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良率
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SK海力士HBM混合鍵合工藝良率已提升
- 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士近日宣布，其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）混合鍵合工藝的良率已實(shí)現(xiàn)顯著提升。公司技術(shù)負(fù)責(zé)人金鐘勛（Kim Jong-hoon）透露，采用混合鍵合技術(shù)的12層HBM堆疊結(jié)構(gòu)已完成驗(yàn)證工作。目前，團(tuán)隊(duì)正集中精力優(yōu)化良率，以確保該技術(shù)能夠順利投入實(shí)際生產(chǎn)。這一進(jìn)展標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)邁出了重要一步?；旌湘I合技術(shù)被認(rèn)為是推動(dòng)HBM性能提升的關(guān)鍵工藝之一。通過(guò)該技術(shù)，存儲(chǔ)芯片能夠?qū)崿F(xiàn)更高的帶寬和更小的尺寸，從而滿足人工智能、高性能計(jì)算等領(lǐng)域日益增長(zhǎng)的需求。
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韓媒曝三星2納米困境 頂尖大廠不買單
- 三星在關(guān)鍵的良率與量產(chǎn)能力尚未全面達(dá)標(biāo)之前，仍難以撼動(dòng)臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。 南韓媒體《釜山日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，三星晶圓代工廠的2納米制程良率仍低于60%的量產(chǎn)門檻。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星2納米制程初步良率約為55%，距離業(yè)界普遍認(rèn)定的60%量產(chǎn)門檻僅差一步。 況且，若進(jìn)一步納入后端加工環(huán)節(jié)，實(shí)際有效良率甚至可能降至40%左右，使得整體量產(chǎn)穩(wěn)定性仍存在不小變數(shù)。值得注意的是，三星在過(guò)去一年確實(shí)展現(xiàn)改善能力，2025年下半年，其2納米良率仍僅約20%，但在不到一年時(shí)間內(nèi)提升至接近55%，進(jìn)步幅度相當(dāng)顯著。 不過(guò)，
- 關(guān)鍵字： 三星 2納米 制程 良率 臺(tái)積電
芯片清洗：潔凈標(biāo)準(zhǔn)的全新挑戰(zhàn)
- 先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)下，污染已成為系統(tǒng)級(jí)的良率限制因素，且尚無(wú)簡(jiǎn)單的解決辦法核心要點(diǎn)最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)中，污染物的識(shí)別難度大幅提升，晶圓廠不得不重新思考污染控制的實(shí)現(xiàn)方式污染引發(fā)的問(wèn)題可能表現(xiàn)為電學(xué)異?；蚪y(tǒng)計(jì)性偏差，而非顆粒雜質(zhì)，且并非在制程初期就顯現(xiàn)行業(yè)亟需可靠的污染物分類方法，以精準(zhǔn)識(shí)別關(guān)鍵污染問(wèn)題，減少在無(wú)影響失效問(wèn)題上耗費(fèi)的時(shí)間與精力在半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的大部分歷程中，污染一直被視為顆粒雜質(zhì)問(wèn)題。良率損失可追溯至異物進(jìn)入非目標(biāo)區(qū)域，而制程控制也主要圍繞過(guò)濾、清洗和雜質(zhì)分類展開(kāi)。只要能將顆粒雜質(zhì)控制在臨界尺寸閾值
- 關(guān)鍵字： 芯片清洗 良率 原子層沉積 缺陷檢測(cè)
因良率問(wèn)題，三星Exynos 2600可能僅覆蓋Galaxy S26產(chǎn)量的30%
- 三星正在推動(dòng) Exynos 的卷土重來(lái)，有報(bào)道稱 Exynos 2600 在內(nèi)部測(cè)試中表現(xiàn)出色。然而，低收益率仍可能阻礙該芯片的更廣泛采用。據(jù)韓國(guó)媒體 DealSite 援引消息人士的話報(bào)道，三星代工廠已開(kāi)始使用其尖端的 2600nm 工藝量產(chǎn) Exynos 2。該芯片預(yù)計(jì)將為即將推出的 Galaxy S26 系列提供動(dòng)力;然而，采用率可能仍然有限，據(jù)說(shuō)初始產(chǎn)量約為 15,000 片晶圓，約占明年計(jì)劃的 Galaxy S30 單元的 26%。此外，Galaxy S 系列還包括 Base
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臺(tái)積電“2納米報(bào)價(jià)”震驚市場(chǎng) 才65%良率為何敢霸氣開(kāi)價(jià)？
- 隨著臺(tái)積電2納米制程進(jìn)入量產(chǎn)最后階段，市場(chǎng)關(guān)注度持續(xù)升溫。 據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已針對(duì)2納米晶圓訂出高達(dá)每片約3萬(wàn)美元（約新臺(tái)幣90萬(wàn)）的價(jià)格，且堅(jiān)持「不打折、不議價(jià)」，藉此凸顯其在先進(jìn)制程的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。 相較之下，三星則選擇逆向作，透過(guò)相對(duì)低價(jià)與快速供貨策略，企圖吸引新客戶。韓媒《Digital Daily》指出，臺(tái)積電預(yù)計(jì)未來(lái)34個(gè)月內(nèi)開(kāi)始進(jìn)行2納米試產(chǎn)，初始月產(chǎn)能落在3萬(wàn)至3.5萬(wàn)片晶圓，并計(jì)劃于2026年擴(kuò)充至四座新廠，屆時(shí)月產(chǎn)量可望提升至6萬(wàn)片。 從良率來(lái)看，臺(tái)積電2納米初始良率已達(dá)到64%至66%
