)越來(lái)越受長(zhǎng)期協(xié)議的制約，美光將其稱(chēng)為戰(zhàn)略客戶協(xié)議 （SCA）。美光首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，HBM的價(jià)格通常在年初之前
- 關(guān)鍵字： DDR5 HBM
DDR5內(nèi)存，價(jià)格首降
- 據(jù)3D Center追蹤的德國(guó)內(nèi)存市場(chǎng)行情顯示，2026年3月，其監(jiān)測(cè)多款DDR5內(nèi)存套裝平均價(jià)格環(huán)比下跌7.2%，價(jià)格指數(shù)回落至408%，這也是DDR5內(nèi)存自2025年7月以來(lái)首次出現(xiàn)降價(jià)。3D Center的數(shù)據(jù)圖表來(lái)源于Gheizal，該平臺(tái)追蹤德國(guó)多家硬件零售商的產(chǎn)品價(jià)格。以2025年7月價(jià)格為基準(zhǔn)：8-9月，DDR5價(jià)格小幅上漲；10月，均價(jià)環(huán)比上漲15.8%（涵蓋8GB、16GB、24GB、32GB、48GB各頻率DDR5套裝）；11月，暴漲49.5%；12月，漲幅達(dá)到峰值93%；1月，繼續(xù)上
- 關(guān)鍵字： DDR5 內(nèi)存 價(jià)格
DDR5價(jià)格飆漲，實(shí)測(cè)更便宜的中國(guó)產(chǎn)內(nèi)存
- DDR5 的漲價(jià)噩夢(mèng)至今仍未緩和，但今天我們要測(cè)試一款方案，對(duì)所有急需入手內(nèi)存的用戶來(lái)說(shuō)，它或許是個(gè)可行之選。想必大家早已痛苦地意識(shí)到，去年年底 DDR 內(nèi)存價(jià)格暴漲。消費(fèi)級(jí) DDR5 受到的沖擊尤為慘烈，短短幾個(gè)月內(nèi)價(jià)格翻了三倍。這波漲價(jià)的導(dǎo)火索是 OpenAI：出于 AI 業(yè)務(wù)的龐大需求，它與三星、SK 海力士簽訂協(xié)議，買(mǎi)斷了兩家廠商相當(dāng)一部分 HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能。結(jié)果就是，三星和 SK 海力士將生產(chǎn)線從普通 PC、手機(jī)內(nèi)存，轉(zhuǎn)向了 HBM 和服務(wù)器級(jí)產(chǎn)品?？吹?OpenAI 這么做后，谷歌、M
- 關(guān)鍵字： DDR5 中國(guó)產(chǎn)內(nèi)存 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) CXMT
DDR5顆粒擬漲40%，Q2 DRAM價(jià)格或翻倍
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，SK海力士和三星兩大內(nèi)存巨頭接連傳出漲價(jià)消息，DDR5內(nèi)存顆粒價(jià)格擬上調(diào)40%，第二季度DRAM價(jià)格或?qū)⒎丁?nbsp;內(nèi)存模組廠商已暫停對(duì)外報(bào)價(jià)，等待成本重新核算。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《PCDIY！》資深記者Rose Lee透露，新一波內(nèi)存漲價(jià)將呈現(xiàn)“一浪接一浪”的迅猛態(tài)勢(shì)，傳導(dǎo)速度極快。其中，DDR5主流32GB規(guī)格產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)將從目前約新臺(tái)幣1萬(wàn)元飆升至2萬(wàn)元，突破歷史新高。目前，全球渠道商和代理商仍有部分低價(jià)庫(kù)存，但隨著成本上漲，這些庫(kù)存將逐步被消化，市場(chǎng)將全面進(jìn)入高價(jià)時(shí)代。
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布DDR5和LPDDR5X新品
- 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近日正式推出其最新的DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品系列，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)邁上新臺(tái)階。據(jù)官方介紹，此次發(fā)布的DDR5系列產(chǎn)品最高速率達(dá)到8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，同時(shí)覆蓋服務(wù)器、工作站及個(gè)人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。此外，LPDDR5X移動(dòng)端內(nèi)存的最高速率達(dá)到10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，性能和容量均處于業(yè)界領(lǐng)先水平。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力得到了充分體現(xiàn)。此次發(fā)布不僅是對(duì)自身技術(shù)積累的一次集中展示，也表明國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已具備與國(guó)際一線廠商競(jìng)爭(zhēng)的能力。專(zhuān)家指出
- 關(guān)鍵字： 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) DDR5 LPDDR5X
三星遲交DDR5合約報(bào)價(jià)至11月中 現(xiàn)貨價(jià)繼續(xù)暴漲三級(jí)跳
- 記憶體缺貨一路加劇，云端服務(wù)（CSP）大廠持續(xù)擴(kuò)大資本支出投入，AI排擠效應(yīng)日趨嚴(yán)重，供應(yīng)鏈業(yè)者透露，三星電子（Samsung Electronics）率先帶頭，10月DDR5 DRAM暫停合約報(bào)價(jià)，引發(fā)其他原廠相繼跟進(jìn)，這將導(dǎo)致供應(yīng)鏈面臨「斷糧」，預(yù)計(jì)將延后至11月中旬，才有望恢復(fù)報(bào)價(jià)。 近期DRAM市場(chǎng)現(xiàn)貨價(jià)暴漲，尤其DDR5價(jià)格已較上月底呈現(xiàn)「倍數(shù)跳增」，業(yè)界大嘆，采購(gòu)成本將呈火箭飆升。三星遲不提供合約報(bào)價(jià) 三大原廠供貨策略趨嚴(yán)2025年10月存儲(chǔ)器現(xiàn)貨價(jià)格業(yè)界人士指出，盡管內(nèi)存2025年第4季合約
- 關(guān)鍵字： 三星 DDR5
Crucial英睿達(dá)推出迄今功能最強(qiáng)大的游戲內(nèi)存：DDR5 Pro OC 6400 CL32
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）旗下品牌?Crucial??英睿達(dá)? 推出DDR5 Pro?超頻 （OC）?6400 CL32?游戲?DRAM，進(jìn)一步兌現(xiàn)對(duì)游戲玩家的承諾。這款新內(nèi)存專(zhuān)為技術(shù)發(fā)燒友設(shè)計(jì)，提供?32GB?套件或?16GB?單條模塊[2]，速度更快、延遲更低，且采用大膽的新設(shè)計(jì)，使外觀和性能一樣優(yōu)越。此次發(fā)布鞏固了?Cruci
- 關(guān)鍵字： Crucial 英睿達(dá) DDR5 Pro 美光
美光恢復(fù)報(bào)價(jià)全面調(diào)漲 DDR5漲勢(shì)兇猛試探市場(chǎng)水溫
