據韓國媒體報道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達標，短期內可能無法實現量產，進而影響其下一代HBM內存的推進節(jié)奏。這一技術問題直接波及三星計劃中的HBM5E產品大規(guī)模生產。

一位接近三星內部的人士透露，三星電子決定在D1d良率達到預期目標之前無限期推遲量產計劃，且尚未明確重啟時間。公司正重新審視工藝路線圖，以尋求良率提升的解決方案。盡管D1d DRAM技術此前已通過預生產批準（PRA），但因良率低于預期，三星對其試產和量產的投資回報率（ROI）表示擔憂。

D1d DRAM技術對三星未來的HBM產品路線圖至關重要，預計將應用于其第九代HBM產品HBM5E。目前，1c DRAM已廣泛用于HBM4、HBM4E和HBM5三代產品。其中，HBM4預計將在今年晚些時候推出，主要面向英偉達的Vera Rubin平臺和AMD的MI400平臺；HBM4E則可能應用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及其定制版本預計將服務于英偉達Feynman系列及其他競爭方案。

與此同時，三星正在韓國溫陽建設一座大型芯片工廠，該設施面積相當于四個足球場，將涵蓋封裝、測試、物流及質量控制等關鍵環(huán)節(jié)，以支持包括HBM在內的下一代DRAM產品的長期穩(wěn)定生產。

在HBM領域，三星與SK海力士的競爭日益激烈。據報道，SK海力士已在D1d DRAM技術上實現良率突破，進一步加劇了三星的壓力。此前有消息稱，三星正大幅壓縮HBM的研發(fā)周期，但快速研發(fā)并不等于能夠迅速實現量產。