三星文章最新資訊

三星4nm制程良率突破80%

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，標(biāo)志著該技術(shù)正式進(jìn)入成熟階段。這一進(jìn)展顯著增強(qiáng)了三星在晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，使其能夠與中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商臺(tái)積電展開正面對(duì)決，同時(shí)更好地滿足全球科技巨頭尤其是AI領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒男枨?。三星平澤園區(qū)是此次技術(shù)突破的核心陣地。該園區(qū)目前不僅生產(chǎn)5nm和7nm芯片，還已具備供應(yīng)4nm芯片的能力。這些芯片可廣泛應(yīng)用于AI加速器、汽車電子及移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，甚至可用作第六代HBM4內(nèi)存芯片的基底芯片。業(yè)內(nèi)人士分析，此次良率的提升將幫助三星晶圓代工業(yè)務(wù)
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谷歌DeepMind擬深化與三星、SK海力士、LG等合作

谷歌將在韓國(guó)首爾建設(shè)全球首座人工智能園區(qū)，并計(jì)劃與三星、SK海力士、LG集團(tuán)等深化合作。據(jù)韓媒報(bào)道，4月27日，韓國(guó)總統(tǒng)政策顧問金容范表示，韓國(guó)與谷歌已達(dá)成協(xié)議，將在首爾建設(shè)全球首座人工智能（AI）園區(qū)，以促進(jìn)其與韓國(guó)本土工程師及初創(chuàng)企業(yè)之間的合作。另有消息稱，谷歌DeepMind聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官（CEO）戴密斯·哈薩比斯于28日接連會(huì)見三星、SK海力士、LG集團(tuán)掌門人，并就谷歌在人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域的深化合作進(jìn)行討論。據(jù)悉，谷歌DeepMind負(fù)責(zé)制造谷歌的人工智能模型Gemini。三星同時(shí)擁有晶
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臺(tái)積電與三星1納米制程爭(zhēng)霸戰(zhàn)打響

據(jù)報(bào)道，隨著AI芯片需求的持續(xù)增長(zhǎng)，全球晶圓代工兩大巨頭臺(tái)積電與三星電子在先進(jìn)制程領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。雙方圍繞1納米、2納米制程展開的戰(zhàn)略布局，展現(xiàn)出截然不同的發(fā)展節(jié)奏。據(jù)臺(tái)積電近期發(fā)布的發(fā)展藍(lán)圖顯示，公司計(jì)劃在2027年實(shí)現(xiàn)1納米等級(jí)制程的量產(chǎn)，首發(fā)為A16（即1.6納米）制程，隨后在2028年推出A14制程，并于2029年進(jìn)一步升級(jí)至A13和A12制程。其中，A13制程相較于A14能夠縮減6%的芯片面積，同時(shí)通過設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）提升能源效率與性能表現(xiàn)。而A12制程作為A14的強(qiáng)化版，將專為
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臺(tái)積電暫緩引入High-NA EUV，先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)不只是設(shè)備選擇

臺(tái)積電并沒有急著把High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻技術(shù)放進(jìn)2029年前的量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。作為對(duì)比，英特爾則更早導(dǎo)入High-NA設(shè)備。兩家公司真正的差異，不只是設(shè)備選擇，而是量產(chǎn)節(jié)奏、成本和良率風(fēng)險(xiǎn)的取舍。
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AI存儲(chǔ)"印鈔機(jī)"：三星、SK海力士利潤(rùn)率超70%

綜合韓媒報(bào)道，SK海力士2026年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率逼近72%；營(yíng)收達(dá)52萬億韓元（約2,413億元人民幣），營(yíng)業(yè)利潤(rùn)突破37萬億韓元（約1,717億元人民幣）。SK海力士的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率不僅高于英偉達(dá)約65%的水平，也超出臺(tái)積電約58%的利潤(rùn)率，更是大幅領(lǐng)先蘋果、谷歌約30%的盈利表現(xiàn)。這一成績(jī)得益于全球AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)熱潮，特別是在生成式AI和大型語言模型需求的推動(dòng)下，帶動(dòng)DRAM、HBM、NAND等存儲(chǔ)芯片價(jià)格全面走高。技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)品落地層面，SK海力士預(yù)計(jì)在2026年下半年向客戶提供第七代HBM4E樣
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三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達(dá)標(biāo)，短期內(nèi)可能無法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，進(jìn)而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進(jìn)節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計(jì)劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的人士透露，三星電子決定在D1d良率達(dá)到預(yù)期目標(biāo)之前無限期推遲量產(chǎn)計(jì)劃，且尚未明確重啟時(shí)間。公司正重新審視工藝路線圖，以尋求良率提升的解決方案。盡管D1d DRAM技術(shù)此前已通過預(yù)生產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA），但因良率低于預(yù)期，三星對(duì)其試產(chǎn)和量產(chǎn)的投資回報(bào)率（ROI）表示擔(dān)憂。D1d DRAM技術(shù)對(duì)三
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曝iPhone 18標(biāo)準(zhǔn)版屏幕降級(jí)

