最近，SK海力士完成了與英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)價(jià)格談判。根據(jù)雙方協(xié)議，HBM4的最終供應(yīng)價(jià)格定在每顆約560美元，較上一代HBM3E（約370美元）漲幅超過50%。不過，由于HBM4采用更復(fù)雜的堆疊技術(shù)（如混合鍵合技術(shù)），以實(shí)現(xiàn)更高的互連密度和更小的節(jié)距，因此SK海力士在臺(tái)積電生產(chǎn)的HBM4芯片總成本比上一代產(chǎn)品增加了30%。

HBM4價(jià)格暴漲

今年5月，集邦咨詢?cè)趫?bào)告中預(yù)測(cè)，HBM4溢價(jià)幅度將突破30%，但SK海力士與英偉達(dá)的這場(chǎng)談判超過了行業(yè)最初的預(yù)期。SK海力士向英偉達(dá)提出的HBM4報(bào)價(jià)為每顆540~560美元左右，盡管英偉達(dá)不愿接受如此高的報(bào)價(jià)，但最終仍按照SK海力士的提案確定了價(jià)格。實(shí)際落地價(jià)格比市場(chǎng)預(yù)期高出10%以上，凸顯出AI算力需求持續(xù)爆發(fā)下，高端存儲(chǔ)芯片的供需失衡狀況比想象中更為嚴(yán)重。

HBM4價(jià)格暴漲正深刻影響著AI芯片的成本結(jié)構(gòu)：根據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，HBM4占英偉達(dá)下一代GPU（如Rubin架構(gòu)）總成本的25%，較HBM3E時(shí)代的18%大幅提升。而英偉達(dá)已通過AI芯片漲價(jià)15%來轉(zhuǎn)嫁部分成本，這一變化將進(jìn)一步推高AI服務(wù)器整機(jī)價(jià)格，可能抑制中小型企業(yè)的算力采購需求。

從技術(shù)角度看，HBM4的數(shù)據(jù)傳輸通道數(shù)量達(dá)到2048個(gè)，是HBM3E（1024個(gè)）的兩倍，大幅提升了數(shù)據(jù)處理速度。另外，HBM4在基底芯片中集成了計(jì)算優(yōu)化和能效管理等邏輯功能。

實(shí)際上，市場(chǎng)壟斷地位為SK海力士提供了定價(jià)權(quán)。當(dāng)前全球HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局中，SK海力士以62%的出貨量市場(chǎng)份額占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位，美光科技以21%位列第二，三星電子則以17%位居第三。今年3月，SK海力士就率先向英偉達(dá)交付了全球首款HBM4 12層堆棧樣品，6月開始供應(yīng)初始批次 —— 這種技術(shù)領(lǐng)先和市場(chǎng)時(shí)機(jī)優(yōu)勢(shì)，為其在價(jià)格談判中增加了重要籌碼。

有消息顯示，美光的HBM4產(chǎn)品難以滿足英偉達(dá)對(duì)性能和功耗的要求，可能需要重新設(shè)計(jì)芯片架構(gòu)，導(dǎo)致量產(chǎn)延后長達(dá)9個(gè)月；三星的HBM4則仍在積極提升良率當(dāng)中，預(yù)計(jì)明年上半年才能量產(chǎn)。這使得SK海力士成為目前唯一能夠滿足英偉達(dá)要求的HBM4供應(yīng)商，在談判中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

三星目標(biāo)價(jià)格瞄準(zhǔn)SK海力士

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，英偉達(dá)在與SK海力士敲定明年的HBM4供貨合同僅一周后，便邀請(qǐng)三星參與明年HBM4供應(yīng)的價(jià)格談判。目前談判已進(jìn)入最后階段，預(yù)計(jì)年內(nèi)將做出最終決定。

雖然三星此前供應(yīng)的12層堆疊的HBM3E的單價(jià)相對(duì)較低，比SK海力士的同類產(chǎn)品低約30%，但是對(duì)于12層堆疊的HBM4的供應(yīng)價(jià)格，三星的目標(biāo)是以英偉達(dá)與SK海力士簽訂HBM4供應(yīng)合同的價(jià)格相當(dāng)，即維持在500美元中段左右，相比之前的HBM3E供應(yīng)價(jià)格提升了超過150%。

一位消息人士解釋說：“三星此前已為英偉達(dá)預(yù)留了HBM3E芯片，但由于認(rèn)證延遲，導(dǎo)致產(chǎn)品無法及時(shí)出貨，迫使其緊急將產(chǎn)品供應(yīng)給其他大型科技公司。這部分產(chǎn)品不得不以更低的價(jià)格出售，從而拉低了平均單價(jià)?！?/em> 

值得注意的是，三星正在利用更先進(jìn)1c DRAM的HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)，來確保對(duì)SK海力士的基于1b DRAM的HBM4的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這或許也是三星要求對(duì)英偉達(dá)供應(yīng)HBM4的價(jià)格與SK海力士相當(dāng)?shù)牡讱猓煌瑫r(shí)，明年市場(chǎng)對(duì)于HBM4的需求已經(jīng)超過了市場(chǎng)供應(yīng)，在只有SK海力士和三星具有HBM4量產(chǎn)供應(yīng)能力的情況下，三星自然不愿意降低單價(jià)，即使降價(jià)，價(jià)格差異也不會(huì)很大。

三星最早可能在明年第二季度就開始供應(yīng)芯片，這將打破SK海力士在上半年壟斷英偉達(dá)HBM4供應(yīng)的格局，并將兩家公司之間的供應(yīng)差距從半年一次縮小到季度一次。然而，要實(shí)現(xiàn)這一愿景，提早實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)必不可少。目前，三星1c DRAM的HBM4標(biāo)準(zhǔn)良率僅為50%。

為了避免在DRAM領(lǐng)域失去主導(dǎo)地位，提升對(duì)于SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)力，三星計(jì)劃在明年年底前將其HBM4的1C DRAM產(chǎn)能從目前的每月2萬片晶圓提高到每月15萬片晶圓，以滿足市場(chǎng)對(duì)于HBM4的需求。三星官員表示：“如果算上現(xiàn)有成熟工藝線改造為1c DRAM的產(chǎn)能，我們明年每月將能夠分配約15萬個(gè)1c DRAM晶圓用于HBM4?！?/p>

中國正在加速追趕

面對(duì)HBM市場(chǎng)的巨大機(jī)遇和技術(shù)壁壘，中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正在加速追趕。目前，長鑫存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)16nm HBM3量產(chǎn)并供應(yīng)華為，成為全球第三個(gè)具備HBM3量產(chǎn)能力的國家。盡管國產(chǎn)HBM3在層數(shù)（8層）和帶寬（6.4Gbps）上落后于SK海力士的12層HBM3E（9.6Gbps），但16nm工藝成熟度已支撐商業(yè)化落地。

國家投入超百億資金支持國產(chǎn)HBM發(fā)展：在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同方面，國產(chǎn)設(shè)備廠商（如中微公司的先進(jìn)封裝設(shè)備、賽騰股份的HBM檢測(cè)設(shè)備）和材料供應(yīng)商已切入HBM供應(yīng)鏈，目標(biāo)2026年市占率突破20%。