據韓國媒體報道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，標志著該技術正式進入成熟階段。這一進展顯著增強了三星在晶圓代工領域的競爭力，使其能夠與中國臺灣半導體廠商臺積電展開正面對決，同時更好地滿足全球科技巨頭尤其是AI領域對高性能芯片的需求。

三星平澤園區(qū)是此次技術突破的核心陣地。該園區(qū)目前不僅生產5nm和7nm芯片，還已具備供應4nm芯片的能力。這些芯片可廣泛應用于AI加速器、汽車電子及移動設備領域，甚至可用作第六代HBM4內存芯片的基底芯片。業(yè)內人士分析，此次良率的提升將幫助三星晶圓代工業(yè)務減輕存儲芯片價格波動帶來的沖擊，并有望在2026年下半年實現盈利。