據(jù)科技媒體Wccftech報(bào)道，下一代標(biāo)準(zhǔn)版iPhone的屏幕可能要退回四年前的水平。隨著內(nèi)存成本不斷上漲，蘋果似乎不得不在產(chǎn)品策略上做出取舍。iPhone 18標(biāo)準(zhǔn)版可能會(huì)采用M14或M12+面板，其中M12+目前被認(rèn)為是最可能的選擇。分析人士Schr?dinger Intel預(yù)測(cè)，蘋果可能將在iPhone 18基礎(chǔ)款的屏幕上嚴(yán)重減配，將采用M12+基材，而這還是多年前iPhone 14 Pro上的屏幕基材。他表示，蘋果將不會(huì)在發(fā)布會(huì)中提到M12+發(fā)光基材。Schr?dinger Intel：“Appl
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高通或?qū)⑽腥?nm代工驍龍 8 Elite 2，與 SK 海力士洽談內(nèi)存合作

據(jù)報(bào)道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵達(dá)韓國(guó)，計(jì)劃陸續(xù)與三星電子、SK 海力士高管會(huì)面。《韓經(jīng)》消息顯示，此行核心議題之一是與三星晶圓代工展開潛在合作。安蒙預(yù)計(jì)與三星代工總裁韓鎮(zhèn)滿等高層會(huì)談，討論由三星2nm 工藝（SF2）生產(chǎn)高通下一代旗艦應(yīng)用處理器驍龍 8 Elite 2。安蒙此前已釋放與三星代工合作的信號(hào)。2026 年 1 月 CES 展上，他曾表示高通已就 2nm 芯片制造與三星啟動(dòng)磋商，且芯片設(shè)計(jì)已完成。若合作達(dá)成，高通最先進(jìn)的芯片訂單將時(shí)
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三星向法院申請(qǐng)禁制令防范非法罷工行為

三星電子與內(nèi)部工會(huì)的勞資沖突正在加劇。一場(chǎng)潛在的罷工，可能讓三星付出極其昂貴的代價(jià)。即使三星啟動(dòng)備用產(chǎn)能，一天造成的營(yíng)業(yè)損失仍可能達(dá)1萬億韓元，最終累計(jì)損失恐達(dá)20萬億甚至30萬億韓元（約合人民幣926億元至1389億元）。作為參照，2024年三星全年的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)約為32.7萬億韓元。此次發(fā)出巨額損失警告，被外界解讀為工會(huì)試圖在談判中加大籌碼。這一估算可能涵蓋了生產(chǎn)中斷的直接損失、客戶訂單流失的間接影響，以及重啟產(chǎn)線所需的額外成本。對(duì)于一家高度依賴連續(xù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體巨頭而言，即使是短期的停擺，其連鎖反應(yīng)也可能
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英特爾挖角三星代工業(yè)務(wù)全球銷售負(fù)責(zé)人

隨著英特爾持續(xù)打造半導(dǎo)體業(yè)務(wù)王牌核心團(tuán)隊(duì)，英特爾晶圓代工部門迎來新晉高管 —— 來自三星晶圓代工的韓承勛（音譯，Shawn Han）。三星晶圓代工資深高管韓承勛加盟英特爾晶圓代工，坐擁數(shù)十年半導(dǎo)體行業(yè)資深經(jīng)驗(yàn)英特爾執(zhí)行副總裁Naga Chandrasekaran（納加?錢德拉塞卡蘭）在領(lǐng)英發(fā)布這一人事消息，英特爾晶圓代工官方社交賬號(hào)也在 X 平臺(tái)同步轉(zhuǎn)發(fā)。納加在動(dòng)態(tài)中宣布，韓承勛正式加入英特爾，出任晶圓代工業(yè)務(wù)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理，擔(dān)任核心管理職務(wù)。相關(guān)資訊：英特爾將全面披露馬斯克劃時(shí)代 TeraFab 項(xiàng)
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韓國(guó)搶攻玻璃基板標(biāo)準(zhǔn)對(duì)抗英特爾，Absolics、三星加速商業(yè)化

