據(jù)韓媒Theelec援引業(yè)界消息，三星電子（Samsung Electronics）正加速切入第三代半導(dǎo)體市場，其8寸氮化鎵（GaN）晶圓代工產(chǎn)線已進(jìn)入量產(chǎn)前準(zhǔn)備階段，預(yù)計(jì)最快將于2026年第2季正式投產(chǎn)。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出重要一步。 

三星方面對GaN晶圓代工產(chǎn)線的具體啟動時(shí)間和客戶進(jìn)展保持謹(jǐn)慎態(tài)度，僅回應(yīng)稱“無法確認(rèn)”。不過，據(jù)業(yè)界透露，三星自宣布進(jìn)軍功率半導(dǎo)體代工市場以來，已歷時(shí)3年，近期完成了量產(chǎn)技術(shù)與客戶布局。盡管初期客戶數(shù)量有限，市場預(yù)估GaN晶圓代工年?duì)I收規(guī)?？赡艿陀?,000億韓元（約合6,700萬美元），仍處于市場導(dǎo)入與培養(yǎng)階段。 

三星采取了一站式解決方案（turnkey）的商業(yè)模式，涵蓋制程、制造及部分后段流程，從而提升毛利率與服務(wù)整合能力。值得注意的是，三星并未選擇外購晶圓，而是自行生產(chǎn)，這表明其已突破GaN量產(chǎn)關(guān)鍵材料技術(shù)瓶頸，進(jìn)一步強(qiáng)化了成本與供應(yīng)鏈的掌控能力。 

從產(chǎn)業(yè)競爭來看，韓國其他企業(yè)也在加速布局GaN市場。DB HiTek預(yù)計(jì)于2026年下半年啟動GaN晶圓代工量產(chǎn)，時(shí)間上落后三星1~2個(gè)季度。SK海力士（SK Hynix）旗下的晶圓代工業(yè)務(wù)也將GaN列為重點(diǎn)發(fā)展方向，盡管距離實(shí)際量產(chǎn)仍需時(shí)間，但韓系廠商正同步搶進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場。 

技術(shù)層面而言，功率半導(dǎo)體主要分為GaN與碳化硅（SiC）兩大路線，均屬于寬能隙材料。相較于傳統(tǒng)的硅（Si），寬能隙材料具備更高的耐壓與高溫特性，能有效降低能量損耗并提升轉(zhuǎn)換效率。GaN主要應(yīng)用于1,200V以下場景，如手機(jī)快充、數(shù)據(jù)中心與電動車（EV）電源系統(tǒng)；而SiC則適用于更高電壓環(huán)境，如電動車主驅(qū)逆變器等。 

隨著人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心功耗的快速攀升，GaN的重要性持續(xù)提升。新一代AI基礎(chǔ)設(shè)施逐步導(dǎo)入800V高壓直流（HVDC）供電架構(gòu)，需通過高效率電源轉(zhuǎn)換模塊將高壓直流轉(zhuǎn)換為服務(wù)器內(nèi)部低壓電源。GaN元件憑借高速切換與高功率密度優(yōu)勢，可有效降低能量損耗與散熱需求，成為關(guān)鍵電力轉(zhuǎn)換技術(shù)之一。 

回顧三星的布局，2023年曾宣布預(yù)計(jì)2025年啟動功率半導(dǎo)體晶圓代工，但實(shí)際進(jìn)度略有延后。業(yè)界分析，晶圓代工產(chǎn)線通常需先有客戶訂單后再進(jìn)行投資決策，三星在2025~2026年間逐步取得訂單后，才正式啟動量產(chǎn)計(jì)劃。 

此外，三星同步推進(jìn)SiC業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)最快2026年啟動晶圓代工，鎖定1,200~1,700V高壓應(yīng)用市場。與GaN不同，SiC將采取從設(shè)計(jì)到封裝的完整垂直整合模式，顯示三星試圖在不同電壓等級市場建立差異化布局。