美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存
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當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月9日，存儲(chǔ)大廠(chǎng)美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來(lái)的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
本文引用地址：http://www.chinabohe.com/article/202311/452857.htm據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競(jìng)爭(zhēng)性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達(dá)24%、延遲降低高達(dá)16%、AI訓(xùn)練性能提升高達(dá)28%。該產(chǎn)品旨在滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)(IMDB)）以及多線(xiàn)程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處理。
美光32Gb DDR5內(nèi)存解決方案采用創(chuàng)新的芯片架構(gòu)選擇，可實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的陣列效率和最密集的單片DRAM芯片。電壓域和刷新管理功能有助于優(yōu)化供電網(wǎng)絡(luò)，提供急需的能源效率改進(jìn)。并優(yōu)化了芯片尺寸縱橫比，以提高32Gb高容量DRAM芯片的制造效率。
美光預(yù)計(jì)2024年發(fā)貨4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s128GB RDIMM產(chǎn)品，未來(lái)將提升至8000MT/s。
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