玻璃基板商業(yè)化進(jìn)程持續(xù)加速，韓國(guó)廠商與英特爾正展開正面主導(dǎo)權(quán)競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)《全球經(jīng)濟(jì)》報(bào)道，英特爾已規(guī)劃2030 年玻璃基板技術(shù)路線圖以搶占技術(shù)優(yōu)勢(shì)；韓方企業(yè)則加速商業(yè)化落地，避免英特爾在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定中占據(jù)上風(fēng)。報(bào)道指出，核心爭(zhēng)奪焦點(diǎn)在于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)權(quán)：若英特爾成功確立標(biāo)準(zhǔn)，全球無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)企業(yè)可能被迫遵循其規(guī)格，對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)構(gòu)成重大威脅。值得注意的是，玻璃基板的戰(zhàn)略意義遠(yuǎn)超現(xiàn)有應(yīng)用。其關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于適配即將到來的光子時(shí)代—— 數(shù)據(jù)將以光而非電信號(hào)傳輸。韓國(guó)率先擴(kuò)產(chǎn)，挑戰(zhàn)英特爾玻璃基板標(biāo)準(zhǔn)面對(duì)英特爾的推進(jìn)
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韓媒曝三星2納米困境頂尖大廠不買單

三星在關(guān)鍵的良率與量產(chǎn)能力尚未全面達(dá)標(biāo)之前，仍難以撼動(dòng)臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。南韓媒體《釜山日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工廠的2納米制程良率仍低于60%的量產(chǎn)門檻。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星2納米制程初步良率約為55%，距離業(yè)界普遍認(rèn)定的60%量產(chǎn)門檻僅差一步。況且，若進(jìn)一步納入后端加工環(huán)節(jié)，實(shí)際有效良率甚至可能降至40%左右，使得整體量產(chǎn)穩(wěn)定性仍存在不小變數(shù)。值得注意的是，三星在過去一年確實(shí)展現(xiàn)改善能力，2025年下半年，其2納米良率仍僅約20%，但在不到一年時(shí)間內(nèi)提升至接近55%，進(jìn)步幅度相當(dāng)顯著。不過，
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折疊屏手機(jī)進(jìn)入“闊型”時(shí)代

華為目前已宣布，Pura系列及全場(chǎng)景新品發(fā)布會(huì)定檔4月20日14:30。同時(shí)，華為還直接官宣了Pura X Max的外觀和設(shè)計(jì)。這次“Max”后綴是整款產(chǎn)品最直觀的變化，它直接指向了“闊”這一核心特性。從官方發(fā)布的物料中可以看出，該機(jī)采用了橫向?qū)φ墼O(shè)計(jì)，小屏是頂部居中挖孔攝像頭，內(nèi)部折疊大屏是右上角挖孔攝像頭。按照爆料來看，全新的華為Pura X Max外屏5.3英寸，展開之后內(nèi)屏7.5英寸。Pura X Max最大優(yōu)勢(shì)或許就在屏幕長(zhǎng)寬比，大概在1.4:1左右，與A4紙的橫縱比類似（即1.414:1），這
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蘋果折疊屏供應(yīng)鏈逐步成型：三星、富士康與中國(guó)供應(yīng)商成核心

距離蘋果秋季發(fā)布會(huì)還有數(shù)月，其首款可折疊 iPhone 的相關(guān)討論已迅速升溫。日經(jīng)新聞指出，蘋果首款折疊 iPhone 在工程測(cè)試階段遭遇技術(shù)瓶頸，存在延期風(fēng)險(xiǎn)；但彭博社稱，盡管初期供貨可能受限，該機(jī)仍按計(jì)劃于9 月發(fā)布。集微網(wǎng)表示，在此背景下，鑒于該產(chǎn)品對(duì)蘋果的戰(zhàn)略重要性，市場(chǎng)目光正越來越多地投向其潛在供應(yīng)鏈。面板策略：三星獨(dú)家供貨，采用 CoE 技術(shù)據(jù)集微網(wǎng)消息，蘋果已確定未來三年折疊手機(jī) OLED 面板由三星顯示獨(dú)家供應(yīng)。面板將采用彩色封裝層（CoE）技術(shù)，在封裝層上方直接形成彩色濾光層，無需偏光
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三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標(biāo)將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍

盡管 JEDEC 計(jì)劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報(bào)道，三星電子未來技術(shù)研究項(xiàng)目下一項(xiàng)基于垂直芯片（Vertical Die）的先進(jìn)封裝研發(fā)已取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。值得關(guān)注的是，該方案據(jù)稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報(bào)道稱，該項(xiàng)目由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）權(quán)志旼教授擔(dān)任首席研究員，已取得重要學(xué)術(shù)里程碑：一篇關(guān)于 Vertical Die 架構(gòu)的論文已被
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三星介紹

　韓國(guó)三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國(guó)惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國(guó)的投資與合作，已經(jīng)成為對(duì)中國(guó)投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國(guó)的銷售額突破100億美元，躍入中國(guó)一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價(jià)值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評(píng)選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]