- AI帶動(dòng)存儲(chǔ)器市況快速回溫，內(nèi)存大廠美光（Micron）日前曾暫停報(bào)價(jià)，隨著財(cái)報(bào)公布后，已恢復(fù)對(duì)外報(bào)價(jià)，DRAM及NAND Flash雙雙應(yīng)聲上漲，除了即將停產(chǎn)的DDR4供應(yīng)稀缺下，漲幅最高超過(guò)2成，DDR5也呈現(xiàn)強(qiáng)勁漲勢(shì)。 供應(yīng)鏈指出，近期云端服務(wù)（CSP）客戶搶貨積極，帶動(dòng)服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格明顯反彈，若終端報(bào)價(jià)調(diào)漲一舉成功，上游內(nèi)存顆粒第4季價(jià)格也將順應(yīng)接受調(diào)漲。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務(wù)執(zhí)行長(zhǎng)Sumit Sadana在財(cái)報(bào)會(huì)議后指出，對(duì)于2025年會(huì)計(jì)年度的營(yíng)運(yùn)成果感到非常振奮，不僅營(yíng)收成長(zhǎng)了將近50%，
- 關(guān)鍵字： 美光 調(diào)漲 DDR5
DDR4退場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)CPU面臨小考
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開(kāi)始，DDR4 持續(xù)漲價(jià)。熱門(mén)料號(hào)如 DDR4 16Gb 3200MHz 價(jià)格由 5 月 6 日當(dāng)周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過(guò) 160%。甚至，相同內(nèi)存條件下，DDR4 的價(jià)格比 DDR5 更貴，形成了少見(jiàn)的「價(jià)格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià)：「從來(lái)沒(méi)見(jiàn)過(guò)，即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時(shí)，價(jià)格飆得如此之高?！棺鳛榕c CPU 直接交互的存儲(chǔ)介質(zhì)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率隨機(jī)存儲(chǔ)器）的技術(shù)規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
- 關(guān)鍵字： DDR4 DDR5
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 模塊價(jià)格超過(guò) DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購(gòu)買(mǎi)
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過(guò)了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來(lái)，短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國(guó)關(guān)稅是否會(huì)被實(shí)施——這可能會(huì)引發(fā)又一波恐慌性購(gòu)買(mǎi)。至于 NAND 閃存，由于國(guó)家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng)，618 購(gòu)物節(jié)對(duì) NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價(jià)格已超過(guò) DDR5 模塊價(jià)格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ) DDR4 DDR5 市場(chǎng)分析
DDR5上升趨勢(shì)放緩;DRAM價(jià)格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM 方面，DDR5 價(jià)格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計(jì) 25 年第三季度整體 DRAM 價(jià)格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價(jià)格在 2 月下旬以來(lái)上漲后已達(dá)到相對(duì)較高的水平，購(gòu)買(mǎi)勢(shì)頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會(huì)出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價(jià)格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價(jià)格。因此，上升趨勢(shì)最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
- 關(guān)鍵字： DDR5 DRAM
用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開(kāi)發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺(tái)式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)輻射和納米晶磁芯，以支持高電
- 關(guān)鍵字： DDR5 PMIC 屏蔽式功率電感器
內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價(jià) DDR5 逐步啟動(dòng)
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格相比 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買(mǎi)家放慢了詢價(jià)和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：與合約市場(chǎng)的情況類(lèi)似，現(xiàn)貨市場(chǎng)顯示，由于預(yù)期未來(lái)供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價(jià)格與 DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價(jià)格也繼續(xù)逐步上漲，因?yàn)槟K公司急于增加庫(kù)存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè) 2Q25
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DDR4 DDR5
Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級(jí)
- 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺(tái)積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對(duì)于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴(kuò)展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
- 關(guān)鍵字： Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 內(nèi)存IP 云端AI
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