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臺(tái)積電2納米良率飆90% 英特爾「同等級(jí)產(chǎn)品」曝光
- 臺(tái)積電為晶圓代工龍頭，技術(shù)領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，先前甚至傳出2納米的良率高達(dá)90%，受到市場(chǎng)高度關(guān)注，相較之下，英特爾18A制程的良率大約落在50%左右，距離臺(tái)積電仍然有段差距，且英特爾將持續(xù)外包PC CPU給臺(tái)積電生產(chǎn)，最新的服務(wù)器Diamond Rapids的CPU也可能會(huì)有部分產(chǎn)能交由臺(tái)積電代工。知名科技達(dá)人、社群平臺(tái)X爆料者@Jukanlosreve貼出瑞銀最新的研究報(bào)告指出，未來(lái)三年內(nèi)，2納米將是臺(tái)積電第二大制程節(jié)點(diǎn)，受惠于智慧型手機(jī)、伺服器及PC等產(chǎn)品的帶動(dòng)。至于對(duì)標(biāo)臺(tái)積電2納米的英特爾18A制程，良
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三星的3nm良率停留在50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%
- 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點(diǎn)上獲得了牽引力（據(jù)報(bào)道來(lái)自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國(guó)媒體 Chosun Biz 報(bào)道，即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn)，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報(bào)道稱，谷歌的 Tensor G5 正在轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的 3nm，遠(yuǎn)離三星。正如 9to5Google 所強(qiáng)調(diào)的那樣，據(jù)報(bào)道，這家搜索引擎巨頭已在未來(lái) 3 到 5 年內(nèi)與臺(tái)積電鎖定了 Tenso
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中芯用舊機(jī)器生產(chǎn)華為5納米 預(yù)估良率20%
- 即使面臨美國(guó)強(qiáng)力制裁，大陸芯片業(yè)的實(shí)力并沒(méi)有落后世界太多，中芯無(wú)法取得生產(chǎn)先進(jìn)制程芯片所需的EUV設(shè)備，但透過(guò)較舊的DUV設(shè)備就能生產(chǎn)5納米芯片，芯片密度雖遠(yuǎn)不如臺(tái)積電，但跟三星差不多，再度敲響美國(guó)制裁的警鐘，對(duì)于中芯來(lái)說(shuō)，最大問(wèn)題還是良率，雖能生產(chǎn)5納米芯片，但良率據(jù)稱只有20%，大幅落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。外媒Phonearena報(bào)導(dǎo)，華為新款筆記本電腦Mate Book Pro搭載由自行設(shè)計(jì)的麒麟X90芯片，采用5納米生產(chǎn)，代表大陸具備自主完成5納米設(shè)計(jì)與生產(chǎn)的技術(shù)，引發(fā)市場(chǎng)高度關(guān)注。由于中芯無(wú)法取得EUV機(jī)
- 關(guān)鍵字： 華為 5納米 良率 中芯
良率提高 三星接近從NVIDIA、Qualcomm獲得2nm訂單
- 隨著 2nm 成為芯片制造商的下一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)，三星正在像英特爾一樣競(jìng)相通過(guò)獲得重大外部訂單來(lái)縮小與臺(tái)積電的差距?，F(xiàn)在，它可能只差一步：根據(jù) Chosun Biz 的說(shuō)法，Samsung Foundry 已經(jīng)進(jìn)入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 進(jìn)行 2nm 性能測(cè)試的最后階段。Chosun Biz 表示，三星在其第一個(gè)基于 GAA 的節(jié)點(diǎn) 3nm 上來(lái)之不易的經(jīng)驗(yàn)現(xiàn)在正在得到回報(bào)——據(jù)報(bào)道，3nm 良率已超過(guò) 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。據(jù) Sedail
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iPhone 18首發(fā)！蘋果A20芯片基于臺(tái)積電2nm制造：良率遠(yuǎn)超預(yù)期
- 3月24日消息，分析師郭明錤再度重申，2026年的iPhone 18系列將首發(fā)A20處理器，這顆芯片將會(huì)使用臺(tái)積電2nm工藝制程。他表示，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)良率在3個(gè)多月前就達(dá)到60%-70%，現(xiàn)在的良率已經(jīng)遠(yuǎn)在70%之上。此前摩根士丹利（Morgan Stanley）發(fā)布的研究報(bào)告指出，2025年臺(tái)積電2nm月產(chǎn)能將從今年的1萬(wàn)片試產(chǎn)規(guī)模增加至5萬(wàn)片左右的量產(chǎn)規(guī)模。相比3nm制程，2nm制程在相同電壓下可以將功耗降低24%-35%，在相同功耗下可將性能提高15%，晶體管密度比上一代3nm工藝高1.15倍，
