三星文章最新資訊

折疊屏手機(jī)進(jìn)入“闊型”時代

華為目前已宣布，Pura系列及全場景新品發(fā)布會定檔4月20日14:30。同時，華為還直接官宣了Pura X Max的外觀和設(shè)計(jì)。這次“Max”后綴是整款產(chǎn)品最直觀的變化，它直接指向了“闊”這一核心特性。從官方發(fā)布的物料中可以看出，該機(jī)采用了橫向?qū)φ墼O(shè)計(jì)，小屏是頂部居中挖孔攝像頭，內(nèi)部折疊大屏是右上角挖孔攝像頭。按照爆料來看，全新的華為Pura X Max外屏5.3英寸，展開之后內(nèi)屏7.5英寸。Pura X Max最大優(yōu)勢或許就在屏幕長寬比，大概在1.4:1左右，與A4紙的橫縱比類似（即1.414:1），這
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蘋果折疊屏供應(yīng)鏈逐步成型：三星、富士康與中國供應(yīng)商成核心

距離蘋果秋季發(fā)布會還有數(shù)月，其首款可折疊 iPhone 的相關(guān)討論已迅速升溫。日經(jīng)新聞指出，蘋果首款折疊 iPhone 在工程測試階段遭遇技術(shù)瓶頸，存在延期風(fēng)險(xiǎn)；但彭博社稱，盡管初期供貨可能受限，該機(jī)仍按計(jì)劃于9 月發(fā)布。集微網(wǎng)表示，在此背景下，鑒于該產(chǎn)品對蘋果的戰(zhàn)略重要性，市場目光正越來越多地投向其潛在供應(yīng)鏈。面板策略：三星獨(dú)家供貨，采用 CoE 技術(shù)據(jù)集微網(wǎng)消息，蘋果已確定未來三年折疊手機(jī) OLED 面板由三星顯示獨(dú)家供應(yīng)。面板將采用彩色封裝層（CoE）技術(shù)，在封裝層上方直接形成彩色濾光層，無需偏光
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三星主導(dǎo)垂直芯片研發(fā)：目標(biāo)將HBM的 I/O 提升10倍、帶寬提升 4 倍

盡管 JEDEC 計(jì)劃放寬 HBM 高度限制，將 HBM4 的上限從 775 微米上調(diào)至約 900 微米，行業(yè)仍在持續(xù)尋求突破傳統(tǒng) HBM 架構(gòu)的結(jié)構(gòu)瓶頸。據(jù)《ET News》報(bào)道，三星電子未來技術(shù)研究項(xiàng)目下一項(xiàng)基于垂直芯片（Vertical Die）的先進(jìn)封裝研發(fā)已取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。值得關(guān)注的是，該方案據(jù)稱可將I/O 密度提升最高 10 倍、帶寬提升約 4 倍。報(bào)道稱，該項(xiàng)目由韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）權(quán)志旼教授擔(dān)任首席研究員，已取得重要學(xué)術(shù)里程碑：一篇關(guān)于 Vertical Die 架構(gòu)的論文已被
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三星新一代SSD將采用RISC-V架構(gòu)，降低對Arm依賴

據(jù)Wccftech報(bào)道，三星電子正逐步在存儲產(chǎn)品中引入開源指令集RISC-V。其新一代SSD產(chǎn)品線BM9K1將搭載自研控制器芯片，首次以RISC-V架構(gòu)為核心，旨在減少對Arm IP的依賴。SSD控制器在存儲設(shè)備中扮演重要角色，負(fù)責(zé)主機(jī)與NAND Flash之間的數(shù)據(jù)傳輸，同時執(zhí)行錯誤校驗(yàn)（ECC）、垃圾回收以及磨損均衡等關(guān)鍵任務(wù)。盡管三星在主流移動處理器領(lǐng)域仍以Arm架構(gòu)為主，例如最新的Exynos 2600采用Armv9.3 CPU核心，但此次RISC-V的導(dǎo)入主要集中在SSD控制器等外圍組件上。相較
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三星無懼DRAM崩盤恐慌：一季度漲價翻倍后，二季度再提價 30%

