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三星4nm制程良率突破80%

據(jù)韓國媒體報道，三星的4nm FinFET制程良率已提升至80%以上，標志著該技術(shù)正式進入成熟階段。這一進展顯著增強了三星在晶圓代工領(lǐng)域的競爭力，使其能夠與中國臺灣半導體廠商臺積電展開正面對決，同時更好地滿足全球科技巨頭...

三星 4nm 2026-04-30

三星電子計劃上調(diào)4nm與8nm工藝價格，漲幅約10%

據(jù)韓國至頂網(wǎng)（ZDNET Korea）2月4日報道，三星電子旗下晶圓代工業(yè)務(wù)擬對部分制程價格進行調(diào)整，主要涉及4nm與8nm工藝，預計漲幅約在10%左右。業(yè)內(nèi)人士透露，這兩項工藝已進入成熟階段，良率趨于穩(wěn)定，且被認為接近...

三星電子 4nm 2026-02-05

臺積電將于下個月破土動工1.4nm晶圓廠

經(jīng)濟新聞日報》道，臺積電將于 10 月破土動工，耗資 490 億美元的 Fab 25 工廠用于其 1.4 納米工藝。1.4nm 的試生產(chǎn)計劃于 2027 年底在構(gòu)成 Fab 25 的四個晶圓廠中的第一個進行。Fab 25...

臺積電 1.4nm 2025-09-03

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm

據(jù)報道，隨著主要競爭對手臺積電和英特爾的目標是在 2025 年下半年實現(xiàn) 2nm 和 18A 的量產(chǎn)，三星也在調(diào)整其業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。據(jù) ZDNet 稱，它現(xiàn)在專注于提高和優(yōu)化其當前先進節(jié)點的良率，尤其是 2...

三星 2nm 2025-06-26

三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv

據(jù)韓媒etnews于6月18日報道，三星電子近期在高性能計算（HPC）和人工智能（AI）領(lǐng)域取得重要突破。其基于4nm工藝制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能評估，傳輸帶寬達到24Gbps。這一成果標志著三星...

三星 4nm 2025-06-19

臺積電美國廠首批4nm晶圓送往臺灣封裝

據(jù)臺媒報道，臺積電位于美國亞利桑那州的晶圓廠已經(jīng)完成了為蘋果、英偉達（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，數(shù)量達到了2萬片晶圓，目前這些芯片已經(jīng)送往中國臺灣進行封裝。這批在臺積電亞利桑那州晶圓廠生產(chǎn)的4nm制程晶圓，...

臺積電 4nm 2025-06-19

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4nm

三星4nm制程良率突破80%

三星電子計劃上調(diào)4nm與8nm工藝價格，漲幅約10%

臺積電將于下個月破土動工1.4nm晶圓廠

三星優(yōu)先考慮2nm/4nm改進，2028-29前不太可能實現(xiàn)1.4nm

三星4nm工藝UCIe芯片完成性能評估，傳輸帶寬達24Gbpsv

臺積電美國廠首批4nm晶圓送往臺灣封裝

突破技術(shù)封鎖，國產(chǎn)小芯片4nm封裝投入量產(chǎn)

臺積電4nm提前試產(chǎn)！推汽車專用新制程，美國5nm芯片工廠已動工

大嘴業(yè)話：半導體工藝讓ARM與Intel大戰(zhàn)天平趨向平衡

大嘴業(yè)話：Altera是要嫁給Intel了嗎？

大嘴業(yè)話：GF14年力推14nm 攪動IC制程

借助組合式電量計提升精度并縮減系統(tǒng)占用空間

實施可靠電源的途徑

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EEPW 2025 年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)回顧與展望直播——機器人專場