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臺(tái)積電2nm良率提高6%：可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
- 臺(tái)積電將于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)其2nm（N2）制程工藝，目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù)，以降低可變性和缺陷密度，從而提高良率。一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露，該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的良率提高了6%，為公司客戶“節(jié)省了數(shù)十億美元”。這位自稱 Kim 博士的臺(tái)積電員工沒(méi)有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測(cè)試芯片或邏輯測(cè)試芯片的良率。需要指出的是，臺(tái)積電在今年1月份才開(kāi)始提供 2nm 技術(shù)的穿梭測(cè)試晶圓服務(wù)，因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的實(shí)際芯片原型的良率，所以應(yīng)該是指目前最新的2nm技術(shù)的
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三星 Exynos 2600芯片前景堪憂：良率挑戰(zhàn)嚴(yán)峻，有被取消量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)
- 11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱從韓國(guó)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)渠道獲悉，三星正減少 2025 年的訂單，因此推測(cè)三星將徹底取消量產(chǎn) Exynos 2600 芯片計(jì)劃。此前援引 DigiTimes 報(bào)道，稱 3nm 工藝上遇到的困境，并沒(méi)有擊垮三星，反而讓三星“越挫越勇”，正積極布局 2nm 芯片，力圖在 2026 年實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)反彈。消息稱三星正積極爭(zhēng)取來(lái)自高通和英偉達(dá)的大規(guī)模訂單，目標(biāo)是 2026 年初量產(chǎn)。而在此之前，三星計(jì)劃在 2025
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三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%
- 根據(jù)韓國(guó)三星證券初步的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí)，三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o(wú)法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單，高通的訂單全給了臺(tái)積電，同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求，三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域，臺(tái)積電拿
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HBM3e 12hi面臨良率和驗(yàn)證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過(guò)剩仍待觀察
- 近期市場(chǎng)對(duì)于2025年HBM可能供過(guò)于求的擔(dān)憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉(zhuǎn)進(jìn)HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學(xué)習(xí)曲線長(zhǎng)，目前尚難判定是否會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩局面。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi樣品，目前處于持續(xù)驗(yàn)證階段。其中SK hynix與Micron進(jìn)度較快，有望于今年底完成
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三星3納米良率慘爆一度0％？
- 三星一直想透過(guò)3納米技術(shù)超車臺(tái)積電，但結(jié)果始終不如預(yù)期，相較臺(tái)積電已經(jīng)取得多位大客戶的訂單，并反映在財(cái)報(bào)上，三星3納米技術(shù)甚至被爆出良率一度只有0%，即使高層堅(jiān)稱「很穩(wěn)定」自家人韓媒不買賬，直言很多大廠都沒(méi)有明確要下訂單。 韓媒DealSite此前曾爆料，三星生產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，良率一度僅有0%，加上知名分析師郭明錤日前撰文表示，高通將成為三星Galaxy S25系列機(jī)型的獨(dú)家SoC供貨商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于預(yù)期，因此無(wú)法出貨。接二連三的消息都顯示，三星3納
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