如今的內(nèi)存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領(lǐng)域：現(xiàn)貨價格小幅回調(diào)，就引發(fā)了 “行業(yè)末日” 的唱衰論調(diào)，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業(yè)巨頭卻始終淡定，并且鐵了心按計(jì)劃持續(xù)提價。三星 2026 年一季度 DRAM 價格翻倍后，二季度內(nèi)存產(chǎn)品再平均漲價 30%據(jù)韓國《ETNews》報(bào)道，三星已對其 DRAM 產(chǎn)品執(zhí)行 ** 季度環(huán)比約 30%的提價供貨。關(guān)鍵在于，此次漲價是在2026 年一季度 DRAM 均價同比大漲 100%** 的基礎(chǔ)上繼續(xù)上
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三星電子美國泰勒廠啟動EUV光刻機(jī)調(diào)試

韓媒稱，三星電子位于美國得克薩斯州泰勒市的2nm晶圓廠已進(jìn)入試運(yùn)營階段，EUV光刻機(jī)的測試已啟動。
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消息稱三星已解決 SOCAMM2 翹曲問題，量產(chǎn)進(jìn)度有望領(lǐng)先美光、SK 海力士

據(jù)報(bào)道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產(chǎn)前的主要障礙。報(bào)道稱，三星通過應(yīng)用自研下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)解決了該問題。報(bào)道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產(chǎn)生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結(jié)構(gòu)尤為敏感，因?yàn)樗鼘?
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三星與臺積電：在晶圓代工和先進(jìn)封裝領(lǐng)域展開競爭

據(jù)報(bào)道，三星在晶圓代工領(lǐng)域憑借其內(nèi)存技術(shù)優(yōu)勢取得突破。繼獲得英偉達(dá)旗下Groq 3 LPU代工訂單后，三星又與超微達(dá)成合作，為其MI455X AI加速器提供HBM4高帶寬存儲器，同時為第六代EPYC處理器提供DDR5內(nèi)存。雙方還在洽談進(jìn)一步的晶圓代工合作。臺積電的先進(jìn)制程產(chǎn)能長期處于滿載狀態(tài)，而三星通過HBM內(nèi)存與晶圓代工的一站式服務(wù)，吸引了超微等客戶，利用多供應(yīng)商策略爭奪高階芯片訂單。然而，三星能否將短期紅利轉(zhuǎn)化為長期優(yōu)勢，關(guān)鍵在于其2納米以下制程的良率穩(wěn)定性以及與臺積電在效能和功耗比上的競
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DRAM合約價再度上漲30%

韓國媒體ETnews報(bào)道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的擴(kuò)展，包括三星在內(nèi)的主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能集中在HBM上，通用DRAM的供應(yīng)變得不足，導(dǎo)致價格急劇上漲。據(jù)悉，三星已確認(rèn)于3月底與主要客戶完成價格談判，并簽署了供應(yīng)合同。DRAM合約價30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機(jī)所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經(jīng)將DRAM的平均價格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價格為10000韓元
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三星晶圓代工業(yè)務(wù)正式開放光子集成電路代工訂單

三星宣布，已正式開放光子集成電路（PIC）代工服務(wù)，該芯片可集成調(diào)制器、波導(dǎo)、光電二極管及存儲模塊，并已向潛在客戶提供相應(yīng)的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）。三星表示，將在 2027 年把光子業(yè)務(wù)拓展至光引擎領(lǐng)域，2028 年實(shí)現(xiàn)混合鍵合技術(shù)，2029 年前推出共封裝光學(xué)（CPO）方案。經(jīng)比利時微電子研究中心（imec）測試，三星自研調(diào)制器實(shí)現(xiàn)了單通道 224Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率?；谠摲桨傅墓饽K可實(shí)現(xiàn)單通道 200Gbps 速率：4 通道方案可支持 800Gbps 設(shè)備8 通道方案可支持 1.6Tbps（
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三星罷工危機(jī)延燒晶圓代工 DDIC、PMIC海嘯

