據(jù)報(bào)道，三星已攻克其 SOCAMM2 設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題。據(jù) ETNews 援引消息人士透露，該公司已解決翹曲（warpage）問題 —— 這是下一代 AI 服務(wù)器內(nèi)存模組 SOCAMM2（System on Chip Advanced Memory Module 2）量產(chǎn)前的主要障礙。報(bào)道稱，三星通過應(yīng)用自研下一代低溫焊料（LTS）技術(shù)解決了該問題。

報(bào)道指出，翹曲是指元器件在制造過程中因受熱而產(chǎn)生的輕微彎曲，主要由不同材料之間熱膨脹系數(shù)（CTE）不匹配引起。SOCAMM2 結(jié)構(gòu)尤為敏感，因?yàn)樗鼘?LPDDR5X 芯片組裝成模組并通過螺栓壓緊固定，大幅增加了連接失效的風(fēng)險(xiǎn)。

為解決這一問題，三星將焊接工藝溫度從 260℃ 以上降至 150℃ 以下。通過大幅降低峰值溫度，有效減小了熱膨脹系數(shù)不匹配帶來的影響。

SOCAMM2 是一款重要的低功耗內(nèi)存模組，將與 HBM 配合用于英偉達(dá)下一代 AI 平臺 Vera Rubin。報(bào)道補(bǔ)充稱，三星通過在 SOCAMM2 上應(yīng)用低溫焊料（LTS），在研發(fā)與量產(chǎn)進(jìn)度上被認(rèn)為獲得了相對于競爭對手的優(yōu)勢。

除溫控外，三星還推出多項(xiàng)設(shè)計(jì)改良：將芯片配置從雙塔結(jié)構(gòu)改為單塔結(jié)構(gòu)以提升機(jī)械剛性；優(yōu)化環(huán)氧塑封料（EMC）的厚度與熱膨脹特性；并采用高精度仿真模型提升翹曲預(yù)測精度。 

三星、SK 海力士、美光 SOCAMM2 競爭白熱化

AI 半導(dǎo)體市場的競爭正迅速蔓延至 SOCAMM2 領(lǐng)域?！吨醒肴請?bào)》稱，三星電子正鞏固其業(yè)內(nèi)首家量產(chǎn) 192GB SOCAMM2 的地位。報(bào)道援引分析師估算，三星對英偉達(dá)的供應(yīng)量有望達(dá)到約 100 億 GB，占總需求的 50% 左右。憑借 10nm 級第五代（1b）工藝實(shí)現(xiàn)的良率與性能穩(wěn)定，三星預(yù)計(jì)將在供應(yīng)份額上領(lǐng)跑。

據(jù) TheElec 消息，SK 海力士正加速在今年轉(zhuǎn)向第六代（1c）DRAM，此舉有望支撐其包括 SOCAMM2 在內(nèi)的 AI 內(nèi)存產(chǎn)品陣容擴(kuò)張。與此同時(shí)，《中央日報(bào)》報(bào)道，美光已于 3 月初送出全球首款 256GB SOCAMM2 客戶樣片，容量較三星、SK 海力士的 192GB 旗艦產(chǎn)品提升約 33%。