三星罷工風(fēng)險(xiǎn)升溫，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈再添不確定性。市場傳出，三星晶圓代工（Samsung Foundry）最快5月21日啟動罷工，影響恐延續(xù)至第三季。法人指出，成熟制程產(chǎn)能原已吃緊，若罷工成真，DDIC與PMIC供給首當(dāng)其沖，供需失衡帶動價格與交期同步走升。供應(yīng)鏈透露，若罷工發(fā)生將影響晶圓出貨節(jié)奏，已開始預(yù)備貨與風(fēng)險(xiǎn)分散準(zhǔn)備; 4月初再協(xié)商，然罷工機(jī)率不低。觀察除內(nèi)存外，驅(qū)動IC、PMIC供貨將受影響，相關(guān)成熟制程產(chǎn)能更緊缺。業(yè)者指出，今年成熟制程產(chǎn)能供應(yīng)本就吃緊，除記憶體排擠效應(yīng)，臺積電規(guī)劃關(guān)閉8吋廠，
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三星大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來暫緩，勞資雙方重回談判桌

據(jù)路透社最新消息，在經(jīng)歷長期僵持與罷工授權(quán)后，三星電子管理層與韓國員工工會聯(lián)合發(fā)布聲明，雙方正式就獎金爭議重啟談判，一度高懸的大規(guī)模罷工風(fēng)險(xiǎn)迎來暫緩。轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在本周一，此次談判重啟的關(guān)鍵推動力，來自三星電子副會長、半導(dǎo)體（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉（Jun Young-hyun）的介入。作為三星核心芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，全永鉉在會議中正面回應(yīng)員工訴求，并提出會針對不同業(yè)務(wù)部門制定多元化獎金分配方案。工會原定在三星電子會長李在镕住宅前的抗議活動已宣布取消，轉(zhuǎn)而與公司高層先行對話。全永鉉已與四位工會領(lǐng)袖舉行了長達(dá)90分
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三星擬投入730億美元用于芯片資本支出與研發(fā)

三星計(jì)劃今年投資730 億美元，以期在芯片業(yè)務(wù)上追趕臺積電。臺積電預(yù)計(jì)今年資本支出為520 億～560 億美元，研發(fā)投入為70 億美元。英特爾今年資本支出預(yù)算約為90 億美元，研發(fā)預(yù)算約為160 億美元。在轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極晶體管與 BYPD 工藝后，三星曾出現(xiàn)良率波動，目前正致力于讓2 納米工藝及晶圓代工業(yè)務(wù)重回正軌。近期與埃隆?馬斯克達(dá)成的代工合作，以及與 AMD 洽談潛在代工訂單的消息，均表明其相關(guān)技術(shù)正趨于穩(wěn)定。三星將把 730 億美元重點(diǎn)投向人工智能相關(guān)領(lǐng)域，包括處理器芯粒與高帶寬內(nèi)存（HB
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三星加速布局第三類半導(dǎo)體，8寸GaN產(chǎn)線預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)

據(jù)韓媒Theelec援引業(yè)界消息，三星電子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半導(dǎo)體市場，其8寸氮化鎵（GaN）晶圓代工產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)最快將于2026年第2季正式投產(chǎn)。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出重要一步。三星方面對GaN晶圓代工產(chǎn)線的具體啟動時間和客戶進(jìn)展保持謹(jǐn)慎態(tài)度，僅回應(yīng)稱“無法確認(rèn)”。不過，據(jù)業(yè)界透露，三星自宣布進(jìn)軍功率半導(dǎo)體代工市場以來，已歷時3年，近期完成了量產(chǎn)技術(shù)與客戶布局。盡管初期客戶數(shù)量有限，市場預(yù)估GaN晶圓代工年?duì)I收規(guī)模可能
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三星面臨大罷工，存儲價格或加速上漲

最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結(jié)果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據(jù)悉，本次罷工將是三星史上最大規(guī)模的罷工計(jì)劃。關(guān)鍵訴求：取消績效獎金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問題進(jìn)行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續(xù)擴(kuò)大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實(shí)施，這將是三星自1969年成立以來遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會要求提高績效獎金計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)的透明度，取消績效獎金
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進(jìn)入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細(xì) ]